目录 1
序言 1
一、一次全扩散法基本原理及其工艺分析 1
1．一次全扩散法的基本原理 1
（1）杂质源 4
（2）扩散温度与时间的选择 6
（3）扩散杂质源的量 9
2．一次全扩散法提高元件特性的几个问题 11
（1）元件的高温特性 11
（2）元件的正向压降 16
（3）元件的反向电压 17
（4）氧化层对扩散结果的影响 17
（5）软特性现象 20
二、600安培可控硅一次全扩散法制造工艺 22
1．元件的单晶硅材料和结构参数的选择 22
2．工艺流程图 23
4．氧化 24
3．硅片清洁处理与腐蚀 24
5．单面喷黑胶，去氧化层 26
6．扩散 27
7．烧结 31
8．蒸发 33
9．表面造型及其处理 34
10．封装 35
1．600安培平板压接式水冷可控硅外貌 38
附：图表 38
2．600安培平板压接式可控硅水冷散热器结构图 39
3．杂质的最大固态溶解度 40
4．杂质在硅中的固态溶解度 41
5．硼、铝、镓、铟在硅中的扩散系数 42
6．磷、砷、锑在硅中的扩散系数 43
7．砷—硅相图 44
8．砷—锑相图 45
9．铝—硅相图 46
10．铝—镍相图 47