第1章 绪论 1
本章小结 5
习题 6
第2章 硅单晶材料学 7
2.1硅及其化合物的基本性质 7
2.2硅的晶体结构 13
2.3硅的生长加工方法 16
2.4硅材料与器件的关系 19
本章小结 21
习题 22
第3章 薄膜基础知识 23
3.1薄膜的定义及应用 23
3.2薄膜结构、缺陷及基本性质 26
3.2.1薄膜的基本结构及缺陷 26
3.2.2薄膜的基本性质 29
3.3薄膜衬底材料的一般知识 34
3.3.1玻璃衬底 34
3.3.2陶瓷衬底 35
3.3.3单晶体衬底 36
3.3.4衬底清洗 37
3.4薄膜的性能检测简介 39
3.4.1薄膜的厚度检测 39
3.4.2薄膜的可靠性 42
本章小结 43
习题 43
第4章 氧化技术 44
4.1二氧化硅（Si02）薄膜简介 45
4.2氧化技术原理 47
4.2.1热氧化技术的基本原理 48
4.2.2水汽氧化 49
4.2.3湿氧氧化工艺原理 50
4.2.4 三种氧化工艺方法的优缺点 51
4.3氧化工艺的一般过程 52
4.4氧化膜质量评价 56
4.4.1 SiO2薄膜表面观察法 56
4.4.2 SiO2薄膜厚度的测量 56
4.5热氧化过程中存在的一般问题分析 59
4.5.1氧化层厚度不均匀 59
4.5.2氧化层表面的斑点 59
4.5.3氧化层的针孔 59
4.5.4 Si02氧化层中的钠离子污染 60
本章小结 60
习题 60
第5章 溅射技术 62
5.1离子溅射的基本原理 62
5.1.1溅射现象 62
5.1.2溅射产额及其影响因素 63
5.1.3选择溅射现象 68
5.1.4溅射镀膜工艺 69
5.2溅射工艺设备 71
5.2.1直流溅射台 72
5.2.2射频溅射台 76
5.2.3磁控溅射 77
5.3溅射工艺应用及工艺实例 79
本章小结 81
习题 81
第6章 真空蒸镀技术 82
6.1真空蒸镀技术简介 82
6.2真空蒸镀工艺的相关参数 84
6.2.1工艺真空度 84
6.2.2饱和蒸气压 86
6.2.3蒸发速率和沉积速率 86
6.3真空蒸镀源 87
6.4真空蒸镀设备 88
6.4.1电阻加热式蒸镀机（蒸发机） 90
6.4.2电子束蒸发台 92
本章小结 94
习题 95
第7章 CVD技术 96
7.1 CVD技术简介 96
7.2常用CVD技术简介 97
7.3低压化学气相沉积（LPCVD） 101
7.4等离子体增强化学气相沉积（PECVD） 105
7.5 CVD系统的模型及基本理论 113
7.6 CVD工艺系统简介 115
7.6.1 CVD的气体源系统 116
7.6.2 CVD的质量流量控制系统 116
7.6.3 CVD反应腔室内的热源 117
本章小结 117
习题 117
第8章 其他半导体薄膜加工技术简介 119
8.1外延技术 119
8.1.1分子束外延（MBE） 119
8.1.2液相外延（LPE） 121
8.1.3气相外延（VPE） 122
8.1.4选择外延（SEG） 123
8.2离子束沉积和离子镀 124
8.3电镀技术 126
8.4化学镀 129
8.5旋涂技术 129
8.6溶胶-凝胶法 131
本章小结 132
习题 132
参考文献 134