第1章 模拟电路设计绪论 1
1.1研究模拟电路的重要性 1
1.2研究模拟集成电路的重要性 5
1.3研究CMOS模拟集成电路的重要性 5
1.4本书的特点 6
1.5电路设计的一般概念 6
1.5.1抽象级别 6
1.5.2鲁棒模拟电路设计 7
1.5.3符号 7
第2章MOS器件物理基础 9
2.1基本概念 9
2.1.1 MOSF ET开关 9
2.1.2 MOSFET的结构 9
2.1.3 MOS符号 11
2.2 MOS的I/V特性 11
2.2.1阈值电压 12
2.2.2 I/V特性的推导 13
2.3二级效应 20
2.4 MOS器件模型 24
2.4.1 MOS器件版图 24
2.4.2 MOS器件电容 25
2.4.3 MOS小信号模型 28
2.4.4 MOS SPICE模型 31
2.4.5 NMOS与PMOS器件的比较 32
2.4.6长沟道器件与短沟道器件的比较 33
附录A：用作电容器的MOS器件的特性 33
习题 34
第3章 单级放大器 40
3.1基本概念 40
3.2共源级 41
3.2.1采用电阻负载的共源级 41
3.2.2采用二极管连接的负载的共源级 45
3.2.3采用电流源负载的共源级 49
3.2.4工作在线性区的MOS为负载的共源级 50
3.2.5带源极负反馈的共源级 50
3.3源跟随器 57
3.4共栅级 64
3.5共源共栅级 70
3.5.1折叠式共源共栅 75
3.6器件模型的选择 77
习题 78
第4章 差动放大器 84
4.1单端与差动的工作方式 84
4.2基本差动对 86
4.2.1定性分析 87
4.2.2定量分析 90
4.3共模响应 98
4.4 MOS为负载的差动对 103
4.5吉尔伯特单元 105
习题 108
第5章 无源与有源电流镜 113
5.1基本电流镜 113
5.2共源共栅电流镜 116
5.3有源电流镜 121
5.3.1大信号分析 124
5.3.2小信号分析 125
5.3.3共模特性 128
习题 131
第6章 放大器的频率特性 138
6.1概述 138
6.1.1密勒效应 138
6.1.2极点与结点的关联 141
6.2共源级 143
6.3源跟随器 147
6.4共栅级 151
6.5共源共栅级 153
6.6差动对 155
附录A：密勒定理的对偶 159
习题 161
第7章 运算放大器 165
7.1概述 165
7.1.1性能参数 166
7.2一级运放 169
7.3两级运放 178
7.4增益的提高 180
7.5性能比较 183
7.6共模反馈 184
7.7输入范围限制 192
7.8转换速率 194
7.9电源抑制 201
7.10运放的噪声 202
习题 205
第8章 稳定性与频率补偿 210
8.1概述 210
8.2多极点系统 213
8.3相位裕度 215
8.4频率补偿 218
8.5两级运放的补偿 223
8.5.1两级运放中的转换 227
8.6其它补偿技术 228
习题 232
第9章 带隙基准 235
9.1概述 235
9.2与电源无关的偏置 236
9.3与温度无关的基准 238
9.3.1负温度系数电压 239
9.3.2正温度系数电压 240
9.3.3带隙基准 240
9.4 PTAT电流的产生 245
9.5恒定Gm偏置 246
9.6速度与噪声问题 247
9.7实例分析 250
习题 253
第10章 开关电容电路导论 256
10.1概述 256
10.2采样开关 260
10.2.1 MOSFETs开关 260
10.2.2速度问题 264
10.2.3精度问题 267
10.2.4电荷注入抵消 269
10.3开关电容放大器 271
10.3.1单位增益采样器/缓冲器 271
10.3.2同相放大器 277
10.3.3精确乘2电路 282
10.4开关电容积分器 283
10.5开关电容共模反馈 285
习题 286
第11章 版图与封装 290
11.1版图概述 290
11.1.1设计规则 291
11.1.2天线效应 293
11.2模拟电路的版图技术 294
11.2.1叉指晶体管 294
11.2.2对称性 296
11.2.3参考源的分布 300
11.2.4无源器件 301
11.2.5连线 308
11.2.6焊盘与静电放电保护 311
11.3衬底耦合 313
11.4封装 318
习题 325
原书英汉词汇对照 328