1 半导体放大器件基础 12
1．1 半导体的物理特性 12
1．2 半导体pn结与二极管的原理 18
2 晶体管放大器件 34
2．1 双极型晶体管的构造与工作原理 34
2．2 晶体管放大的原理 38
2．3 将放大器件转换为等效电路 42
2．4 晶体管放大基础 46
2．5 互导gm的性质 47
2．6 晶体管的符号 48
2．7 根据用途进行晶体管分类 49
2．8 晶体管的性能参数 50
2．9 晶体管制造概要 51
3 晶体管的偏置方法 56
3．1 工作点随着β的变化而移动 56
3．2 集电极电流的稳定系数 59
3．3 固定偏置法 63
3．4 自偏置法 64
3．5 利用电流反馈的自偏置法 65
3．6 利用电流反馈的分压偏置法 70
3．7 使用正负电源的偏置法 75
3．8 利用直接2级放大的反馈偏置法 77
3．9 利用二极管的偏置补偿 86
4 放大器的基本性能指标 92
4．1 放大器基础 92
4．2 按频率带宽进行放大器的分类 100
4．3 失真的定义 103
5．1 由晶体管原理推导出的等效电路 112
5 晶体管的等效电路 112
5．2 用h参数的等效电路 121
6 晶体管放大器的性质 130
6．1 发射极接地放大器 130
6．2 基极接地放大器 142
6．3 集电极接地放大器(射极跟随器) 151
7 实用放大器基础 162
7．1 发射极接地标准电路 162
7．2 发射极接地高输入阻抗电路 171
7．3 发射极接地2级放大器 177
7．4 射极跟随器 183
7．5 相位分割电路 187
7．6 差动放大器 188
7．7 复合晶体管 193
7．8 极联式放大器 200
7．9 推挽放大器 202
8 场效应晶体管放大器 210
8．1 场效应晶体管简介 210
8．2 结型场效应晶体管 211
8．3 栅绝缘型场效应晶体管 220
8．4 FET的低频等效电路 222
8．5 FET作为放大器的用法 230
8．6 源极接地放大器 235
8．7 栅极接地放大器 239
8．8 漏极接地放大器 240
8．9 FET与晶体管的组合 244
9 放大器的频率特性 252
9．1 放大器的低频特性 252
9．2 放大器的高频特性 260
9．4 相位补偿电路 265
9．3 多级放大器的频率特性 265
10 反馈放大器 270
10．1 反馈放大的原理 270
10．2 负反馈放大器的构成 273
10．3 负反馈放大器的实例 278
10．4 负反馈放大器的振荡稳定性 292
11 运算放大器及其应用 300
11．1 运算放大器的构成 300
11．2 共态的概念及消除 303
11．3 运算原理 307
11．4 有源滤波器的概念 316
附录 324
附录1 电压增益的测量 324
附录2 自举(bootstrap)一词的来源及电子电路中自举的意义 325
附录3 增益、相位的频率特性的测量 328
附录4 测量回路增益的频率特性 330
电路符号表 331
参考文献 335
引用文献 335