目录 1
一、生产试制总结 1
结温老化 1
片状BN在数字集成电路扩散工艺中的应用 9
高抗扰二——五进制计数器试制小结 13
锁定触发器试制小结 22
D64—765合格率分析 33
片状BN使用点滴 43
高温测试氖管显示 47
称量计数 51
二、译文 52
硅器件的表面纯化 52
关于半导体表面物理的几个问题 62
发射极和集电极体电阻的迅速测定 80
I2L将赶上C-MOS吗？ 82
高速集成注入逻辑 86
I2L的基本特性与设计 95
集成存储器 105
扩散吸收硅中的金和铜 119
用氢气燃烧的硅湿氧氧化 134
无位错硅片的微小缺陷 138
掺多晶硅的磷、砷扩散 142
硅扩散过程中产生的晶格缺陷的控制 146
管壳对集成电路表面稳定性的影响 150
评价TTL电参数稳定性的一种方法 162