第一章 硅的晶体结构 1
1.1 硅晶体结构的特点 1
1.2 晶向、晶面和堆积模型 3
1.3 硅晶体中的缺陷 8
1.4 硅中杂质 12
1.5 杂质在硅晶体中的溶解度 15
参考文献 17
第二章 氧化 18
2.1 SiO2的结构及性质 18
2.2 siO2的掩蔽作用 21
2.3 硅的热氧化生长动力学 24
2.4 决定氧化速率常数和影响氧化速率的各种因素 30
2.5 热氧化过程中的杂质再分布 37
2.6 初始氧化阶段以及薄氧化层的生长 41
2.7 si-SiO2界面特性 46
参考文献 51
第三章 扩散 55
3.1 杂质扩散机构 55
3.2 扩散系数与扩散方程 57
3.3 扩散杂质的分布 59
3.4 影响杂质分布的其他因素 63
3.5 扩散工艺 72
3.6 扩散工艺的发展 75
参考文献 76
第四章 离子注入 79
4.1 核碰撞和电子碰撞 80
4.2 注入离子在无定形靶中的分布 84
4.3 注入损伤 91
4.4 热退火 94
参考文献 99
第五章 物理气相淀积 101
5.1 真空蒸发法制备薄的基本原理 101
5.2 蒸发源 104
5.3 气体辉光放电 107
5.4 溅射 112
参考文献 121
第六章 化学气相淀积 122
6.1 CVD模型 122
6.2 化学气相淀积系统 128
6.3 CVD多晶硅的特性和淀积方法 134
6.4 CVD二氧化硅的特性和淀积方法 138
6.5 CVD氮化硅的特性及淀积方法 145
6.6 金属的化学气相淀积 149
参考文献 156
第七章 外延 159
7.1 硅气相外延的基本原理 160
7.2 外延层中的杂质分布 166
7.3 低压外延 170
7.4 选择外延 171
7.5 硅烷热分解法外延 173
7.6 SOS技术 174
7.7 分子束外延 175
7.8 层错、图形漂移及利用层错法测量厚度 177
7.9 外延层电阻率的测量 180
参考文献 182
第八章 光刻与刻蚀工艺 183
8.1 光刻工艺流程 184
8.2 分辨率 189
8.3 光刻胶的基本属性 191
8.4 多层光刻胶工艺 196
8.5 抗反射涂层工艺 199
8.6 紫外光曝光 201
8.7 掩模版的制造 207
8.8 X射线曝光 209
8.9 电子束直写式曝光 212
8.1 0ULSI对图形转移的要求 215
8.11 湿法腐蚀 216
8.12 干法刻蚀技术 218
8.13 刻蚀速率 225
参考文献 229
9.1 集成电路对金属化材料特性的要求 232
第九章 金属化与多层互连 232
9.2 铝在集成电路技术中的应用 235
9.3 铜及低K介质 242
9.4 多晶硅及硅化物 250
9.5 大规模集成电路与多层互连 260
参考文献 270
第十章 工艺集成 273
10.1 集成电路中的隔离 273
10.2 CMOS集成电路的工艺集成 277
10.3 双极集成电路的工艺集成 287
10.4 BiCMOS的工艺集成 292
参考文献 295
附录 297
附录1 常用金属元素材料及其电学特性 297
附录2 金属硅化物、金属合金的电学特性 297
附录3 常用的金属材料和合金的晶格结构参数 298
附录4 半导体材料的晶格结构参数 299
附录5 金属材料薄膜在硅衬底上的晶格常数失配因子 299
附录6 常用的半导体和绝缘介质的电学特性 300
附录7 铝、铜、金合金电阻率随杂质原子数比的变化率 300
附录8 物理常数 301
附录9 部分常用材料的性质 302
附录10 硅片鉴别方法（SEMI*303标准）缩略语及物理量 304