目录 1
硅半导体器件的表面钝化 1
半导体的表面钝化 16
硅器件的钝化涂层 42
介质膜在器件制造中的作用 63
多晶、氮化和氧化硅的低压化学汽相沉积生产工艺 74
用热氧化钝化高压pnp结构 101
改进高压晶体管性能的玻璃钝化 113
用形成磷硅玻璃的方法从二氧化硅薄膜中完全除去钠 124
应用于MOS集成电路的半绝缘多晶硅（SIPOS）薄膜 128
半绝缘多晶硅（SIPOS）钝化工艺 146
用SIPOS工艺制作高可靠高压晶体管 158
高质量的射频溅射二氧化硅层 172
低温等离子体增强氮化硅沉积的生产反应器 186
Si3N4的厚度与双极型晶体管特性的关系 201
硅衬底上Al2O3层的制备及电学性质 223
硅上多晶氧化铝的阳极氧化 229
三氯乙烯氧化对MOS器件特性的一些影响 251
用中子活化和紫外光谱分析确定溅射SiO2中钠的分布 263
用活化氮制备Si3N4 270