目录 1
第一章 固体成像器件的物理基础 1
§1-1 载流子浓度的统计分布 1
§1-2 导带电子和价带空穴的浓度 3
§1-3 本征半导体的载流子浓度的统计分布 4
§1-4 杂质半导体的载流子浓度的统计分布 6
§1-5 载流子的简并化 10
§1-6 载流子在半导体中的输运现象 12
§1-7 复合理论 13
§1-8 载流子在电场中的运动方程 20
§2-1 导论 24
第二章 成像探测器概论 24
§2-2 成像探测器的类型 25
§2-3 成像探测器的工作条件 29
§2-4 成像探测器的性能参数 31
§2-5 成像探测器性能参数的测量 35
§2-6 常用成像探测器性能参数和光谱响应曲线 38
第三章 成像探测器的理论基础 41
§3-1 导言 41
§3-2 成像探测器的基本方程 41
§3-3 本征光电导探测器理论 45
§3-4 杂质（非本征）光电导探测器理论 51
§3-5 光伏探测器理论 56
§3-6 窄带自滤探测器 67
§3-7 SPRITE探测器（扫积型探测器）理论分析 70
§3-8 肖特基势垒探测器 79
第四章 成像探测器的噪声分析 81
§4-1 导言 81
§4-2 成像探测器的噪声 81
§4-3 热噪声 82
§4-4 散粒噪声 83
§4-5 产生-复合噪声（G-R噪声） 85
§4-6 1/f噪声 87
§4-7 温度噪声 88
§4-8 介质损耗噪声 90
§5-1 热敏电阻探测器理论分析 93
第五章 理想热探测器的特性分析 93
§5-2 温差电堆及其他各类热探测器 96
§5-3 测辐射热计 97
§5-4 热释电探测器特性分析 98
§5-5 实例——TGS探测器 105
§5-6 热释电探测器的现状和展望 109
第六章 理想光子探测器与实际探测器的性能分析 110
§6-1 引言 110
§6-2 光电子事件的随机分布 110
§6-3 信号噪声限制探测器性能 111
§6-4 背景噪声限制探测器性能 112
§6-5 不同噪声限制探测器性能 114
§6-6 理想热探测器性能极限 119
§7-1 红外测温技术 125
第七章 成像探测器的应用 125
§7-2 红外无损探伤 126
§7-3 红外跟踪系统 127
§7-4 红外搜索系统 128
§7-5 热成像系统性能分析 129
§7-6 红外成像制导技术 148
第八章 成像系统信号的检测 150
§8-1 涅曼-皮尔顿（Neyman-Pearson）准则 150
§8-2 噪声统计特性 150
§8-3 虚警时间 152
§8-4 跟踪概率 154
§8-5 红外跟踪系统的信噪比 156
第九章 电荷耦合器件的理论分析 157
§9-1 导言 157
§9-2 CCD工作的理论基础 157
§9-3 MOS结构电容 163
§9-4 功函数对MOS结构C-V特性的影响 166
§9-5 氧化层中电荷对MOS结构C-V特性的影响 167
§9-6 CCD电荷的存贮与转移 168
§9-7 CCD表面势的计算 171
§9-8 信号电荷的注入原理 174
§9-9 输出信号电荷的检测原理 175
第十章 CCD像敏器的物理性能 176
§10-1 CCD的开启电压VT 176
§10-3 转移效率的理论分析 177
§10-2 电荷负载量 177
§10-4 CCD的工作频率 183
§10-5 CCD噪声的理论分析 184
§10-6 暗电流 189
§10-7 单元尺寸和功率耗散 190
第十一章 电荷耦合器件的设计与结构 192
§11-1 表面CCD的设计方程 192
§11-2 埋沟CCD的设计方程 196
§11-3 自由电荷转移的分析 197
§11-4 界面态俘获的定量计算 199
§11-5 转移损失率的分析 200
§11-7 功率耗散对器件的影响 203
§11-6 暗电流对器件的影响 203
§11-8 时钟脉冲的综合选择 205
§11-9 CCD的结构 205
第十二章 固体摄像系统特性分析 209
§12-1 固体摄像系统的基本原理 209
§12-2 光学系统 209
§12-3 CCD摄像生能的分析 210
§12-4 调制传递函数MTF 212
§12-5 面阵CCD（CCAID）的结构及工作原理 214
§12-6 面阵CCD工作波形的分析 215
§12-7 驱动电路的设计 216
§12-8 增强型电荷耦合器件 220
§12-9 红外电荷耦合器件（IR-CCD） 221
§12-10 红外光电智能器件 224