第一章 引言和概论 1
1.1 历史 1
1.2 肖特基势垒 3
1.3 电流电压特性 5
1.4 与p-n结的比较 10
1.5 电容效应 12
1.6 实际的接触 13
1.7 欧姆接触 15
1.8 目前状况 16
1.9 参考书目 16
第二章 肖特基势垒 19
2.1 预备知识：固体的一些表面性质 19
2.1.1 金属的功函数 19
2.1.2 半导体的功函数与电子亲和力 19
2.1.3 表面态 20
2.2 肖特基势垒的形成 21
2.2.1 肖特基-莫特理论 21
2.2.2 表面态的影响 26
2.3 势垒模型的一般分析 29
2.3.1 平带势垒高度 29
2.3.2 势垒高度对电场的依赖关系 33
2.3.3 p型半导体 34
2.3.4 势垒高度对偏压的依赖 36
2.3.5 电场穿透到金属中 37
2.4 镜象力引起的势垒高度降低 38
2.5 直接接触 42
2.6 势垒高度的测量方法 47
2.6.1 用J/V特性测量 47
2.6.2 用光电方法测量 49
2.6.3 用电容方法测量 49
2.7 腐蚀表面上势垒高度的测量 51
2.7.1 硅 51
2.7.2 锗 61
2.7.3 Ⅲ-Ⅴ族化合物 62
2.7.4 其他半导体 65
2.8 直接接触势垒高度的测量 66
2.8.1 硅 66
2.8.2 锗 70
2.8.3 Ⅲ-Ⅴ族化合物 70
2.8.4 其他半导体 71
2.9 讨论 71
2.9.1 一般讨论 71
2.9.2 解理表面 72
2.9.3 腐蚀表面 77
第三章 电流输运机理 80
3.1 导论 80
3.2 越过势垒的发射 81
3.2.1 两种基本机理 81
3.2.2 扩散理论 83
3.2.3 热发射理论 86
3.2.4 镜象力对电流-电压特性的影响 89
3.2.5 热发射-扩散理论的结合 92
3.2.6 “热电子”效应 94
3.2.7 热发射理论的修正 96
3.2.8 与实验结果的比较 98
3.3 穿越势垒的隧道效应 100
3.3.1 场和热场发射 100
3.3.2 欧姆接触 107
3.4 耗尽区中的复合 109
3.5 空穴注入 112
3.5.1 平面接触中空穴注入 112
3.5.2 点接触中空穴的注入 114
3.6 反向特性 115
3.6.1 势垒高度对电场的依赖关系 115
3.6.2 隧道效应的作用 117
3.6.3 耗尽区中电子空穴对的产生 124
3.7 瞬态效应 124
3.8 界面层的影响 126
3.9 “TO”效应 130
第四章 肖特基势垒电容 132
4.1 反向偏压下理想二极管的电容 132
4.1.1 一般情况 132
4.1.2 少数载流子可忽略的情况 136
4.1.3 少数载流子的影响 138
4.2 界面层的影响 141
4.3 非均匀施主分布 143
4.4 深陷阱的影响 147
4.4.1 反向偏压下深陷阱的被占据数 148
4.4.2 陷阱对电容的影响 152
4.4.3 瞬态测量 158
4.4.4 光照的影响 162
4.5 正向偏压下的电容 164
4.5.1 扩散电容 164
4.5.2 陷阱的影响 165
第五章 实际接触 168
5.1 制备方法 168
5.1.1 点接触 168
5.1.2 蒸发接触 168
5.1.3 溅射接触 170
5.1.4 化学沉积 171
5.2 热处理的影响 172
5.3 硅 178
5.3.1 反应动力学 179
5.3.2 势垒高度 182
5.4 势垒高度的控制 183
5.5 欧姆接触 185
附录A 耗尽层近似 189
附录B 肖特基势垒中电场的精确分析 192
附录C 肖特基势垒与p-n结的比较 195
参考文献 201