目录 1
1.1 印制线路板的发展经历 1
1.1.1摇篮期 1
1.1.2发展期 6
1.1.3多层板期 7
1.1.4积层多层板期 12
1.2 多层印制电路板的种类及结构 14
1.2.1 PCB和PWB 14
1.2.2 PCB的分类 15
1.2.3立体连接方式 18
1.2.4多层印制电路板的结构 18
1.3 多层印制电路板的电气特征 23
1.3.1导体电阻 24
1.3.2绝缘电阻 26
1.3.3特性阻抗及传输速度 28
1.3.4交调噪声 34
1.4 电镀通孔多层印制线路板 35
1.3.5电磁波屏蔽及其他特性 35
1.4.1电镀通孔工艺 36
1.4.2减成法 38
1.4.3加成法 41
1.4.4盲孔、埋孔层间连接 43
1.4.5顺次积层法 44
1.5积层多层印制线路板 45
1.5.1 电镀方式各种积层法的比较 47
1.5.2涂树脂铜箔方式 47
1.5.3热固性树脂方式 49
1.5.4感光性树脂方式 50
1.5.5其他采用电镀的积层方式 52
1.5.6采用导电浆料的积层方式 52
1.5.7一次积层工艺 55
1.5.8芯板及表面的平坦化 55
1.5.9多层间的连接方式 56
1.6 电子基板产业的发展战略 58
1.6.1电子基板产业发展的三个方面 58
1.6.2战略性开发的把握 59
1.6.3工艺性开发的把握 64
2.1电子封装的基本概念 68
2.1.1定义 68
第2章高密度电子封装 68
2.1.2范围 70
2.1.3功能 75
2.1.4分类 77
2.2 电子封装发展的驱动力及发展概况 89
2.2.1电子封装技术发展简介 89
2.2.2带动电子封装发展的第一个车轮——半导体芯片性能的不断提高 92
2.2.3 带动电子封装发展的第二个车轮——电子设备迅速轻、薄、短、小化 94
2.2.4电子封装技术领域中的两次重大变革 98
2.2.5 电子封装的发展动向及第三次重大变革 104
2.3 电子封装的技术课题 116
2.3.1信号的高速传输 116
2.3.2高效率冷却 117
2.4从电子封装技术到电子封装工程 118
2.4.1 电子封装技术的体系与范围 118
2.3.4防止电磁波干扰技术 118
2.3.3高密度化 118
2.4.2电子封装工程的主要课题 120
2.4.3电子封装材料 124
2.5多芯片组件（MCM） 124
2.5.1 MCM的历史、种类及其特征 124
2.5.2 MCM的制作工艺——以MCM-D为例 130
2.5.3 MCM的发展趋势 132
2.6.1 CSP的定义及特征 134
2.6 CSP——芯片级封装 134
2.6.2挠性基板μBGA 141
2.6.3 陶瓷封装基板LGA型CSP（C-CSP） 142
2.6.4薄膜型CSP 144
2.6.5少端子CSP——BCC 148
2.6.6 D2BGA型CSP 150
2.6.7叠片式CSP 152
2.6.8 Super CSP和MOST 155
2.6.9 CSP的最新进展及发展动向 160
2.6.10 CSP有待研究和开发的课题 168
2.7.1三维封装的分类 169
2.7.2封装叠层的三维封装 169
2.7三维封装 169
2.7.3芯片叠层的三维封装 171
2.7.4硅圆片叠层的三维封装 172
2.8半导体封装技术的发展趋势 173
2.8.1封装的作用及电子封装工程的地位 173
2.8.2半导体封装技术的现状及动向 175
2.8.3主要半导体封装技术的发展趋势 178
2.8.4今后的课题 183
3.1.1作为陶瓷基板应具备的条件 186
3.1陶瓷基板概论 186
第3章无机封装基板 186
3.1.2陶瓷基板的制作方法 188
3.1.3陶瓷基板的金属化 193
3.2各类陶瓷基板 195
3.2.1氧化铝基板 195
3.2.2莫来石基板 202
3.2.3氮化铝（AIN）基板 204
3.2.4碳化硅（SiC）基板 210
3.3低温共烧陶瓷（LTCC）多层基板 213
3.2.5氧化铍（BeO）基板 213
3.3.1LTCC基板应具有的性能 215
3.3.2玻璃陶瓷材料 216
3.3.3 LTCC的制作方法及烧结特征 219
3.3.4 LTCC多层基板的应用 224
3.3.5LTCC多层基板的发展动向 230
3.4其他类型的无机基板 232
3.4.1 LCD用玻璃基板 232
3.4.2 PDP用玻璃基板 233
3.5复合基板 235
3.5.1复合基板（Ⅰ）——功能复合 236
3.5.2复合基板（Ⅱ）——结构复合 240
3.5.3复合基板（Ⅲ）——材料复合 245
第4章高密度封装基板及其新课题 249
4.1 高密度封装基板在携带型电子产品中的应用 249
4.1.1在移动电话中的应用 250
4.1.2在笔记本电脑中的应用 268
4.1.3在携带型摄像机中的应用 273
4.2.1导体尺寸的微细化 282
4.2高密度多层基板中的精细工艺技术 282
4.2.2导体尺寸的精度化 285
4.2.3加工技术的精细化控制和自动化生产 286
4.2.4实用高密度封装基板举例 288
4.3高频基板材料 300
4.3.1高频PCB市场的新发展 300
4.3.2影响基板材料介电特性的主要因素 303
4.3.3高频用各类树脂基板材料的性能和特点 312
4.3.4高频基板材料的未来发展 320
4.4.1绿色基板问题的提出 321
4.4绿色基板材料 321
4.4.2聚合物阻燃机理及阻燃剂 323
4.4.3绿色CCL的开发思路和技术路线 331
4.4.4无卤化涂树脂铜箔和半固化片材料 335
4.5电子封装中的无铅化 338
4.5.1世界范围内电子封装无铅化趋势 338
4.5.2日本的无铅化现状 342
4.5.3无铅焊料及钎焊工艺 344
4.5.4导电胶连接技术 347
4.6.1纳米复合材料技术的迅速发展 350
4.5.5积极应对无铅化的发展形势 350
4.6纳米材料在封装基板中的应用 350
4.6.2在覆铜板制造技术中应用的发展趋势 351
4.6.3纳米高分子复合材料在性能上的提高 353
4.6.4中国台湾纳米材料在覆铜板中应用的研究成果 356
4.7 印制线路板制造技术10年内的发展预测 359
4.7.1对印制线路板制造技术的要求 359
4.7.2适应高密度封装、高速及高频信号的使用要求 360
4.7.3适应无卤化的要求 363
4.7.4适应埋入无源及有源器件的系统集成封装的要求 365
4.7.5适应搭载新功能器件的要求 367
4.7.6适应低价格的要求 368
4.7.7适应更短供货期的要求 369
第5章封装用一般有机基板材料 371
5.1有机封装基板材料的发展 371
5.1.1有机封装基板 371
5.1.2有机封装基板材料的发展特点 372
5.2.2主要性能要求 373
5.2对基板材料的主要性能要求 373
5.2.1与陶瓷材料相比的特点 373
5.2.3不同类型封装对基板材料性能需求的侧重点 374
5.3有机封装基板用基板材料的分类与主要标准 375
5.3.1概述 375
5.3.2有机封装基板用基材的分类 376
5.3.3 主要标准 378
5.4制造基板材料的主要原材料 393
5.4.1铜箔 393
5.4.2玻璃纤维布 402
5.4.3芳酰胺纤维无纺布 405
5.5一般环氧玻璃布基的基板材料 408
5.5.1概述 408
5.5.2制造用主要化工原材料 409
5.5.3制造中的工艺技术 415
5.5.4环氧玻璃布基半固化片 427
5.6高Tg、低α、低ε性树脂的基板材料 432
5.6.1聚酰亚胺树脂的基板材料 432
5.6.2 BT树脂的基板材料 440
5.6.3 PPE树脂的基板材料 452
第6章带载型封装用挠性基板材料 461
6.1 引言 461
6.2挠性覆铜箔聚酰亚胺薄膜基材 462
6.2.1挠性覆铜箔基材的产品结构 462
6.2.2聚酰亚胺薄膜 463
6.2.3有胶粘剂型与无胶粘剂型挠性覆铜箔板 468
6.3.2产品主要性能 477
6.3.1产品概述 477
6.3卷状环氧玻璃布基挠性覆铜箔板 477
6.4液晶聚合物覆铜箔板 479
6.4.1液晶聚合物将成为未来封装用新型基材 479
6.4.2 LCP的主要特性 480
第7章封装用积层多层板基材 486
7.1概述 486
7.1.1分类 486
7.1.2各类基材在制造BUM中的工艺过程 487
7.1.3经济性对比 487
7.1.4基材所用树脂 488
7.1.5绝缘层形成的工艺方法 490
7.2感光性绝缘材料 491
7.2.1基材特性 491
7.2.2产品形态 492
7.2.3产品品种与性能 493
7.2.4树脂体系及其性能保证 493
7.3热固性树脂材料 497
7.3.1基材特性 497
7.3.3树脂体系及其性能保证 498
7.3.2产品品种与性能 498
7.4附树脂铜箔基材 500
7.4.1基材特性 500
7.4.2与RCC相关的IPC标准 502
7.4.3产品品种与性能 504
第8章高密度互连多层板芯板制造技术 513
8.1机械钻微小孔技术 513
8.1.1机械钻微小孔面临着挑战 513
8.1.2机械钻微小孔的策略 513
8.1.3机械钻孔生产率与成本 518
8.2精细导线／间距技术 522
8.2.1薄或超薄铜箔基材的精细表面处理 522
8.2.2薄型抗蚀剂 529
8.2.3精细图形底片 537
8.2.4曝光与显影 541
8.2.5激光刻像技术 554
8.2.6蚀刻技术 556
8.2.7精细线宽／间距的AOI检测 563
8.3薄型化技术 564
8.3.1薄型多层板 565
8.3.2薄型基板材料 566
8.3.3薄型基板材料的处理技术 569
8.3.4卷式滚筒生产 571
8.4微小孔互连结构技术 572
8.4.1埋／盲孔互连结构 572
8.4.2在连接盘中设置导通孔和堵塞通孔 577
8.5孔化电镀技术 582
8.5.1直接电镀技术 582
8.5.2脉冲电镀技术 586
8.5.3全板电镀 594
8.6电气测试技术 595
8.6.1针床测试 596
8.6.2移动探针测试 600
8.6.3通用无夹具测试 606
8.6.4电子束测试 610
第9章高密度互连积层板制造技术 614
9.1制造工艺概况 614
9.1.1 BUM工艺的提出 615
9.1.2 BUM制造技术概述 620
9.1.3 BUM导通孔形成方法概述 621
9.2激光成孔 623
9.2.1 CO2激光烧蚀微小孔 624
9.2.2 UV激光蚀刻微小孔 632
9.3光致成孔 640
9.3.1液态感光绝缘树脂材料形成导通孔工艺 640
9.3.2干膜感光绝缘树脂材料形成导通孔工艺 646
9.3.3液态和干膜感光绝缘树脂材料的优点对比 648
9.4.1等离子体及应用 650
9.4等离子体成孔 650
9.4.2等离子体蚀刻导通孔工艺 651
9.4.3等离子体蚀刻微导通孔的控制与特点 654
9.5射流喷砂成孔 655
9.5.1射流喷砂法制造微小孔原理 655
9.5.2工艺、设备和材料 656
9.5.3结果与特点 659
9.6.1微孔孔化与电镀的特征 660
9.6 BUM的孔化与电镀 660
9.6.2微孔孔化电镀 661
9.6.3微盲孔的孔化与电镀效果 662
9.7 ALⅣH技术制造高密度互连的积层多层板 665
9.7.1无芯板的BUM 665
9.7.2 ALIVH的制造工艺 667
9.7.3 ALIVH的特性与发展 672
9.8 B2it技术制造高密度互连的积层多层板 674
9.8.1 B2it的制造工艺 674
9.8.2 B2it结构的BUM类型 676
9.8.3 B2it板的特点 677
9.8.4 B2it板的性能测试与评价 679
9.8.5结论 679
9.9高密度互连积层多层板的可靠性 680
9.9.1 BUM的微孔互连结构 680
9.9.2 BUM的可靠性测试 680
9.9.3 BUM可靠性的测试结果 682
9.10 PCB的平整度和表面涂敷技术 690
9.10.1 PCB平整度（或翘曲度） 691
9.10.2可焊性表面涂敷 695
第10章特性阻抗和集成元件板 711
10.1 PCB的特性阻抗高精度控制 711
10.1.1 PCB特性阻抗的提出 711
10.1.2 PCB中特性阻抗的设计 714
10.1.3特性阻抗对基板材料的要求 721
10.1.4PCB加工对Z0的影响 725
10.1.5特性阻抗值Z0的测试 735
10.2.1外部的电磁干扰 738
10.2电磁干扰和电磁兼容 738
10.2.2内部的电磁干扰 739
10.3集成元件印制板 741
10.3.1集成元件印制板的提出 742
10.3.2平面电阻（电容）材料与结构 742
10.3.3平面电阻的制造工艺 745
10.3.4平面电阻的可靠性 748
10.3.5集成元件印制板的优点与未来 751
10.4.1后SMT和后SoC封装技术 754
10.4元件全部埋入基板内部的系统集成封装 754
10.4.2电子元器件及封装的发展动向 756
10.4.3片式元件向陶瓷复合制品方向发展 758
10.4.4芯片硅基板上也能集成无源元件 760
10.4.5埋置元件的基板正推广到有机系统 761
10.4.6埋置有源及无源器件的系统集成封装基板已有产品问世 766
10.4.7需要解决的问题 768
附录A高密度多层基板技术常用缩略语 770
附录B常用计量单位（新旧）对照换算 793
参考文献 795