目录 1
一、生产试制总结 1
四位移位寄存器试制小结 1
4×4多路转接器 7
高速J-K触发器 12
肖特基二极管钳位高速D－型触发器 21
TTL高速与非门若干问题的讨论 31
等离子腐蚀工艺评述 56
1．综述 56
二、译文 56
硅固态平面掺杂源的进展 63
国际圆片标准化—是事实还是幻想？ 67
集成注入逻辑（I2L）—现状与未来 71
电子手表用的集成注入逻辑大规模集成电路——它的优点与可能性 78
2．线路设计 86
晶体管的瞬态特性 86
达到CMOS抗扰度又保持T2L速度的T3L 122
等平面结构高集成度存储器 128
最新双极型逻辑电路 138
3．工艺 152
高速高密度双极存储单元面积缩小的隔离法 152
硅加盐酸的热氧化膜 156
半导体元件的表面处理方法 159
二氧化硅与金属界面的化学反应 161
铬掩模缺陷检查 164
多发射极晶体管的发射极金属化 165
去除LSI器件硅基片上的杂质与缺陷 165
高成品率半导体硅衬底 166
减缓隐埋层的外扩散 166
光刻对准法 167
半导体工艺缺陷监控器 168
无缺陷硅单晶片的生产 169
4．可靠性 170
半导体塑料封装的密封性试验 170
日立半导体集成电路的可靠性管理 172
5．设备 179
涂胶烘胶机 179
引线焊接的自动化 182