目录 1
第七章 RISC简介 1
CY7C60132位RISC处理器 8
CY7C602浮点单元 21
CY7C604高速缓存控制器和存储管理单元 29
CY7C605高速缓存控制器和存储器管理单元 46
CY7C61132-bitRISC控制器 64
第八章 全定制存储块性能 75
CYM122064K×4SRAM存储块 78
CYM1240256K×4SRAM存储块 79
CYM140032K×8SRAM存储块 80
CYM1420128K×8静态RAM存储块 82
CYM1421128K×8静态RAM存储块 83
CYM1422128K×8静态RAM存储块 85
CYM1423128K×8静态RAM存储块 90
CYM1441256K×8SRAM存储块 92
CYM1460512K×8静态RAM存储块 97
CYM1461512K×8静态RAM存储块 103
CYM1464512K×8SRAM存储块 109
CYM1540256K×9具有独立输入／输出口的缓冲存储块 110
CYM161016K×16静态RAM存储块 115
CYM161116K×16静态RAM存储块 117
CYM162064K×16静态RAM存储块 124
CYM162164K×16静态RAM存储块 126
CYM162264K×16SRAM存储块 132
CYM162364K×16SRAM存储块 137
CYM162464K×16SRAM存储块 139
CYM1641256K×16静态SRAM存储块 144
CYM172032K×21SRAM存储块 149
CYM182116K×32静态SRAM存储块 154
CYM182216K×32独立输入／输出口的静态SRAM存储块 161
CYM183064K×32静态SRAM存储块 169
CYM183164K×32静态SRAM存储块 175
CYM1841256K×32静态RAM存储块 180
CYM191016K×68SRAM存储块 187
CYM191116K×68SRAM存储块 192
CYM4210级联8K×9FIFO 199
CYM4220级联16K×9FIFO 201
第九章 ECL 203
CY10E301/CY100E301组合式ECL16P8可编程逻辑器 203
CY10E302/CY100E302组合式ECL可编程逻辑器件 208
CY10E422/CY100E422256×4ECL静态RAM 214
CY10E474/CY100E4741024×4ECL静态RAM 220
CY1E484/CY10E484/CY100E4844096×4ECL静态RAM 229
CYIE494/CY10E494/CY100E49416384×4ECL静态RAM 230
第十章 军用产品概述 237
第十一章 BridgeMOS 251
第十二章 设计和编辑工具 253
QuicKpro 253
CY3101PLDToolkit 256
CY3200PLDS-MAX+PLUS设计系统 258
CY3300QuicKproⅡ 262
第十三章 质量和可靠性 266
第十四章 封装 287