目录 1
一、生产试制总结 1
二次缺陷的形成、变化和消除 1
TTL集成电路的X-Y特性分析法 7
16×1随机存取存贮器 23
2-16进制同步可预置计数器 32
双极型可编只读存贮器 45
对通隔离 56
改进线路提高了合格率 58
提高集成电路成品率和可俈性的有效措施 66
如何保证四氯化硅的高质量 71
原水预处理的重要性及方法 74
双极型大规模集成电路的现状和展望 79
二、译文 86
门几何尺寸对集成注入逻辑（I2L）传？延迟的影响 86
负掩模关键尺寸的控制 93
译码器／多路调解器 95
半导体晶片的处理方法 106
硅片的软固定抛光方法 109
重显性优质二氧化硅薄膜形成法 114
大规模集成电路片子？洗处理 118
选择腐蚀法 123
SiN-SiO2膜内应力的减小 126
固体介质中分析针孔的金？淀积技术 127
用三溴化硼作预淀积 128
减少砱扩散中的过剩砱以消除缺陷 135
砷旋转涂布扩散源的扩散工艺 140
硅的固相砷扩散 146
高砱硅的热氧化 147
利用光刻膜部分的处理法 156
减少大规模集成器件中串联电阻的反应性离子蚀刻工艺 159
高氧Czochralski硅晶体生长与外延堆垛层错的关系 161
硅槽周围产生的位错 168
硅片背面的位错吸附 169
硅片正面的位错吸附 170
沾污离子的检测和定位 171
低成本大规模集成电路单芯片组件管壳 172
？洁处理金相的溶液 173
双极型大规模存储器 174
半导体集成电路装置 179
应用于集成电路的晶体管 183
可改善噪声容限的TTL电路 187
集成注入逻辑的改进 189
高密度、高性能的I2L单元 191
双极型大规模集成电路I2L 193