第一章 InGaAsP液相外延生长 1
Ⅰ．引言 3
Ⅱ．In-Ga-As-P相图和In-Ga-As相图 5
Ⅲ．晶格匹配的InGaAsP层和InGaAs层的生长 21
Ⅳ．无失配位错外延层的生长 29
Ⅴ．生长速率 40
Ⅵ．高纯外延层的生长 68
Ⅶ．生长的其它特点 81
Ⅷ．在(111)A取向的In0.53 Ga0.47As上直接生长InP 90
Ⅸ．结语 95
参考文献 96
第二章 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的分子束外延 104
Ⅰ．分子束外延的历史回顾 106
Ⅱ．分子束外延的基本过程 108
Ⅲ．生长设备 115
Ⅳ．在位表面检测技术 116
Ⅴ．衬底处理 127
Ⅵ．Ⅲ-V族化合物的生长条件 133
Ⅶ．单层的输运和光学性质 155
Ⅷ．量子阱结构的输运和光学性质 163
Ⅸ．MBE生长的Ⅲ-Ⅴ族半导体激光器 171
Ⅹ．新型激光器 181
Ⅺ．新型光探测器 209
Ⅻ．结语 219
参考文献 221
第三章 Ⅲ-Ⅴ族半导体的有机金属汽相外延生长 227
Ⅰ．引言 228
Ⅱ．生长过程 233
Ⅲ．典型材料和器件 266
Ⅳ．总结和展望 277
参考文献 279
第四章 InGaAsP和GaAs的卤化物和氯化物输运的汽相沉积 285
Ⅰ．引言 286
Ⅱ．卤化物输运 287
Ⅲ．热力学模型 295
Ⅳ．生长机理的讨论 317
Ⅴ．结语 321
附录 321
参考文献 324
第五章 GaxInι-xAsyPι-y合金的低压金属有机化学汽相沉积 326
Ⅰ．引言 328
Ⅱ．生长技术 331
Ⅲ．InP的生长与特性 335
Ⅳ．GaInAs的生长与特性 348
Ⅴ．GaInAsP的生长与特性 379
Ⅵ．结语 408
参考文献 410
第六章 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中的缺陷 415
Ⅰ．引言 416
Ⅱ．光电子材料中的固有缺陷和工艺过程中产生的缺陷 422
Ⅲ．位错的光学性质 429
Ⅳ．与退化有关的缺陷反应 433
Ⅴ．结语 439
参考文献 440