目 录 1
第一章卤化碱晶体的击穿 1
1.1 卤化碱晶体击穿实验 1
1.2电子失稳 11
1.3方向性击穿 13
1.4晶体中的击穿路径和花样 18
1.5击穿判据 28
1.6电子倍增雪崩与击穿 29
参考文献 34
第二章电击穿与热击穿 36
2.1 电介质的电导率 36
2.2固态电介质击穿类型的区分问题 39
2.3接实验现象特征区分 39
2.4按理论概念区分 42
2.5热击穿的一般原理 46
2.6一维稳态热击穿解 47
参考文献 53
3.1 MOS电容器 54
第三章二氧化硅薄膜的击穿 54
3.2 自愈合击穿 61
3.3击穿示波图 67
3.4 MOS击穿的温度 71
3.5 MOS单孔击穿机制的初步探索 72
3.6击穿发生时的能量关系 80
3.7击穿孔的大小 80
3.8二氧化硅膜中热击穿事例 85
3.9再讨论热击穿与电击穿 94
3.10电极极性效应与前击穿现象 106
3.11标准化的击穿试验万法 111
3.12材料和工艺参量对于MOS击穿强度的影响……… 115
3.13开关事件与击穿事件 120
3.14热生长二氧化硅膜中F-N隧穿电流 123
3.15 MOS氧化膜减薄趋势 130
3.16薄氧的电击穿特性 131
参考文献 134
第四章电击穿理论（上） 140
4.1单电子近似本征击穿理论 140
4.2 Fr？hlich关于非晶态电介质的本征击穿理论 152
4.3雪崩击穿的理论概念 157
4.4单电子碰撞电离雪崩击穿理论 159
4.5卤化碱的低温击穿性质 164
4.6 卤化碱的高温击穿性质 170
4.7玻璃和石英 175
4.8云母 175
4.9前期电击穿理论的简单回顾 177
参考文献 179
5.1 电流失稳碰撞电离－漂移模型 181
第五章电击穿理论（下） 181
5.2碰撞电离－复合模型 193
5.3辨认二氧化硅膜中碰撞电离的实验 207
5.4对ID与IR模型的讨论 212
参考文献 216
第六章电介质与时间有关的击穿（TDDB） 218
6.1 热生长二氧化硅膜中与时间有关的介质击穿 218
6.2 TDDB与电场加速试验 225
6.3薄氧TDDB的M-B模型 231
参考文献 236
7.1 Harari实验 237
第七章二氧化硅膜中电荷陷阱化与击穿 237
7.2 400—1000？SiO2膜的击穿强度与厚度的关系 248
7.3快击穿与慢击穿 257
7.4共振隧穿与击穿 259
7.5二氧化硅膜中电子热化与击穿 262
参考文献 263
第八章击穿统计 266
8.1击穿事件的随机性与局域性 266
8.2击穿统计研究概况 278
8.3极值统计学 280
8.4二氧化硅膜中电荷陷阱的产生与击穿统计 281
参考文献 290
附录A硅物理 294
参考文献 303
附录B MOS结构的基本理论 304
参考文献 317
附录C MOS电容－电压方法 319
参考文献 332
附录D各种卤化碱的晶体常数 333
参考文献 333