第Ⅶ篇 固态微波器件 1
第一章超导电子元器件 11- 1
第Ⅺ篇新颖电子元器件 1
§10.1.1概述 10- 1
第Ⅹ篇 微处理器、单片机及外围接口电路第一章微处理器 10- 1
§9.1.1模拟集成电路的特点 9- 1
识 9- 1
第一章模拟集成电路的基础知 1
第Ⅸ篇模拟集成电路 1
第Ⅱ篇半导体分立器件 1
第一章基本知识 2- 1
§2.1.1国内外半导体分立器件型 1
号命名方法 2- 1
一、中国半导体器件型号命名法 2- 1
第Ⅳ篇光电器件 1
第一章隧道二极管 7- 1
§11.1.1概述 11- 1
目录 1
位 6- 1
§6.1.1传感器在科学技术中的地 1
第一章概论 6- 1
第Ⅵ篇敏感元件与传感器 1
§5.1.1摄像与显示的意义 5- 1
第一章概论 5- 1
第Ⅴ篇 摄像与显示器件 1
第Ⅲ篇 电力半导体器件与执行器件 1
第一章整流管 3- 1
§3.1.1整流管的工作原理与特 1
性 3- 1
一、pn结大注入效应 3- 1
一、pn结型光电二极管 4- 1
原理 4- 1
§4.1.1光电二极管的结构和工作 1
第一章光电二极管 4- 1
第1篇 元件 1
第一章电阻器和电位器 1- 1
§1.1.1电阻器概述 1- 1
一、电阻器的分类 1- 1
§9.1.2模拟集成电路的分类 9- 2
二、超导真空晶体管 11- 2
一、超导—半导体兼容器件 11- 2
§11.1.2超导电子器件 11- 2
五、其他模拟集成电路 9- 2
四、模—数及数—模转换器集成电路 9- 2
电路 9- 2
三、通信、广播等设备中的模拟集成 2
二、集成稳压器 9- 2
一、集成运算放大器 9- 2
三、超导微波电路 11- 2
二、日本半导体分立器件型号命名法 2- 2
一、整流管的基本结构 3- 2
一、提高微波功率晶体管高频优值Kpf 2
构与隧道效应 7- 2
§7.1.1高掺杂半导体的能带结 2
二、电阻器的识别 1- 2
二、电导调制效应 3- 2
三、肖特基整流管的伏安特性 3- 2
§3.1.2整流管的基本结构与类 2
型 3- 2
二、pin结型光电二极管 4- 2
§7.1.2隧道二极管的伏—安特 3
§5.1.2摄像与显示器件的分类 5- 3
性 7- 3
§9.1.3模拟集成电路中的基本 3
单元电路 9- 3
一、恒流源偏置电路 9- 3
四、超导—半导体混合电路 11- 3
二、整流管的分类 3- 3
五、高速约瑟夫逊结加法器 11- 3
§10.1.2 8位微处理器 10- 3
一、8085A微处理器 10- 3
三、雪崩型光电二极管 4- 3
四、两种派生器件 4- 3
§4.1.2光电二极管的特性和主要 4
六、其他超导元件 11- 4
分类 6- 4
参数 4- 4
一、伏安特性 4- 4
三、电阻器的主要特性参数 1- 4
三、基本特性 8- 4
§7.1.3等效电路分析 7- 4
三、美国半导体分立器件型号命名法 2- 4
§6.1.2传感器与敏感功能材料的 4
传感器 11- 5
§11.2.1多功能硅集成传感 5
器 11- 5
一、硅微机械装置和微执行器 11- 5
第二章 多功能集成传感器和新颖 5
六、光电流IL 4- 5
五、暗电流ID 4- 5
二、光谱响应特性 4- 5
四、最高工作电压Umax 4- 5
三、指向特性 4- 5
四、国际电子联合会半导体器件型号命名法 2- 5
§5.1.3摄像与显示器件的命名 5
方法 5- 5
能 7- 6
二、稳压源电路 9- 6
四、噪声容限和负载规则 8- 6
§7.1.4隧道二极管的分类及性 6
§6.1.4传感器的发展动向 6- 6
能要求 6- 6
§6.1.3对传感器与敏感材料的性 6
二、硅集成真空度传感器 11- 6
路 4- 7
三、薄膜电阻器 1- 7
五、欧洲早期半导体分立器件型号命名法 2- 7
六、苏联半导体器件型号命名法 2- 7
二、线绕电阻器 1- 7
一、使用光电二极管时应注意的问题 4- 7
§4.1.3光电二极管的实际应用电 7
八、响应时间τ 4- 7
三、集成加速度传感器 11- 7
四、集成湿敏振荡器 11- 7
§11.2.2新颖传感器 11- 7
一、新颖温度传感器 11- 7
§1.1.2电阻器 1- 7
九、波长范围（光谱响应范围） 4- 7
一、实芯碳质电阻器 1- 7
七、光电灵敏度S 4- 7
二、其他新颖传感器 11- 8
§7.1.5典型应用 7- 8
二、几种实际应用电路 4- 8
三、有源负载电路 9- 8
四、电阻器系列 1- 9
第三章高低温电子器件 11- 9
二、Z80微处理器 10- 9
四、电平移位电路 9- 9
§6.2.2半导体力敏器件原理 6- 9
五、直流参数和开关参数 8- 9
§6.2.1概述 6- 9
§11.3.1概述 11- 9
第二章力学量传感器 6- 9
§6.2.3力学量传感器的分类 6- 10
§6.2.4应变式传感器 6- 10
第二章光电三极管 4- 10
§4.2.1光电三极管的结构和工作 10
二、光电三极管的三种类型 4- 10
五、差分放大电路 9- 10
一、结构和工作原理 4- 10
§11.3.2低温半导体器件 11- 10
一、低温器件的特点 11- 10
二、低温微电子器件 11- 10
原理 4- 10
一、高温高速耐辐射晶体管 11- 11
§11.3.3高温半导体器件 11- 11
一、分辨率 5- 11
§5.2.1摄像器件的参数 5- 11
一、概述 8- 11
§8.1.2 CMOS电路 8- 11
七、制造厂家半导体器件专用型号命名法 2- 11
第二章摄像器件 5- 11
二、高温高性能的异质结双极晶体 11
管 11- 11
参数 4- 11
§4.2.2光电三极管的特性和主要 11
二、电路结构和特点 8- 12
第二章雷崩二极管 7- 13
一、阻断特性 3- 13
§7.2.1崩越二极管 7- 13
一、IMPATT二极管的理论基础 7- 13
§4.2.3实际应用电路 4- 13
§3.2.1普通晶闸管的工作原理与 13
六、双差分电路 9- 13
特性 3- 13
二、惰性 5- 13
一、光电三极管使用注意事项 4- 13
第二章晶闸管 3- 13
第四章智能功率集成电路 11- 13
§2.1.2半导体二极管参数符号及 13
其意义 2- 13
§11.4.1概述 11- 13
§11.4.2输出级器件结构 11- 13
二、门极特性 3- 14
七、双端输出变单端输出电路 9- 14
四、动态范围 5- 15
三、光电转换特性和灰度 5- 15
三、基本特性 8- 15
八、输出电路 9- 15
二、应用电路 4- 15
三、MC 6800微处理器 10- 16
三、通态特性 3- 16
义 2- 16
五、光谱响应 5- 16
六、信噪比 5- 16
§2.1.3双极型晶体管参数符号意 16
§6.2.5硅压力传感器 6- 17
§5.2.2光导型摄像管 5- 17
一、光导型摄像管的结构和原理 5- 17
§11.4.3隔离技术 11- 17
九、保护电路 9- 17
§10.1.3 16位微处理器 10- 17
一、高档微处理器的基本结构 10- 17
动电路 11- 18
二、电容式硅压力传感器 6- 18
一、压阻型硅压力传感器 6- 18
二、输出功率和效率 7- 18
§11.4.4栅充电泵和电平位移驱 18
四、动态特性 3- 18
二、摄像管的电子光学系统 5- 18
§2.1.4场效应管参数符号意义 2- 18
四、噪声容限和负载能力 8- 19
§9.2.1集成运算放大器的基本工 19
第二章集成运算放大器 9- 19
二、8086/8088微处理器 10- 19
作原理 9- 19
动态 1- 20
一、熔断电阻器 1- 20
第二章晶体二极管 2- 20
§1.1.3新型电阻器和电阻器发展 20
一、平衡pn结 2- 20
§2.2.1 pn结 2- 20
§11.4.5智能化电路 11- 20
原理 4- 20
§4.3.1硅光电池的结构和工作 20
一、双向晶闸管的四种触发方式 3- 20
特性 3- 20
§3.2.2双向晶闸管的工作原理与 20
三、噪声性能 7- 20
四、典型结构、材料和设计参数 7- 20
第三章光电池 4- 20
一、电压—电流特性 4- 21
用 11- 21
二、敏感电阻器 1- 21
§9.2.2集成运算放大器的主要参 21
§4.3.2光电池的特性和参数 4- 21
数 9- 21
五、直流参数和开关特性 8- 21
§11.4.6智能功率集成电路的应 21
二、双向晶闸管的主要电参数 3- 21
三、片状电阻器 1- 21
§6.2.6压电式压力传感器 6- 22
二、转换效率 4- 22
§11.5.1半导体的超晶格和超晶 23
第五章微电路及其发展动向 11- 23
二、电路结构和特点 8- 23
一一、概述 8- 23
四、电阻网络 1- 23
格结构器件 11- 23
§4.3.3光电池在实际中的应用 4- 23
四、温度特性 4- 23
三、光谱响应特性和响应时间 4- 23
五、电阻器的发展动态 1- 23
§8.1.3 ECL电路 8- 23
五、IMPATT二极管的典型分类及性 23
能 7- 23
二、非平衡pn结的能带图 2- 23
二、超晶格结构器件分类 11- 23
三、光电导靶面 5- 23
一、半导体超晶格 11- 23
三、用JT-1型图示仪测量双向晶闸管的主要电参数 3- 23
§3.2.3可关断晶闸管（GTO）的工 24
§9.2.3通用型集成运算放大 24
六、典型应用 7- 24
§2.2.2 pn结特性参数 2- 24
一、pn结直流伏—安特性 2- 24
§1.1.4电位器概述 1- 24
作原理与特性 3- 24
四、其他量子器件 11- 24
一、电位器的分类 1- 24
二、电位器的型号命名 1- 24
器 9- 24
三、量子阱与量子晶体管 11- 24
三、8087与8089微处理器 10- 25
器 9- 25
一、F702通用I型集成运算放大 25
§11.5.2超大规模集成电路及其 25
三、电位器的主要特性参数 1- 25
一、GTO的导通和关断机理 3- 25
§6.2.7压力传感器的应用 6- 25
一、最新存储器及其新技术 11- 25
新技术 11- 25
二、GTO的主要电参数 3- 26
四、80286处理器 10- 26
三、兆位准静态随机存取存储器 11- 26
二、超高速大容量门阵列 11- 26
一、TRAPATT器件的理论基础 7- 26
§7.2.2俘越二极管 7- 26
特性 3- 27
§3.2.4逆导晶闸管的工作原理与 27
三、GT0的使用注意事项 3- 27
二、pn结势垒电容 2- 27
一、线绕电位器 1- 27
器 9- 27
二、F709通用Ⅱ型集成运算放大 27
§1.1.5各种电位器 1- 27
四、64M DRAM的参数性能比较 11- 27
二、合成碳膜电位器 1- 27
三、基本特性 8- 27
三、有机实芯电位器 1- 28
一、逆导晶闸管的结构特点 3- 28
五、超高速预分频器 11- 28
三、pn结扩散电容和交流特性 2- 28
二、逆导晶闸管的特性 3- 28
七、人工神经网络器件 11- 28
六、高速Bi-CMOS门阵列 11- 28
四、金属膜电位器 1- 28
五、金属玻璃釉电位器 1- 28
二、器件参数设计 7- 28
三、F741通用Ⅲ型集成运算放大 28
器 9- 28
路 3- 29
§3.2.5触发器件和触发器集成电 29
一、可编程单结晶体管（PUT）的工作原理与基本特性 3- 29
六、导电塑料电位器 1- 29
七、带开关电位器 1- 29
三、逆导晶闸管的主要电参数 3- 29
四、pn结的击穿特性 2- 29
五、直流参数 8- 29
四、噪声容限 8- 29
三、TRAPATT二极管振荡器 7- 29
§6.3.1压电陶瓷的压电特性 6- 29
第三章声学传感器 6- 29
第六章其他新颖电子元器件 11- 30
§11.6.1光运算集成电路和光电 30
单块集成电路 11- 30
§11.6.3其他新材料器件 11- 30
一、铁电随机存储器 11- 30
§11.6.2砷化镓集成电路 11- 30
第四章光控晶闸管 4- 30
一、小功率光控晶闸管的结构和工作原理 4- 30
§4.4.1结构和工作原理 4- 30
二、全塑性晶体管 11- 31
同产品对照表 9- 31
四、通用型集成运算放大器国内外类 31
互连接 8- 31
§8.1.4各种电路和器件的相 31
——转移电子效应 7- 31
§7.3.1转移电子器件的物理基础 31
第三章转移电子器件 7- 31
二、大功率光控晶闸管的结构和工作原理 4- 31
三、纸张型集成元件 11- 31
八、预调式电位器 1- 31
二、双向触发二极管（DIAC）的工作原理与基本特性 3- 31
五、pn结的温度特性 2- 31
一、光电阴极 5- 32
九、直滑式电位器 1- 32
十、双连电位器 1- 32
三、硅单向开关（SUS）的工作原理与基本特性 3- 32
§2.2.3晶体二极管的分类 2- 32
一、根据制造工艺和结构分类 2- 32
§4.4.2光控晶闸管的特性和参 32
数 4- 32
电特性 6- 32
§6.3.2聚偏氟乙烯（PVF2）的压 32
§5.2.3光电发射型摄像管 5- 32
§6.3.3压电材料—氧化物—半导体场效应晶体管（POSFET）的结构与原理 6- 33
§7.3.2转移电子器件的工作原 33
五、MC 68000微处理器 10- 33
一、使用中应注意的问题 4- 33
§4.4.3光控晶闸管的应用 4- 33
四、硅双向开关（SBS）的工作原理与基本特性 3- 33
五、交流用硅二极管（SIDAC）的工作原理与基本特性 3- 33
理 7- 33
十二、电位器系列 1- 33
二、根据用途分类 2- 33
十一、无触点电位器 1- 33
一、空间电荷积累层与不稳定性 7- 33
三、畴动力学——大信号理论 7- 34
§6.3.4声学传感器的应用 6- 34
三、根据半导体材料分类 2- 34
§2.2.4硅整流器件 2- 34
一、硅整流二极管 2- 34
二、应用实例 4- 34
五、通用型集成运算放大器国内产品 34
二、小信号理论 7- 34
主要特性表 9- 34
二、超正摄像管 5- 34
§10.1.4.32位微处理器 10- 35
§8.2.1逻辑门 8- 35
六、通用型集成运算放大器国外产品 35
三、二次电子导电（SEC）摄像管 5- 35
主要特性表 9- 35
一、80386微处理器 10- 35
第二章门电路 8- 35
第五章光敏电阻 4- 37
四、增强硅靶管 5- 37
及主要引脚功能表 9- 37
七、通用型集成运算放大器封装形式 37
§7.3.3典型分类及性能 7- 37
一、光敏电阻的结构 4- 37
理 4- 37
§4.5.1光敏电阻的结构和工作原 37
三、几种派生器件 4- 38
二、光敏电阻的工作原理 4- 38
§5.2.4变像管与像增强管 5- 39
二、80486微处理器 10- 39
第四章温度传感器 6- 39
§6.4.1温度传感器的分类 6- 39
一、变像管的基本结构和原理 5- 39
三、快速恢复硅整流二极管 2- 39
二、硅雪崩整流器件 2- 39
§6.4.2热敏电阻 6- 40
§4.5.2光敏电阻的特性和参数 4- 40
一光谱特性 4- 40
§9.2.4低功耗集成运算放大 40
器 9- 40
六、触发器集成电路 3- 40
一、F253型低功耗集成运算放大器 9- 40
二、光学纤维面板和微通道板 5- 40
三、响应特性 4- 41
二、照度特性 4- 41
§7.3.4典型应用 7- 41
三、变像管的种类 5- 42
六、光电阻和暗电阻 4- 42
五、最高工作电压和允许耗散功率 4- 42
四、温度特性 4- 42
三、MC 68020微处理器 10- 42
二、F013型低功耗集成运算放大器 9- 42
一、缓冲器／电平变换器 8- 42
§8.2.2缓冲器／驱动器 8- 42
§4.5.3光敏电阻的实际应用 4- 43
四、整流电路 2- 43
三、低功耗集成运算放大器国内外类 44
§2.2.5锗检波二极管 2- 44
同产品对照表 9- 44
一、检波二极管的主要参数 2- 44
二、锗检波二极管的参数规范表 2- 44
二、应用实例 4- 44
一、使用注意事项 4- 44
品主要特性表 9- 45
主要特性表 9- 45
一、SiC薄膜热敏电阻器及温度传感器 6- 45
§6.4.3薄膜型热敏电阻器 6- 45
五、低功耗集成运算放大器国外产品 45
二、三态门 8- 45
四、低功耗型集成运算放大器国内产 45
§7.4.1耗尽层容—压特性 7- 45
第四章变容二极管 7- 45
四、像增强器 5- 46
主要性能参数 7- 46
§7.4.2变容二极管的等效电路及 46
§2.2.6稳压二极管 2- 46
§10.2.1概述 10- 46
第二章单片微型计算机 10- 46
§1.1.6电位器发展动态 1- 46
一、小型化 1- 46
二、片状化 1- 46
三、总线缓冲器／驱动器 8- 46
五、各类微光摄像管的比较 5- 47
第六章发光二极管 4- 47
§4.6.1发光二极管的结构和工作 47
原理 4- 47
一、发光二极管的结构、外形和种类 4- 47
三、组合化 1- 47
二、镍薄膜温度传感器 6- 47
一、稳压二极管的特性参数 2- 47
一、热释电红外摄像管 5- 47
§5.2.5特种摄像管 5- 47
二、稳压管的应用与参数表 2- 48
二、发光二极管的发光原理 4- 48
一、电容器分类 1- 48
§6.4.4有机热敏电阻器 6- 48
第二章电容器 1- 48
§1.2.1概述 1- 48
一、RS锁存触发器 8- 49
§8.3.1触发器 8- 49
§6.4.5 pn结温度传感器 6- 49
第三章触发器、寄存器 8- 49
§9.2.5高精度集成运算放大 50
二、电容器的识别 1- 50
六、低功耗型集成运算放大器封装形 50
式及主要引脚功能表 9- 50
§4.6.2发光二极管的特性和参 50
器 9- 50
数 4- 50
一、F725型高精度集成运算放大 51
器 9- 51
二、主要光学参数 4- 51
二、单管彩色摄像管 5- 51
一、MCS-48系列单片机 10- 51
§10.2.2 8位单片微机 10- 51
一、主要电学参数 4- 51
二、D型触发器 8- 51
三、电容器的主要特性参数 1- 52
§6.4.6热敏闸流晶体管 6- 52
二、XFC-78型高精度集成运算放大 53
器 9- 53
§6.4.7温度传感器的应用 6- 53
二、发光二极管的驱动电路 4- 54
一、使用时应注意的事项 4- 54
§4.6.3发光二极管的实际应用 4- 54
三、热学参数 4- 54
一、有机介质电容器 1- 55
§1.2.2各种电容器 1- 55
§2.2.7开关二极管 2- 55
一、开关二极管的反向恢复时间 2- 55
三、高精度集成运算放大器国内外类 55
同产品对照表 9- 55
§6.5.1半导体的霍尔效应 6- 55
§6.5.2霍尔元件的电学磁学特 55
性 6- 55
数 3- 55
§3.2.6晶闸管主要产品技术参 55
三、JK触发器 8- 55
第五章磁传感器 6- 55
三、应用实例 4- 56
三、聚焦投射扫描（FPS）视像管 5- 56
二、电荷贮存效应 2- 56
主要特性表 9- 57
三、开关二极管的参数规范表 2- 57
二、MCS-51系列单片机 10- 57
四、高精度集成运算放大器国内产品 57
主要特性表 9- 58
§6.5.3霍尔元件的温度特性及补 58
五、低噪声集成运算放大器国外产品 58
偿方法 6- 58
二、无机介质电容器 1- 58
§7.4.3典型分类及性能 7- 58
§7.4.4变容二极管的典型应用 7- 58
§5.2.6扫描转换管 5- 58
一、参量放大器 7- 58
一、硅靶扫描转换管 5- 59
§6.5.4霍尔MOSFET 6- 59
四、单稳态触发器 8- 59
一、光隔离器的结构和组合方式 4- 59
第七章光电耦合器 4- 59
§4.7.1光电耦合器的结构 4- 59
三、电解电容器 1- 59
一、双极型硅霍尔集成电路 6- 60
§6.5.5霍尔集成电路 6- 60
二、稳流管的特性参数 2- 60
§2.2.8硅稳流二极管 2- 60
一、硅稳流二极管的原理和特性 2- 60
二、光传感器的结构 4- 60
二、单枪扫描转换管 5- 61
主要特性表 9- 61
六、低漂移集成运算放大器国外产品 61
二、输出参数 4- 61
一、输入参数 4- 61
§4.7.2光电耦合器的主要参数 4- 61
§6.5.6磁阻元件 6- 62
二、MOS霍尔集成电路 6- 62
三、传输参数 4- 62
五、微调电容器 1- 62
四、可变电容器 1- 62
一、CCD结构和工作原理 5- 62
§4.7.3光电耦合器的实际应用 4- 62
二、变容管倍频器 7- 62
§5.2.7固体摄像器件 5- 62
六、电容器系列 1- 63
及主要引脚功能表 9- 63
七、高精度集成运算放大器封装形式 63
§6.5.7磁敏二极管 6- 63
二、固体摄像器件的种类 5- 64
大器 9- 64
大器 9- 64
一、5G28型高输入阻抗集成运算放 64
§9.2.6高输入阻抗集成运算放 64
大器 9- 65
二、F3130型高输入阻抗集成运算放 65
§7.5.1肖特基势垒物理 7- 65
第五章 肖特基二极管 7- 65
§6.5.8磁敏晶体管 6- 66
三、稳流管的应用 2- 66
五、施密特触发器 8- 66
三、高输入阻抗集成运算放大器国内 67
外类同产品对照表 9- 67
§2.2.9单结晶体管 2- 67
一、单结晶体管的工作原理 2- 67
一、爱因斯坦系数 4- 67
§8.3.2寄存器 8- 67
§4.8.1激光器的基本原理 4- 67
第八章激光器 4- 67
等效电路和优值 7- 67
§7.5.3肖特基二极管的基本结构、 67
性 7- 67
§7.5.2肖特基二极管的伏—安特 67
二、单结晶体管的主要参数 2- 68
一、多位边沿触发D型触发器 8- 68
§6.5.9磁敏元件的应用 6- 68
三、MC 6801系列单片机 10- 68
四、MC 6805系列单片机 10- 69
§7.5.4肖特基二极管的分类及性 69
二、光的受激辐射放大与粒子数反转 4- 69
能 7- 69
§7.5.5肖特基二极管的典型应 69
一、微波混频器 7- 69
用 7- 69
产品主要特性表 9- 69
第三章显示器件 5- 69
§5.3.1显示器件的基本参数 5- 69
一、光度学参数 5- 69
四、高输入阻抗集成运算放大器国内 69
三、单结晶体管的应用 2- 69
二、视觉参数 5- 70
第六章光传感器 6- 70
三、激活介质的增益特性与自激振荡 4- 70
五、低偏流集成运算放大器国外产品 70
主要特性表 9- 70
§10.2.3.16位单片微机 10- 70
一、MCS-96系列单片机 10- 70
§6.6.1光传感器的种类 6- 70
一、外光电效应器件 6- 70
二、内光电效应器件 6- 70
§6.6.2电真空光敏器件 6- 70
一、光电子发射与二次电子发射 6- 70
二、锁存器 8- 70
二、光电管 6- 71
四、可调单结晶体管 2- 71
三、工程参数 5- 71
四、光学谐振腔 4- 71
六、高输入阻抗集成运算放大器封装 72
一、黑白显像管 5- 72
§5.3.2电子束显示器件 5- 72
形式及主要引脚功能表 9- 72
三、光电倍增管 6- 73
五、单结晶体管和可调单结晶体管参数规范 2- 73
五、激光器的工作过程与分类 4- 73
§9.2.7高速型集成运算放大 74
器 9- 74
一、F715型高速集成运算放大器 9- 74
§4.8.2气体激光器 4- 74
二、彩色显像管 5- 74
一、氦—氖激光器 4- 74
二、二氧化碳激光器 4- 75
第三章低频小功率晶体管 2- 75
§2.3.1晶体三极管基础知识 2- 75
一、三极管的基本特点、原理结构及符号 2- 75
二、晶体管的内部结构 2- 75
二、4E321型高速集成运算放大器 9- 76
一、晶体管的能带图和电流传输机构 2- 77
§2.3.2晶体三极管的工作原理 2- 77
举例 3- 77
§3.2.7晶闸管的应用特点和应用 77
三、示波管 5- 77
一、可关断晶闸管的典型应用 3- 77
三、寄存器阵 8- 78
一、80C 196单片机 10- 78
同产品对照表 9- 78
三、高速型集成运算放大器国内外类 78
二、逆导晶闸管的应用特点和典型应用 3- 78
§6.6.3半导体光敏器件（略，参 79
三、氩离子激光器 4- 79
§10.2.4数字信号处理器 10- 79
阅第Ⅳ篇） 6- 79
一、DSP芯片基本性能与特点 10- 79
§6.6.4红外光探测器（略，参阅 79
第Ⅳ篇） 6- 79
§6.6.5半导体色敏器件 6- 79
四、高速型集成运算放大器国内产品 79
主要特性表 9- 79
二、晶体管的放大作用 2- 79
三、电力半导体器件用散热器 3- 79
四、其他气体激光器 4- 80
一、一位数据选择器 8- 80
§8.4.1数据选择器 8- 80
第四章数据选择器、模拟开关 8- 80
主要性能表 9- 80
二、微波检波器 7- 80
五、高速型集成运算放大器国外产品 80
三、均匀基区晶体管的电流增益 2- 80
器 9- 81
§9.2.8高压型集成运算放大 81
及主要引脚功能表 9- 81
六、高速型集成运算放大器封装形式 81
四、缓变基区晶体管的电流增益 2- 81
二、TMS 32020 DSP芯片 10- 82
一、晶体管的反向电流 2- 82
§4.8.3固体激光器 4- 82
一、红宝石激光器 4- 82
电压 2- 82
§2.3.3晶体管的反向电流和击穿 82
一、液晶显示 5- 82
§5.3.3平板显示器件 5- 82
器 9- 82
一、F1536型高压集成运算放大 82
第六章阶跃恢复二极管 7- 83
§6.6.6半导体光照位置传感器 6- 83
二、晶体管的击穿电压 2- 83
四、其他固体激光器 4- 83
§7.6.1阶跃恢复二极管的器件物 83
理、结构和参数 7- 83
三、TMS 320 C25 DSP芯片 10- 83
三、掺钕钇铝石榴石激光器 4- 83
二、钕玻璃激光器 4- 83
§4.8.4半导体激光器 4- 84
器 9- 84
二、BG315型高压集成运算放大 84
三、高压集成运算放大器国内外类同 85
产品对照表 9- 85
§2.3.4晶体管的特性曲线 2- 85
一、共基极特性曲线 2- 85
二、二位数据选择器 8- 85
一、半导体激光器的基本结构 4- 85
二、半导体激光器的工作机理 4- 85
主要特性表 9- 86
三、几种典型半导体激光器 4- 86
四、高压型集成运算放大器国内产品 86
§7.6.3 SRD倍频器 7- 87
§7.6.2 SRD的分类及性能 7- 87
主要特性表 9- 87
五、高压型集成运算放大器国外产品 87
二、共发射极特性曲线 2- 87
一、SRD倍频器电路 7- 87
六、高压型集成运算放大器封装形式 88
及主要引脚功能表 9- 88
§9.2.9其他集成运算放大器 9- 88
一、宽带型集成运算放大器 9- 88
§6.6.7光传感器的应用 6- 88
§2.3.5晶体管的交流参数 2- 89
一、交流电流放大系数 2- 89
三、四位数据选择器 8- 89
第三章功率晶体管 3- 89
§3.3.1功率双极晶体管 3- 89
二、跨导型集成运算放大器 9- 90
二、晶体管频率特性参数 2- 90
四、TMS 320C 30DSP芯片 10- 90
二、等离子体显示 5- 90
§1.2.3新型电容器和电容器发展 91
动态 1- 91
一、片状电容器 1- 91
§2.3.6晶体管的极限参数 2- 91
一、最高允许结温 2- 91
三、程控型集成运算放大器 9- 91
一、染料的激光机理 4- 91
§4.8.5染料激光器 4- 91
§6.7.1半导体射线探测器 6- 92
二、独石电容器 1- 92
二、集电极最大允许耗散功率 2- 92
三、集电极最大允许电流 2- 92
§2.3.7晶体三极管的参数规范 92
表 2- 92
第七章射线探测器 6- 92
性 4- 92
二、染料激光器的结构特征及输出特 92
§10.3.2存贮器接口 10- 93
一、自由电子激光器 4- 93
§4.8.6其他激光器 4- 93
三、双电层铝电解电容器 1- 93
四、电流型集成运算放大器 9- 93
一、程序存贮器 10- 93
第三章微型计算机接口电路 10- 93
§10.3.1概述 10- 93
§8.4.2模拟开关 8- 94
三、发光二极管显示 5- 94
四、电容器的发展动态 1- 94
三、无机液体激光器 4- 94
（功率MOSFET） 3- 94
§3.3.2功率MOS场效应晶体管 94
二、化学激光器 4- 94
一、激光在精密测量中的应用 4- 94
一、模拟开关 8- 94
§4.8.7激光的若干应用简介 4- 94
五、其他集成运算放大器国内外类同 94
产品对照表 9- 94
§1.3.1厚、薄膜混合集成电路中 95
二、薄膜元件 1- 95
能 3- 95
第三章厚、薄膜混合集成电路 1- 95
一、厚、薄膜混合集成电路概述 1- 95
二、SRD倍频器实例 7- 95
一、功率MOSFET的结构和功率性 95
的元件 1- 95
四、真空荧光显示 5- 96
三、激光通信 4- 96
二、激光全息 4- 96
用 4- 97
五、激光在工业生产及其他方面的应 97
要特性表 9- 97
四、激光在物理学中的应用 4- 97
六、其他集成运算放大器国内产品主 97
二、多路模拟开关 8- 97
五、电致发光显示 5- 97
第七章pin二极管 7- 98
七、其他集成运算放大器国外产品主 98
§7.7.1 pin二极管的特性分析 7- 98
要性能表 9- 98
二、数据存贮器 10- 99
二、功率MOSFET的并联工作 3- 99
§2.4.1晶体管的频率特性 2- 99
一、高频时晶体管电流放大系数下降的原因 2- 99
第四章高频和超高频晶体管 2- 99
一、薄膜光波导的结构形式 4- 99
§4.9.1薄膜光波导 4- 99
第九章光波导器件 4- 99
二、均匀基区晶体管的高频Y参数 2- 100
三、功率MOSFET的串联工作 3- 100
§6.7.2充气电离式射线探测器 6- 100
三、存贮器接口电路 10- 101
八、其他集成运算放大器封装形式及 101
§3.3.3 MOS-双极复合器件 3- 101
主要引脚功能表 9- 101
三、均匀基区晶体管的等效电路 2- 101
二、波导的模式 4- 101
§10.3.3并行接口 10- 102
一、8255A可编程并行I/O接口 10- 102
第五章译码器、编码器 8- 102
九、国外集成电路生产厂家检索 9- 102
§8.5.1译码器 8- 102
参数 3- 102
§7.7.2 pin二极管的主要参数及 102
设计要点 7- 102
一、译码显示电路 8- 102
§3.3.4功率晶体管主要产品技术 102
§4.9.2波导耦合器 4- 102
§7.7.3 pin二极管的分类及典型 103
性能 7- 103
一、外耦合型波导耦合器 4- 103
第三章集成稳压器 9- 103
§9.3.1集成稳压器的基本结 103
构 9- 103
一、闪烁计数管 6- 103
一、基准电压 9- 103
数规范表 2- 103
§2.4.2高频和超高频晶体管参 103
应用 2- 103
§2.4.3高频和超高频晶体管的 103
§6.7.3其他射线探测器 6- 103
二、比较放大器 9- 104
三、启动电路 9- 104
§4.9.3波导调制器 4- 104
三、厚膜元件 1- 104
二、内耦合型波导耦合器 4- 104
二、MC6821外设接口适配器 10- 105
二、中子探测器 6- 105
一、波导电光调制器 4- 105
四、保护电路 9- 106
二、波导声光调制器 4- 106
§6.7.4射线探测器的应用 6- 106
一、分布反馈波导激光器 4- 107
二、分布布拉格反射式波导激光器 4- 107
数 9- 107
§4.9.4波导激光器 4- 107
三、其他形式的波导调制器 4- 107
§9.3.2集成稳压器的主要参 107
三、Z80-PIO控制器 10- 107
§9.3.3集成稳压器的分类 9- 108
一、掺杂型波导光电探测器 4- 108
三、解理面腔式集成激光器 4- 108
§4.9.5波导光电探测器 4- 108
点 6- 109
篇） 6- 109
§6.8.3光探测器（略，参阅第Ⅳ 109
第Ⅳ篇） 6- 109
§6.8.2固态光纤光源（略，参阅 109
§6.8.1光纤波导概述 6- 109
第八章光纤传感器 6- 109
§6.8.4光纤传感器的分类和特 109
器 9- 109
三、质子轰击型波导光电探测器 4- 109
四、8291 A GPIB发送／接收器 10- 109
§9.3.4多端可调式集成稳压 109
五、混合集成波导光电探测器 4- 109
二、外延型波导光电探测器 4- 109
§9.3.5三端固定输出电压式集 110
四、厚、薄膜混合集成电路的外贴元器件 1- 110
三、集成光学频谱分析器 4- 110
二、开关网络 4- 110
一、波长复用集成光源 4- 110
§4.9.6波导器件应用简介 4- 110
二、通用译码电路 8- 110
§6.8.5传光型光纤传感器 6- 110
W7900系列） 9- 110
成稳压器（W7800系列 110
一、传光型光纤传感器的基本类型 6- 110
二、传光型光纤传感器的应用领域 6- 110
§7.7.4 pin二极管的典型应用 7- 110
一、ppin二极管微波开关 7- 110
五、MC 68488通用接口适配器 10- 111
四、集成声光卷积器和相关器 4- 111
五、其他应用 4- 111
§1.3.2 混合集成电路应用举例 1- 112
一、混合集成电路在功率放大器中的应用 1- 112
第十章红外器件 4- 112
§4.10.1红外光源 4- 112
一、热辐射型红外光源 4- 112
9.3.6三端输出电压可调式集 113
六、8243I/O扩展器 10- 113
成稳压器 9- 113
二、气体放电型红外光源 4- 113
§4.10.2红外探测器 4- 114
四、二极管红外光源 4- 114
三、混合辐射源 4- 114
五、红外激光器 4- 114
七、8155 RAM/IO扩展器 10- 114
二、pin管微波限幅器 7- 115
§9.3.7各类集成稳压器特性比 115
较 9- 115
一、红外探测器的特点和性能参数 4- 115
§9.4.1高、中频电路 9- 116
三、pin管电调衰减器 7- 116
§10.3.4 串行接口 10- 116
第四章收录机、音响专用模拟集 116
一、8251A通用同步、异步收发器 10- 116
成电路 9- 116
二、红外热探测器 4- 116
二、混合集成电路在功率驱动器中的应用 1- 116
一、高、中频电路的发展概况 9- 116
二典型电路介绍 9- 117
四、pin管微波移相器 7- 117
第五章功率晶体管 2- 117
§8.5.2编码器 8- 117
一、全BCD优先编码器 8- 118
§2.6.1晶体管的开关特性 2- 118
第六章开关晶体管 2- 118
三、红外光电探测器 4- 118
一、多模光纤微弯传感器 6- 118
§6.8.6光强调制型光纤传感器 6- 118
§6.8.7相位调制型光纤传感器 6- 119
二、放射线导致色心传感器 6- 119
§2.6.2开关晶体管的参数及其规 119
范表 2- 119
二、二进制优先编码器 8- 119
二、MC6850异步通信接口适配器 10- 119
二、散射参数 7- 120
三、MC 6852同步串行数据适配器 10- 120
第八章硅微波双极晶体管 7- 120
§7.8.1硅微波低噪声双极晶体 120
管 7- 120
一、硅微波低噪声双极晶体管等效电路 7- 120
四、8273可编程HDLC/SDLC协议控 121
制器 10- 121
三、国产集成高、中频电路与国外对照 9- 121
要性能 9- 121
三、混合集成电路在稳压电源中的应用 1- 121
第六章移位寄存器 8- 121
§8.6.1静态移位寄存器 8- 121
一、串入并出移位寄存器 8- 121
四、国产集成高、中频放大电路主 121
应用举例 3- 121
一、功率双极晶体管的应用特点 3- 121
二、功率双极晶体管的应用举例 3- 121
§3.3.5功率晶体管的应用特点和 121
三、特征频率fT 7- 121
四、最大可用功率增益MAG 7- 122
§2.6.3开关晶体管的应用 2- 122
四、混合集成电路在运算放大器中的应用 1- 122
四、其他形式的红外探测器 4- 122
六、噪声特性 7- 122
率fmax 7- 122
五、单向功率增益U和最高振荡频 122
二、红外摄像管 4- 123
一、红外变像管 4- 123
五、Z80-SIO控制器 10- 123
§4.10.3红外成像器件 4- 123
五、国外集成高、中频放大电路主要产品对照 9- 123
七、寄生现象 7- 123
八、硅微波低噪声晶体管的分类及典型性能 7- 123
五、混合集成电路在发光二极管驱动电路中的应用 1- 123
一、光纤温度传感器 6- 124
§6.8.8偏振调制型光纤传感器 6- 124
第七章低噪声晶体管 2- 124
§2.7.1晶体管的噪声特性 2- 124
二、光纤电压传感器 6- 124
§6.8.9光纤传感器的应用与发 124
展 6- 124
二、串入串出移位寄存器 8- 124
六、国外集成高、中频放大电路主 124
要性能 9- 124
一、晶体管的噪声源 2- 124
三、红外电荷耦合成像器件 4- 124
一、电磁继电器的工作原理和特性 3- 124
性 3- 124
§3.4.1继电器的工作原理和特 124
第四章继电器 3- 124
二、晶体管的噪声系数 2- 125
应用 1- 125
§4.10.4红外器件应用简介 4- 125
一、红外加热 4- 125
六、混合集成电路在D/A和A/D中的 125
二、红外测温 4- 125
二、热敏干簧继电器的工作原理和特性 3- 125
三、固态继电器（SSR）的工作原理和特性 3- 125
三、并入／串出移位寄存器 8- 125
一、开关式解调器的工作原理 9- 125
§9.4.2立体声解调电路 9- 125
二、低噪声晶体管的结构及其设计特点 2- 126
§1.3.3厚、薄膜集成电路的发展 126
动态 1- 126
一、设计思想的新创新 1- 126
一、8253/8254可编程定时器 10- 126
§10.3.5定时器电路 10- 126
二、线圈式解调器工作原理 9- 126
§2.7.3低噪声晶体管的应用 2- 126
一、超高频低噪声管的参数指标 2- 126
参数规范 2- 126
§2.7.2低噪声晶体管结构特点与 126
三、红外自动报警和导引 4- 126
一、电子设备用继电器型号命名方法 3- 127
第九章气敏传感器 6- 127
§6.9.1 概述 6- 127
四、红外夜视及热成像 4- 127
五、红外光谱学 4- 127
§3.4.2继电器主要产品技术参 127
四、并入／并出移位寄存器 8- 127
三、薄膜电路发展动向 1- 127
二、厚膜电路发展动向 1- 127
数 3- 127
四、混合集成电路的技术趋势 1- 128
三、Z80-CTC定时器 10- 128
二、MC6840可编程定时器 10- 128
三、PLL式解调器 9- 128
六、红外器件在光通信中的应用 4- 128
一、电阻式气敏元件 6- 128
§6.9.2半导体气敏传感器 6- 128
二、微型直流密封电磁继电器 3- 130
九、硅微波低噪声晶体管的典型应用 7- 130
第四章电声器件 1- 130
一、8257可编程DMA控制器 10- 131
§10.3.6输入／输出控制器 10- 131
§1.4.1扬声器 1- 131
一、概述 1- 131
二、8237 A高性能可编程DMA控制 132
器 10- 132
的理论和途径 7- 132
§7.8.2硅微波功率双极晶体管 7- 132
五、可编程移位寄存器 8- 132
第八章绝缘栅场效应晶体管 2- 132
§2.8.1场效应晶体管的分类、特 132
点 2- 132
四、线圈式解调器与PLL式解调器的 132
性能比较 9- 132
五、国产集成立体声解调器与国外对 132
照 9- 132
能 9- 133
对照 9- 133
七、国外集成立体声解码器主要产品 133
三、微波功率晶体管的电流容量 7- 133
六、国产集成立体声解码器主要性 133
§2.8.2 MOS晶体管工作原理和输 133
出特性 2- 133
二、微波功率晶体管的功率与频率的理论极限 7- 133
三、超小型和小型直流密封电磁继电器 3- 133
三、MC 6844 DMA控制器 10- 134
四、T系列热过载继电器 3- 134
二、各种扬声器 1- 134
§8.6.2动态移位寄存器 8- 134
四、微波功率晶体管的图形结构 7- 134
§9.4.3前置放大电路 9- 135
四、Z80-DMA控制器 10- 135
五、8259A可编程中断控制器 10- 135
一、读写存储器（RAM） 8- 135
§8.6.3半导体存储器 8- 135
八、国外集成立体声解码器主要性能 9- 135
一、录音机前置放大器 9- 136
范 2- 136
§2.8.3 M0S晶体管的参数及其规 136
一、8279可编程键盘显示接口 10- 137
§10.3.7键盘与显示器接口 10- 137
二、只读存储器（ROM） 8- 138
五、K系列中间继电器 3- 138
§2.8.4特种场效应晶体管 2- 139
§2.8.5 MOS场效应晶体管的应 139
用 2- 139
六、热敏干簧继电器 3- 139
七、固态继电器 3- 139
二、通用前置放大器 9- 140
三、耳机放大器 9- 140
四、适合前置放大器的运算放大器 9- 140
二、8275可编程CRT控制器 10- 140
第七章计数器 8- 141
§8.7.1异步计数器 8- 141
一、十进制（BCD）异步计数器 8- 141
五、国产集成前置放大器与国内外 141
对照 9- 141
性 2- 142
二、非电阻式气敏传感器 6- 142
六、国产集成前置放大器主要性能 9- 142
七、国外主要集成前置放大器对照 9- 142
§2.9.1结型场效应管的原理和特 142
第九章结型场效应晶体管 2- 142
三、MC 6845可编程CRT控制器 10- 142
二、二进制异步计数器 8- 143
范 2- 143
§2.9.2 JFET的主要参数及其规 143
一、模／数（A/D）转换器 10- 143
§10.3.8模拟接口 10- 143
六、微波功率晶体管的典型应用 7- 144
一、集成功率放大器的概况 9- 144
五、微波功率晶体管的分类及性能 7- 144
§2.9.3 JFET的典型结构 2- 144
§9.4.4功率放大器 9- 144
八、国外主要集成前置放大器电参数 9- 144
三、可预置数十进制异步计数器 8- 144
二、典型产品工作原理 9- 145
§6.9.3电解质（电化学式）气敏传 145
感器 6- 145
一、液体电解质气敏传感器 6- 145
一、十进制（BCD）同步计数器 8- 145
§8.7.2同步计数器 8- 145
四、可预置数二进制异步计数器 8- 145
二、数／模（D/A）转换器 10- 146
一、结型场效应晶体管使用注意事项及其符号 2- 147
二、JFET应用示例 2- 147
用 2- 147
一、PLD器件功能与分类 10- 147
§2.9.4结型场效应晶体管的应 147
§10.3.9可编程逻辑器件 10- 147
一、扬声器箱的结构类型 1- 147
§1.4.2扬声器系统和扬声器箱 1- 147
外产品的对照 9- 147
三、国产主要集成功率放大器与国 147
MESFET 7- 148
§7.9.1微波低噪声GaAs 148
第九章微波砷化镓场效应晶体管 7- 148
二、通用阵列逻辑器件GAL 10- 148
二、固体电解质气敏传感器 6- 148
一、GaAs MESFET的工作原理 7- 148
二、二进制同步计数器 8- 149
四、国产功率放大电路主要电参数 9- 149
三、可预置可逆计数器 8- 149
二、组合扬声器的分频器 1- 150
换对照表 9- 150
二、中外晶体管置换参考表 2- 150
五、国外主要集成功率放大电路互 150
第十章晶体管的置换 2- 150
一、中外晶体管的置换原则和注意 150
事项 2- 150
§6.9.4接触燃烧式气敏传感器 6- 151
一、微机应用系统结构 10- 151
第四章微型计算机系统开发与应用10- 151
三、部分中外晶体管型号对照表 2- 151
§10.4.1微机应用系统的组成 10- 151
§6.9.5热导率变化式气敏传感 152
器 6- 152
二、微机应用系统实例 10- 152
第五章可编程序控制器 3- 152
一、GPU 3- 152
§3.5.1 PC的硬件及其功能 3- 152
二、GaAs MESFET的噪声 7- 152
三、GaAsMESFET的微波参数 7- 153
§6.9.6红外线吸收式气敏传感 153
二、存贮器 3- 153
器 6- 153
三、I/O模板 3- 153
四、编程器 3- 153
§3.5.2 PC的软件 3- 153
四、微波低噪声GaAs FET的分类及 154
§8.7.3纹波计数器 8- 154
一、通用的二进制计数／分频器 8- 154
典型性能 7- 154
一、微机应用系统的开发过程 10- 154
§6.9.7压电式气敏传感器 6- 154
§10.4.2微机应用系统的开发 10- 154
§3.5.3 PC的基本工作原理 3- 154
三、扬声器系统概述 1- 154
一、KK系列PC 3- 155
§6.9.8气敏传感器的应用 6- 155
§3.5.4 PC产品简介 3- 155
六、国外集成功率放大器主要性能参数9- 155
二、可编程计时器 8- 156
二、编程、调试与仿真 10- 156
四、扬声器系统和组合音箱系列 1- 156
§9.4.5单片收音机和录音机集 157
二、AGMY-S256 PC 3- 157
成电路 9- 157
一、单片收音机集成电路 9- 157
三、微机开发系统 10- 157
三、东芝EX系列PC 3- 158
二、单片机的常用开发工具 10- 158
§10.4.3单片微机的开发 10- 158
一、单片机的软件开发过程 10- 158
第十章湿敏传感器 6- 159
四、三菱MELSEC F系列PC 3- 159
述 6- 159
§6.10.1湿度及湿敏传感器概 159
§6.10.2 电解质湿敏传感器 6- 160
二、单片录音机集成电路 9- 160
三、单片机应用系统实例 10- 160
一、LiCI湿敏元件 6- 160
§8.7.4其他计数器 8- 160
一、实时扫描输出计数器 8- 160
二、固体高分子电解质湿敏元件 6- 162
二、环形计数器／分配器 8- 162
路与国外对照表 9- 163
三、国产单片收音机和录音机集成电 163
五、立石电机（OMRON）PC控制器简介3- 163
四、国产单片收音机和录音机集成电 163
路主要性能 9- 163
六、国外单片收音机和录音机电路主 164
§7.9.2微波功率GaAsFET 7- 164
二、全加器 8- 164
一、异或门 8- 164
§8.8.1加法器 8- 164
五、国外单片收音机和录音机电路对 164
照 9- 164
第八章运算器 8- 164
一、电阻式湿敏元件 6- 164
器 6- 164
要参数 7- 164
一、功率GaAs FET的伏—安特性及主 164
§6.10.3介电高分子湿敏传感 164
要性能 9- 164
二、电容式湿敏元件 6- 165
及其有关参数 7- 165
二、功率GaAs FET的大信号等效电路 165
§9.4.6特殊功能电路 9- 165
一、显示驱动电路 9- 165
器 6- 166
论和技术关键 7- 166
三、提高功率GaAs FET微波性能的理 166
§6.10.4金属氧化物湿敏传感 166
一、金属氧化物膜湿敏元件 6- 166
六、西门子SLMATIC S5-U系列PC 3- 167
二、录音机伺服电路 9- 167
第六章步进电动机和伺服电动机 3- 169
§3.6.1反应式步进电动机的结构 169
和工作原理 3- 169
§8.8.2算术逻辑单元 8- 169
三、自动选曲电路 9- 169
二、金属氧化物陶瓷湿敏元件 6- 169
一、算术逻辑单元／函数产生器 8- 170
工作原理 3- 170
§3.6.2永磁式步进电动机的结构和 170
四、降噪电路 9- 171
§3.6.3永磁感应子式步进电动机 171
的结构和工作原理 3- 171
§3.6.6步进电动机和伺服电动机 172
工作原理 3- 172
§3.6.5直流伺服电动机的结构和 172
工作原理 3- 172
§3.6.4交流伺服电动机的结构和 172
的主要产品技术参数 3- 172
一、步进电动机 3- 172
二、超前进位产生器 8- 172
能 7- 173
四、功率GaAs FET的分类及典型性 173
§1.4.3立体声耳机 1- 174
一、概述 1- 174
§9.4.7国内外各类收录机所用 174
音响集成电路配套 9- 174
一、BCD系数乘法器 8- 174
§8.8.3乘法器 8- 174
二、硅烧结型湿敏元件 6- 174
一、锗、硒薄膜湿敏元件 6- 174
器 6- 174
§6.10.5元素半导体湿敏传感 174
器 6- 175
二、立体声耳机系列 1- 175
§6.10.6热敏电阻式湿敏传感 175
二、伺服电动机 3- 176
§6.10.8微波吸收式湿敏传感 176
§6.10.7红外线吸收式湿敏传感 176
器 6- 176
器 6- 176
二、二进制系数乘法器 8- 177
§6.10.9压电式湿敏传感器 6- 177
§6.10.10湿敏传感器的应用 6- 177
一、异或非门（同或门） 8- 178
§8.8.4量值比较器 8- 178
二、4位数值比较器 8- 179
第十章砷化镓微波单片集成电 179
路 7- 179
§7.10.1 GaAs MMIC的设计 7- 179
一、一般设计考虑 7- 179
二、传输模 7- 180
三、集总元件的设计原则 7- 180
§1.4.4传声器 1- 180
一、概述 1- 180
第十一章离子传感器 6- 181
§6.11.1概述 6- 181
§8.8.5奇偶产生器／校验器 8- 181
感器 6- 182
§6.11.2离子选择电极式离子传 182
第五章电视机集成电路 9- 183
§9.5.1图像中频通道集成电路 9- 183
二、各种传声器 1- 183
第九章其他电路 8- 184
四、分布参数元件 7- 184
一、典型电路工作原理介绍 9- 184
§8.9.1时基电路（定时器） 8- 184
§6.11.3 ISFET式离子传感器 6- 185
一、ISFET的构成原理及应用测定 185
电路 6- 185
§8.9.2锁相环 8- 186
五、平面GaAs肖特基二极管 7- 186
六、较低频段的GaAs单片电路技 186
术 7- 186
二、ISFET的主要类别及典型构造 6- 186
三、各种ISFET的特性 6- 186
例 7- 188
§7.10.2 GaAs微波单片IC实 188
四、ISFET的进展 6- 188
五、ISFET的应用 6- 189
§8.9.3单片频率计数器 8- 190
第十二章生物传感器 6- 192
§6.12.1概述 6- 192
§8.9.4数字钟表电路 8- 192
一、酶传感器 6- 193
§6.12.2电极式生物传感器 6- 193
§1.4.5拾音器 1- 194
一、概述 1- 194
二、立体声拾音器 1- 194
二、国产图像中频集成电路与国内外 194
对照表 9- 194
三、国产图像中频集成电路主要性能 9- 195
四、国外图像中频集成电路主要产品功能 9- 195
§8.10.1系列器件按序号排列检 196
二、微生物传感器 6- 196
索表、图 8- 196
三、免疫传感器 6- 196
索表 8- 196
第十章数字集成电路系列品种检 196
一、54/74系列TTL集成电路（按序号）检索表 8- 196
三、几种名牌立体声拾音器的特性 1- 196
第十一章高电子迁移率晶体管 7- 197
五、国外图像中频集成电路主要产 197
品的电气性能 9- 197
作原理和器件物理 7- 197
§7.11.1 HEMT的基本结构、工 197
器 6- 198
§6.12.3半导体FET式生物传感 198
理 9- 198
一、典型伴音通道集成电路工作原 198
§9.5.2伴音通道集成电路 9- 198
§1.4.6磁带 1- 200
§6.12.4生物传感器的应用 6- 200
一、概述 1- 200
表 8- 200
二、CMOS集成电路（按序号）检索 200
§7.11.2 HEMT的I-V特性 7- 201
§7.11.3 HEMT的关键参数及其 202
三、ECL集成电路（按序号）检索表 8- 202
影响因素 7- 202
第十三章传感器系统 6- 203
传感器 6- 203
§6.13.1概述 6- 203
§6.13.2过程工业的测量与控制 203
性 7- 203
一、54/74系列TTL集成电路（按功能）检索表 8- 203
§7.11.4 HEMT的噪声和增益特 203
索表 8- 203
§8.10.2系列器件按功能排列检 203
§7.11.5 HEMT的典型应用实 204
例 7- 204
§6.13.3安全防灾传感器 6- 206
二、国产伴音集成电路与国内外对照表9- 206
§ 7.12.1 HBT的基本原理 7- 207
二、各种磁带 1- 207
第十二章异质结双极晶体管 7- 207
三、国产伴音中放集成电路主要电气性能 9- 207
四、国外伴音中放集成电路功能特性 9- 208
§7.12.2异质结的类型 7- 208
表 8- 208
二、CMOS集成电路（按功能）检索 208
§6.13.4汽车传感器 6- 209
五、国外伴音中放集成电路主要产品电气性能 9- 209
§ 7.12.3 HBT的设计理论 7- 210
§9.5.3行场扫描集成电路 9- 210
三、ECL集成电路（按功能）检索表 8- 210
三、磁带系列 1- 210
§8.10.3系列器件功能表 8- 211
一、54/74系列TTL集成电路（按序号）功能表 8- 211
一、典型行场扫描集成电路工作原 211
理 9- 211
§6.13.5家用电器传感器 6- 212
传声器 1- 224
二、国产行场扫描集成电路与国内 224
外对照表 9- 224
§1.4.7磁头 1- 224
一、概述 1- 224
§1.5.3传声器的发展动态和新型 224
气性能 9- 225
三、国产行场扫描集成电路主要电 225
四、国外行场扫描集成电路功能特性 9- 226
五、国外行场扫描集成电路主要产 227
二、各种磁头 1- 227
品电气性能 9- 227
§9.5.4彩色解码集成电路 9- 228
二、CMOS集成电路功能表 8- 230
三、录音机磁头系列 1- 230
一、典型彩色解码集成电路介绍 9- 231
三、ECL集成电路（按序号）功能表 8- 235
发展动态 1- 242
§1.5.1扬声器的发展动态 1- 242
第五章新型电声器件和电声器件的 242
一、54/74系列TTL集成电路引出线 244
排列图 8- 244
§8.10.4系列器件引出线功能端 244
功能端排列图（按序号） 8- 244
§1.5.2耳机发展动态 1- 244
§1.5.4声频技术发展动态 1- 247
§1.5.5电视唱片和CD（激光）唱 249
片 1- 249
一、电视唱片 I- 249
二、CD（激光）唱片 1- 252
§1.5.6录像磁带 1- 255
一、录像磁带的种类和应用 1- 255
二、录像磁带的结构和特性 1- 255
三、录像磁带的使用 1- 256
二、国产彩色解码集成电路与国内外 257
对照表 9- 257
三、国产彩色解码集成电路主要电 258
气性能 9- 258
四、各种录像磁带系列 1- 258
图（按序号） 8- 260
二、CMOS集成电路引出线功能端排列 260
要功能 9- 260
四、国外彩色解调系统集成电路主 260
五、国外彩色解调集成电路互换表 9- 262
…、节目预选用集成电路 9- 264
§9.5.5节目预选、稳压及其他 264
集成电路 9- 264
二、视频磁头组件 1- 265
图（按序号） 8- 265
三、ECL集成电路引出线功能端排列 265
§1.5.7录像机磁头 1- 265
一、录像磁头的特点 1- 265
二、稳压电源集成电路 9- 267
第六章电感线圈和变压器 1- 269
§1.6.1电感线圈 1- 269
一、概述 1- 269
三、国内外主要电子选台和稳压电 269
源产品 9- 269
集成电路配套 9- 270
§9.5.6国产、进口黑白、彩电 270
二、常用线圈 1- 271
三、线圈电感量的计算 1- 275
一、概述 1- 276
§1.6.2变压器 1- 276
第六章录放像机、摄像机集成电 277
§9.6.1录放像机视频记录系统 9- 277
路 9- 277
一、CX867自动增益（AGC）控制电 277
路 9- 277
二、CX 868钳位电路 9- 278
三、CX 864频率调制器 9- 278
四、CX 869自动色度控制（ACC）电路 9- 279
二、电源变压器 1- 279
五、CX 882色度降频电路 9- 280
六、CX 862记录放大电路 9- 280
§9.6.2录放像机视频重放系 281
三、音频变压器 1- 281
统 9- 281
一、CX862 CX 134A磁头预放器 9- 282
二、CX864失落补偿器和解调器 9- 282
四、中频变压器 1- 283
三、CX 135解调和去加重电路 9- 283
四、CX 868杂波消除电路 9- 284
五、脉冰变压器 1- 285
五、CX869、CX 984重放自动色度 285
控制（ACC）电路 9- 285
§9.6.3录放像机的机械控制系统、 286
伺服系统用集成电路 9- 286
一、MN 15342微处理器集成电路 9- 287
二、AN 6914键控脉冲整形，湿露检知集成电路 9- 289
一、线圈和变压器的发展动态 1- 289
及其新型元件 1- 289
§1.6.3线圈、变压器的发展动态 289
成电路 9- 290
三、BA 6209装带和上带电机驱动集 290
成电路 9- 291
形、转速及误差电压增益控制集 291
四、AN6359 N主导轴伺服分频、整 291
二、片状电感线圈 1- 291
三、陶瓷滤波器 1- 292
五、MN 6168主导轴伺服鉴相、相位比较、速度误差比较、CTL脉冲产生集成电路 9- 292
四、声表面波滤波器（SAW） 1- 293
六、AN 6356伺服系统记录／重放CTL输出、重放跟踪调整、磁头场脉冲产生集成电路 9- 293
七、AN 3822主导轴电机驱动及伺服… 控制集成电路 9- 294
八、AN 6387鼓电机驱动及伺服控制、鼓FG信号、鼓PG信号产生集成电路 9- 295
§1.6.4线圈和变压器系歹 1- 295
九、μPC 358C主导轴FG信号放大 296
集成电路 9- 296
成电路 9- 297
十、BA 6309模拟场同步信号产生集 297
§9.6.4录放像机中其他集成电 298
路 9- 298
一、TA 7355P音频磁头重放／记录通 298
道切换集成电路 9- 298
二、μPC 1514音频记录／重放通道 299
集成电路 9- 299
五、摄像机前置放大电路 9- 300
三、BA 7004视频测试信号产生集成 300
电路 9- 300
四、μPC1507C、TA 7673P射频调 300
制集成电路 9- 300
五、MN 1450 BVFZ工作状态显示控 301
制集成电路 9- 301
六、MN 1451 BVK时间显示控制、 303
定时记录控制集成电路 9- 303
§9.6.5摄像机用集成电路 9- 304
一、摄像机预放器 9- 305
二、视频信号处理 9- 306
三、摄像机用彩色编码器 9- 307
四、摄像机用双平衡调制器 9- 308
§9.6.6国内外常用录放像机和 310
摄像机集成电路 9- 310
四、电吸收波导光电探测器 4109