目 录 1
第一章半导体的掺杂 1
1.1熔体掺杂 1
1.2杂质的扩散 11
1.3半导体的离子掺杂 17
1.4半导体的核嬗变掺杂 21
第二章半导体核嬗变掺杂的物理基础 26
2.1作为杂质原子源的核反应 26
2.2带电粒子引起的核反应 30
2.3 γ射线引起的核反应 37
2.4中子引起的核反应 41
2.5 在用（n,γ）反应掺杂的半导体中产生的掺杂杂质及其分布特点 47
2.6干扰因素对核掺杂的影响 57
2.7用核掺杂方法制造pn结的可能性 68
第三章半导体中的辐照缺陷 73
3.1最简单辐照缺陷的产生 73
3.2硅中辐照缺陷的类型 78
3.3辐照缺陷的聚集 86
3.4辐照缺陷同各种晶格不完整性的相互作用 93
3.5辐照缺陷的退火 100
3.6辐照加速扩散 113
3.7锗中的辐照缺陷 118
3.8二元化合物中的辐照缺陷 120
第四章硅的核掺杂工艺 129
4.1核掺杂过程的工艺流程 129
4.2硅锭在核反应堆内均匀辐照的保证 130
4.3退火 141
4.4 NTD硅的电物理性能 150
4.5材料历史和中子通量参数对NTD硅电物理性能的影响 162
4.6 NTD硅的放射性 167
4.7 NTD硅在器件生产中的应用 168
4.8核嬗变方法在其他材料方面的应用 171
参考文献 179