第一部分 半导体元件之特性（Semiconductor Device Characteristics） 1
第一章 半导体（Semiconductors） 1
1-1 荷电粒子 1
1-2 电场强度与电位能 2
1-3 能量之eV单位 6
1-4 迁移率与导电系数 7
1-5 本质半导体中之电子与电洞 11
1-6 施体与受体杂质 15
1-7 半导体之电荷密度 17
1-8 锗与矽之电性质 19
1-9 霍尔效应 22
1-10 热阻器与热敏器 24
1-11 扩散 25
1-12 渐变半导体内之电压变化 27
1-13 摘要 29
参考资料 30
复习题 31
第二章 接面二极体特性（Junction-Diode Characteristics） 33
2-1 断路P-N接面 33
2-2 作为整流器用P-N接面 36
2-3 伏特－安培特性曲线 40
2-4 V/I特性曲线之温度关系 44
2-5 二极体电阻 45
2-6 空间电荷电容，或过度电容 47
2-7 二极体之少数载体储存 52
2-8 扩散电容 56
2-9 崩溃二极体 57
2-10 作为电路元件之二极体 60
2 11 负载线之观念 62
2-12 二极体之分段线性模型 63
2-13 接面二极体之交换时间 66
参考资料 69
复习题 69
3-1 接面电晶体 72
第三章 双极性电晶体之特性（Bipolar Transistor Characteristics） 72
3-2 电晶体之电流成分 75
3-3 电晶体作放大器用 79
3-4 电晶体构造 80
3-5 共基极组态 82
3-6 共射极组态 86
3-7 共射极之截止电流 92
3-8 共射极饱和区 94
3-9 典型电晶体－接面电压值 98
3-10 共射极电流增益 102
3-11 操作之反模式 104
3-12 电晶体之额定值 104
3-13 其他电晶体特性 108
3-14 电晶体转换时间 108
参考资料 112
复习题 113
4-1 积体电路（微电子）技术 117
第四章 积体电路：制造与特性（Integrated Circuits:Fabrication and Characteristics） 117
4-2 基本之单石积体电路 120
4-3 磊晶生长 125
4-4 面罩与蚀刻 126
4-5 杂质扩散 128
4-6 单石电路之电晶体 129
4-7 单石二极体 134
4-8 金属－半导体接触 137
4-9 积体电阻器 139
4-10 积体电容器 144
4-11 积体元件之特性 145
4-12 单石电路设计图 146
4-13 其他之隔离法 150
参考资料 151
复习题 152
第二部分 数位电路与系统（Digital Circuits and Systems） 155
第五章 数位电路（Digital Circuits） 155
5-1 系统之数位（二进位操作） 155
5-2 OR闸 158
5-3 AND闸 161
5-4 NOT（反相器）电路 164
5-5 禁止（授权操作） 168
5-6 EXCLUSIVE-OR电路 169
5-7 第莫根定律 172
5-8 NAND与NOR二极体电晶体逻辑（DTL）闸 174
5-9 修正之（积体电路）DTL闸 179
5-10 高临限逻辑（HTL）闸 185
5-11 电晶体－电晶体逻辑 186
5-12 输出级 190
5-13 电阻电晶体逻辑（RTL）与直接耦合电晶体逻辑（DCTL） 194
5-14 射极耦合逻辑 199
5-15 逻辑族之比较 207
参考资料 211
复习题 212
6-1 标准闸之组合 216
第六章 组合数位系统（Combinational Digital Systems） 216
6-2 二进位加法器 220
6-3 算数函数 228
6-4 数位比较器 231
6-5 同位核对器／产生器 235
6-6 解码器／解复器 237
6-7 资讯选择器／复合器 243
6-8 编码器 247
6-9 仅读记忆（ROM） 254
6-10 ROM，二维空间之位址 258
6-11 ROM之应用 261
参考资料 266
复习题 267
第七章 序向数位系统（Sequential Digital Systems） 270
7-1 1数元记忆 270
7-2 时序S-R正反电路 274
7-3 J-K型，T型及D型正反电路 276
7-4 移位置数器 283
7-5 涟波（不同步）计数器 291
7-6 同步计数器 297
7-7 计数器之应用 302
参考资料 305
复习题 306
第八章 场效电晶体（Field-Effect Transistors） 309
8-1 接面场效电晶体 310
8-2 JFET之伏特－安培特性曲线 312
8-3 JFET之制造 317
8-4 增强型金属氧化物半导体场效电晶体（MOSFET） 319
8-5 空乏型MOSFET 326
8-6 技术之改进 327
8-7 MOSFET反相器 333
8-8 MOSFET逻辑闸 341
8-9 互补式MOSFETs 345
参考资料 351
复习题 352
9-1 动态MOS移位置数器 355
第九章 大型积体电路系统（Large-Scale Integration Systems） 355
9-2 无比率移位置数器级 360
9-3 MOS仅读记忆器 364
9-4 可抹除规划程式之仅读记忆器 367
9-5 方程式计划之逻辑排列（PLA） 373
9-6 随机出入记忆装置（RAM） 376
9-7 读／写记忆单元 382
9-8 电荷耦合元件（CCD） 390
9-9 CCD的构造 395
9-10 CCD记忆组成 402
9-11 微处理机与微计算机 407
9-12 积体入射逻辑（I2L） 411
9-13 入射逻辑电路 417
参考资料 422
复习题 426
习题 431
部份习题解答 511