第1章 简介 1
1.1 半导体器件 1
1.2 半导体工艺技术 6
总结 10
参考文献 11
第1部分 半导体物理 14
第2章 热平衡时的能带和载流子浓度 14
2.1 半导体材料 14
2.2 基本晶体结构 17
2.3 基本晶体生长技术 20
2.4 共价健 22
2.5 能带 23
2.6 本征载流子浓度 26
2.7 施主与受主 28
总结 33
参考文献 34
习题 34
第3章 载流子输运现象 37
3.1 载流子漂移 37
3.2 载流子扩散 44
3.3 产生与复合过程 46
3.4 连续性方程式 50
3.5 热电子发射过程 52
3.6 隧穿过程 53
3.7 强电场效应 54
总结 57
参考文献 57
习题 58
第2部分 半导体器件 61
第4章 p-n结 61
4.1 基本工艺步骤 61
4.2 热平衡状态 63
4.3 耗尽区 65
4.4 耗尽层势垒电容 69
4.5 电流-电压特性 70
4.6 电荷储存与暂态响应 76
4.7 结击穿 78
总结 81
参考文献 82
习题 82
第5章 双极型晶体管及相关器件 85
5.1 晶体管的工作原理 85
5.2 双极型晶体管的静态特性 90
5.3 双极型晶体管的频率响应与开关特性 97
5.4 异质结及相关器件 101
5.5 可控硅器件及相关功率器件 103
总结 105
参考文献 106
习题 106
第6章 MOSFET及相关器件 109
6.1 MOS二极管 109
6.2 MOSFET基本原理 118
6.3 小尺寸MOSFET 126
6.4 CMOS与双极型CMOS（BiCMOS） 127
6.5 绝缘层上MOSFET（SOI） 129
6.6 MOS存储器结构 130
6.7 功率MOSFET 133
总结 134
参考文献 135
习题 135
第7章 光电器件 137
7.1 辐射跃迁与光的吸收 137
7.2 发光二极管 139
7.3 半导体激光 142
7.4 光探测器 143
7.5 太阳能电池 145
总结 151
参考文献 152
习题 152
第8章 其他半导体器件 155
8.1 金半接触 155
8.2 MESFET 162
8.3 MODFET的基本原理 168
8.4 微波二极管、量子效应和热电子器件 168
总结 176
参考文献 177
习题 178
第3部分 半导体工艺 180
第9章 集成电路工艺 180
9.1 基本半导体工艺技术 180
9.2 集成工艺 186
9.3 微机电系统 204
9.4 微电子器件的挑战 208
总结 212
参考文献 213
习题 214
习题参考答案 216
附录A 符号表 218
附录B 国际单位制（SI Units） 220
附录C 单位词头 221
附录D 物理常数 222
附录E 300 K时重要半导体材料的特性 223
附录F 300 K时硅和砷化镓的特性 224