目录 1
第一章薄膜电阻网络的平面化设计 1
1.1薄膜电阻器的设计 1
1.1.1方电阻的概念和材料的选择 1
1.1.2薄膜电阻器的平面化设计 3
1.3平面化总体设计的一般规则 1 3
1.2薄膜导体的设计 11
1.3.1薄膜集成电路中电阻网络的平面化设计 13
1.3.2单列及双列直插式薄膜电阻网络的平面化设计 18
1.3.3薄膜衰减器的平面化设计 19
1.4电阻网络平面化设计布局举例 26
1.4.1薄膜电阻网络 26
1.4.2电阻四端网络（衰减器） 28
1.5薄膜电阻器的寄生效应 34
1.5.1串联电感 35
1.5.2串联电阻 35
1.5.3分流电阻 37
1.5.4分布电容 37
1.5.5集肤效应 38
2.1基片 40
第二章 薄膜材料与元件 40
2.1.1基片材料 41
2.1.2基片的表面性质 45
2.1.3基片的电气性质 46
2.1.4基片的热学性质与力学性质 48
2.1.5基片的化学稳定性 51
2.2薄膜导体材料 53
2.2.1对薄膜导体材料的要求 53
2.2.2铝膜导体材料 55
2.2.3金膜导体材料 56
2.2.4铜膜导体材料 58
2.2.5真空淀积复合膜导电带工艺 60
2.3薄膜电阻材料与元件 61
2.3.1 Ni-Cr薄膜电阻材料 61
2.3.2 Cr-SiO薄膜电阻材料 67
2.3.3钽膜电阻材料 72
第三章薄膜的力学性质 79
3.1薄膜的附着性能 79
3.2薄膜工艺对薄膜内应力的影响 87
3.3薄膜的机械强度 92
4.1光刻工艺 94
第四章光刻 94
4.2掩模制备 99
4.2.1金属掩模 99
4.2.2两次光刻法（套刻） 101
4.2.3金属掩模制备中应注意的几个问题 101
第五章真空镀膜技术 105
5.1真空技术的基础知识 105
5.1.1“真空”的一般概念 105
5.1.2真空的获得 107
5.2真空蒸发 107
5.2.1真空蒸发的理论基础 108
5.2.2真空蒸发设备 113
5.2.3蒸发源 115
5.2.4真空蒸发薄膜的厚度分布 118
5.3溅射 121
5.3.1溅射的基本理论及特点 121
5.3.2溅射技术与溅射装置 122
5.4成膜监控技术 128
5.4.1石英晶体监控法 129
5.4.2光学监控法 132
5.4.3电阻法 136
5.4.4淀积速率监控法 137
第六章薄膜电阻的调整 138
6.1激光调阻 138
6.2超声波调阻 140
6.3氧化调阻 141
6.4选切抽头带调阻 143
6.5改变膜层内部结构调阻 143
6.6其他调阻方法 144
7.1焊接 147
第七章薄膜电阻网络的焊接与封装 147
7.1.1钎焊 148
7.1.2压焊 154
7.1.3外引线与膜层的互连 160
7.2薄膜电阻网络的封装技术 164
7.2.1气密性封装 165
7.2.2非气密性封装 166
72.3常用的塑料封装材料及封装工艺 168
附录 薄膜电阻网络制造中的几种常用腐蚀液 171
参考文献 174