目录 1
第一章 可控硅元件的电压 1
1-1 半导体的导电机构和PN结的形成 2
1-2 PN结的反向电压和硅单晶材料的关系 25
1-3 电流放大系数和可控硅元件的电压 52
1-4 可控硅元件长、短基区的设计估算 80
1-5 可控硅元件的高温特性 105
1-6 磨角与保护 115
2-1 可控硅元件控制极触发导通的原理 126
第二章 可控硅元件的控制极参数 126
2-2 控制极电压和电流的估算 130
第三章 可控硅元件的通态特性 144
3-1 硅整流元件的正向工作情况 144
3-2 可控硅元件的导通状态 155
3-3 通态压降的计算及其讨论 165
3-4 可控硅元件的电流容量和电流过载能力 186
第四章 可控硅元件的动态特性 201
4-1 可控硅元件的开通过程 202
4-2 阳极-阴极间加有迅速上升的正向电压 216
引起可控硅元件的导通 216
4-3 可控硅元件承受电流上升率的能力 227
4-4 可控硅元件的关断过程 236
第五章 可控硅元件诸参数与特性的相 245
互关系及综合考虑 245
5-1 参数与特性的相互关系 246
5-2 大功率可控硅元件主要参数的设计考虑 253
5-3 大功率可控硅元件最大转换功率的设计考虑 264
第六章 关于可控硅元件制造工艺的一些问题 277
6-1 元件制造工艺 277
6-2 制造可控硅元件的挖槽工艺 322
6-3 硅单晶的不均匀性对元件性能的影响 326
6-4 工艺检测方法 330
第七章 关于可控硅元件参数测试中的几个问题 350
7-1 静态参数的测量 350
7-2 动态参数的测量 360
7-3 可控硅元件一些物理参数的测量 367
附表1 自然对数表 386
附表2 误差函数表 389
附表3 硅的物理特性 392
附表4 常用物理常数表 392
附表5 常用单位换算表 392
附表6 本书采用的物理量和参数符号表 393