《微电子学 上》PDF下载

  • 购买积分:16 如何计算积分?
  • 作  者:米尔门(Millman,J)著;苏炎坤译
  • 出 版 社:复文书局
  • 出版年份:1984
  • ISBN:
  • 页数:516 页
图书介绍:

第一部分 半导体元件之特性(Semiconductor Device Characteristics) 1

第一章 半导体(Semiconductors) 1

1-1 荷电粒子 1

1-2 电场强度与电位能 2

1-3 能量之eV单位 6

1-4 迁移率与导电系数 7

1-5 本质半导体中之电子与电洞 11

1-6 施体与受体杂质 15

1-7 半导体之电荷密度 17

1-8 锗与矽之电性质 19

1-9 霍尔效应 22

1-10 热阻器与热敏器 24

1-11 扩散 25

1-12 渐变半导体内之电压变化 27

1-13 摘要 29

参考资料 30

复习题 31

第二章 接面二极体特性(Junction-Diode Characteristics) 33

2-1 断路P-N接面 33

2-2 作为整流器用P-N接面 36

2-3 伏特-安培特性曲线 40

2-4 V/I特性曲线之温度关系 44

2-5 二极体电阻 45

2-6 空间电荷电容,或过度电容 47

2-7 二极体之少数载体储存 52

2-8 扩散电容 56

2-9 崩溃二极体 57

2-10 作为电路元件之二极体 60

2 11 负载线之观念 62

2-12 二极体之分段线性模型 63

2-13 接面二极体之交换时间 66

参考资料 69

复习题 69

3-1 接面电晶体 72

第三章 双极性电晶体之特性(Bipolar Transistor Characteristics) 72

3-2 电晶体之电流成分 75

3-3 电晶体作放大器用 79

3-4 电晶体构造 80

3-5 共基极组态 82

3-6 共射极组态 86

3-7 共射极之截止电流 92

3-8 共射极饱和区 94

3-9 典型电晶体-接面电压值 98

3-10 共射极电流增益 102

3-11 操作之反模式 104

3-12 电晶体之额定值 104

3-13 其他电晶体特性 108

3-14 电晶体转换时间 108

参考资料 112

复习题 113

4-1 积体电路(微电子)技术 117

第四章 积体电路:制造与特性(Integrated Circuits:Fabrication and Characteristics) 117

4-2 基本之单石积体电路 120

4-3 磊晶生长 125

4-4 面罩与蚀刻 126

4-5 杂质扩散 128

4-6 单石电路之电晶体 129

4-7 单石二极体 134

4-8 金属-半导体接触 137

4-9 积体电阻器 139

4-10 积体电容器 144

4-11 积体元件之特性 145

4-12 单石电路设计图 146

4-13 其他之隔离法 150

参考资料 151

复习题 152

第二部分 数位电路与系统(Digital Circuits and Systems) 155

第五章 数位电路(Digital Circuits) 155

5-1 系统之数位(二进位操作) 155

5-2 OR闸 158

5-3 AND闸 161

5-4 NOT(反相器)电路 164

5-5 禁止(授权操作) 168

5-6 EXCLUSIVE-OR电路 169

5-7 第莫根定律 172

5-8 NAND与NOR二极体电晶体逻辑(DTL)闸 174

5-9 修正之(积体电路)DTL闸 179

5-10 高临限逻辑(HTL)闸 185

5-11 电晶体-电晶体逻辑 186

5-12 输出级 190

5-13 电阻电晶体逻辑(RTL)与直接耦合电晶体逻辑(DCTL) 194

5-14 射极耦合逻辑 199

5-15 逻辑族之比较 207

参考资料 211

复习题 212

6-1 标准闸之组合 216

第六章 组合数位系统(Combinational Digital Systems) 216

6-2 二进位加法器 220

6-3 算数函数 228

6-4 数位比较器 231

6-5 同位核对器/产生器 235

6-6 解码器/解复器 237

6-7 资讯选择器/复合器 243

6-8 编码器 247

6-9 仅读记忆(ROM) 254

6-10 ROM,二维空间之位址 258

6-11 ROM之应用 261

参考资料 266

复习题 267

第七章 序向数位系统(Sequential Digital Systems) 270

7-1 1数元记忆 270

7-2 时序S-R正反电路 274

7-3 J-K型,T型及D型正反电路 276

7-4 移位置数器 283

7-5 涟波(不同步)计数器 291

7-6 同步计数器 297

7-7 计数器之应用 302

参考资料 305

复习题 306

第八章 场效电晶体(Field-Effect Transistors) 309

8-1 接面场效电晶体 310

8-2 JFET之伏特-安培特性曲线 312

8-3 JFET之制造 317

8-4 增强型金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET) 319

8-5 空乏型MOSFET 326

8-6 技术之改进 327

8-7 MOSFET反相器 333

8-8 MOSFET逻辑闸 341

8-9 互补式MOSFETs 345

参考资料 351

复习题 352

9-1 动态MOS移位置数器 355

第九章 大型积体电路系统(Large-Scale Integration Systems) 355

9-2 无比率移位置数器级 360

9-3 MOS仅读记忆器 364

9-4 可抹除规划程式之仅读记忆器 367

9-5 方程式计划之逻辑排列(PLA) 373

9-6 随机出入记忆装置(RAM) 376

9-7 读/写记忆单元 382

9-8 电荷耦合元件(CCD) 390

9-9 CCD的构造 395

9-10 CCD记忆组成 402

9-11 微处理机与微计算机 407

9-12 积体入射逻辑(I2L) 411

9-13 入射逻辑电路 417

参考资料 422

复习题 426

习题 431

部份习题解答 511