第2章 半导体能带之间的跃迁 481
2.3 光跃迁的量子力学 481
2.3.3 连续能态在能级跃迁中的作用 481
2.3.4 带内弛豫及其谱线展宽 492
2.3.5 量子阱结构的带间光跃迁谱 497
2.3.6 光跃迁动量矩阵元的计算 501
2.3.7 间接带隙半导体的带间光跃迁 533
2.3.8 与杂质有关的光跃迁-无k选择定则 558
2.3.9 能带的非抛物性及其影响 567
2.3.10 多体相互作用的能带隙重整化 576
2.3.11 量子阱中的能带混合效应及其影响 584
2.3.12 大应变对增益的影响 589
2.3.13 应变程度的极限 597
2.3.14 量子阱微分增益及其作用 616
2.3.15 折射率（势垒）渐变分别限制量子阱的增益 628
2.3.16 量子阱激光器的激射阈值 634
2.4 温度对阈值的影响——T0问题 643
2.4.1 总论 643
2.4.2 俄歇复合过程的量子理论 656
2.4.3 价带间光吸收过程 673
2.4.4 温度对光增益谱的影响 675
2.4.5 数值结果与讨论 677
第3章 半导体带内能态之间的跃迁和量子光学 689
3.1 量子阱中的子带间光跃迁 689
3.1.1 子带间光吸收 689
3.1.2 子带间光发射 702
3.1.3 QCL能谱和波函数设计 718
3.2 量子阱中电子子带能级的寿命时间 735
3.2.1 决定能级寿命的散射过程 735
3.2.2 量子阱结构中载流子的非平衡收集过程 775
3.3 辐射的全量子理论和半经典理论的极限 784
3.3.1 辐射及其波粒二重性 784
3.3.2 辐射场的量子化 796
3.3.3 辐射的吸收和发射 807
3.3.4 相干函数 822
3.3.5 相干态 830
3.3.6 半经典理论和量子电动力学 844
3.3.7 量子力学的基本公设、表象与图像 850
附录A 数值计算分析的编程 862
A-1 函数值的计算分析和二维绘图 862
A-2 方程求解、函数计算和绘图 871
A-3 三维绘图 873
附录B 基本物理常数的数值和单位量纲 877
索引 878