目录 3
一、我国半导体材料标准 3
1．基础标准 3
GB/T 8756—1988 锗晶体缺陷图谱 3
GB/T 13389—1992 掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程 60
GB/T 14264—1993 半导体材料术语 77
GB/T 14844—1993 半导体材料牌号表示方法 97
GB/T 16595—1996 晶片通用网络规范 101
GB/T 16596—1996 确定晶片坐标系规范 106
YS/T 209—1994 硅材料原生缺陷图谱（原GBn 266—87） 110
GB/T 2881—1991 工业硅技术条件 138
2．产品标准 138
GB/T 5238—1995 锗单晶 141
GB/T 10118—1988 高纯镓 145
GB/T 11069—1989 高纯二氧化锗 147
GB/T 11070—1989 还原锗锭 153
GB/T 11071—1989 区熔锗锭 156
GB/T 11072—1989 锑化铟多晶、单晶及切割片 161
GB/T 11093—1989 液封直拉法砷化镓单晶及切割片 168
GB/T 11094—1989 水平法砷化镓单晶及切割片 173
GB/T 12962—1996 硅单晶 180
GB/T 12963—1996 硅多晶 187
GB/T 12964—2003 硅单晶抛光片 191
GB/T 12965—1996 硅单晶切割片和研磨片 201
GB/T 14139—1993 硅外延片 207
GB/T 15713—1995 锗单晶片 213
YS/T 13—1991 高纯四氯化锗 217
YS/T 28—1992 硅片包装 227
YS/T 43—1992 高纯砷 229
YS/T 264—1994 高纯铟（原GB 8003—87） 232
YS/T 290—1994 霍尔器件和甘氏器件用砷化镓液相外延片（原GB 11095—89） 237
YS/T 300—1994 锗富集物（原ZB H 31003—87） 241
3．方法标准 253
GB/T 1550—1997 非本征半导体材料导电类型测试方法 253
GB/T 1551—1995 硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法 262
GB/T 1552—1995 硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法 273
GB/T 1553—1997 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法 288
GB/T 1554—1995 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 303
GB/T 1555—1997 半导体单晶晶向测定方法 313
GB/T 1557—1989 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 319
GB/T 1558—1997 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 323
GB/T 4058—1995 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法 329
GB/T 4059—1983 硅多晶气氛区熔磷检验方法 338
GB/T 4060—1983 硅多晶真空区熔基硼检验方法 342
GB/T 4061—1983 硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法 345
GB/T 4298—1984 半导体硅材料中杂质元素的活化分析方法 347
GB/T 4326—1984 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 365
GB/T 5252—1985 锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法 376
GB/T 6616—1995 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定非接触涡流法 383
GB/T 6617—1995 硅片电阻率测定扩展电阻探针法 388
GB/T 6618—1995 硅片厚度和总厚度变化测试方法 394
GB/T 6619—1995 硅片弯曲度测试方法 401
GB/T 6620—1995 硅片翘曲度非接触式测试方法 406
GB/T 6621—1995 硅抛光片表面平整度测试方法 411
GB/T 6624—1995 硅抛光片表面质量目测检验方法 420
GB/T 8757—1988 砷化镓中载流子浓度等离子共振测量方法 423
GB/T 8758—1988 砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法 425
GB/T 8760—1988 砷化镓单晶位错密度的测量方法 430
GB/T 11068—1989 砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法 435
GB/T 11073—1989 硅片径向电阻率变化的测量方法 440
GB/T 13387—1992 电子材料晶片参考面长度测量方法 452
GB/T 13388—1992 硅片参考面结晶学取向X射线测量方法 457
GB/T 14140.1—1993 硅片直径测量方法光学投影法 461
GB/T 14140.2—1993 硅片直径测量方法千分尺法 465
GB/T 14141—1993 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定直排四探针法 468
GB/T 14142—1993 硅外延层晶体完整性检验方法腐蚀法 472
GB/T 14143—1993 300～900μm硅片间隙氧含量红外吸收测量方法 477
GB/T 14144—1993 硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法 481
GB/T 14145—1993 硅外延层堆垛层错密度测定 干涉相衬显微镜法 486
GB/T 14146—1993 硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法 489
GB/T 14847—1993 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法 493
GB/T 14849.1—1993 工业硅化学分析方法1,10-二氮杂菲分光光度法测定铁量 499
GB/T 14849.2—1993 工业硅化学分析方法铬天青-S分光光度法测定铝量 502
GB/T 14849.3—1993 工业硅化学分析方法钙量的测定 505
GB/T 15615—1995 硅片抗弯强度测试方法 511
GB/T 17169—1997 硅抛光片和外延片表面质量光反射测试方法 518
GB/T 17170—1997 非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法 526
GB/T 18032—2000 砷化镓单晶AB微缺陷检验方法 531
GB/T 19199—2003 半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法 536
YS/T 14—1991 异质外延层和硅多晶层厚度的测量方法 543
YS/T 15—1991 硅外延层和扩散层厚度测定磨角染色法 547
YS/T 23—1992 硅外延层厚度测定堆垛层错尺寸法 552
YS/T 24—1992 外延钉缺陷的检验方法 555
YS/T 25—1992 硅抛光片表面清洗方法 557
YS/T 26—1992 硅片边缘轮廊检验方法 559
YS/T 27—1992 晶片表面上微粒沾污测量和计数的方法 562
YS/T 34.1—1992 高纯砷化学分析方法孔雀绿分光光度法测定锑量 565
YS/T 34.2—1992 高纯砷化学分析方法化学光谱法测定钴、锌、银、铜、钙、铝、镍、铬、铅、镁、铁量 568
YS/T 34.3—1992 高纯砷化学分析方法极谱法测定硒量 573
YS/T 34.4—1992 高纯砷化学分析方法极谱法测定硫量 575
YS/T 37.1—1992 高纯二氧化锗化学分析方法硫氰酸汞分光光度法测定氯量 579
YS/T 37.2—1992 高纯二氧化锗化学分析方法钼蓝分光光度法测定硅量 582
YS/T 37.3—1992 高纯二氧化锗化学分析方法石墨炉原子吸收光谱法测定砷量 585
YS/T 37.4—1992 高纯二氧化锗化学分析方法化学光谱法测定铁、镁、铅、镍、铝、钙、铜、铟和锌量 589
YS/T 38.1—1992 高纯镓化学分析方法钼蓝分光光度法测定硅量 595
YS/T 38.2—1992 高纯镓化学分析方法化学光谱法测定锰、镁、铬和锌量 598
YS/T 38.3—1992 高纯镓化学分析方法化学光谱法测定铅、镍、锡和铜量 602
YS/T 230.1—1994 高纯铟中铝、镉、铜、镁、铅、锌量的测定 （化学光谱法）（原GB 2594.1—81） 606
YS/T 230.2—1994 高纯铟中铁量的测定（化学光谱法）（原GB 2594.2—81） 609
YS/T 230.3—1994 高纯铟中砷量的测定〔二乙氨基二硫代甲酸银（Ag-DDC）法〕（原GB 2594.3—81） 611
YS/T 230.4—1994 高纯铟中硅量的测定（硅钼蓝吸光光度法）（原GB 2594.4—81） 614
YS/T 230.5—1994 高纯铟中硫量的测定（氢碘酸、次磷酸钠还原极谱法）（原GB 2594.5—81） 616
YS/T 230.6—1994 高纯铟中铊量的测定（罗丹明B吸光光度法）（原GB 2594.6—81） 619
YS/T 230.7—1994 高纯铟中锡量的测定（苯芴酮-溴代十六烷基三甲胺吸光光度法）（原GB 2594.7—81） 621
二、SEMI标准 625
SEMI M1-0302 硅单晶抛光片规范 625
SEMI M1.1—89（重订本0299） 直径2inch硅单晶抛光片规格 648
SEMI M1.2—89（重订本0299） 直径3inch硅单晶抛光片规格 650
SEMI M1.5—89（重订本0699） 直径100mm硅单晶抛光片规格（厚度525μm） 652
SEMI M1.6—89（重订本0699） 直径100mm硅单晶抛光片规格（厚度625μm） 654
SEMI M1.7—89（重订本0699） 直径125mm硅单晶抛光片规格 656
SEMI M1.8-0699 直径150mm硅单晶抛光片规格 658
SEMI M1.9-0699 直径200mm硅单晶抛光片规格（切口） 660
SEMI M1.10-0699 直径200mm硅单晶抛光片规格（参考面） 662
SEMI M1.11—90（重订本0299） 直径100mm无副参考面硅单晶抛光片规格（厚度525μm） 664
SEMI M1.12—90（重订本0299） 直径125mm无副参考面硅单晶抛光片规格 666
SEMI M1.13—0699 直径150mm无副参考面硅单晶抛光片规格（厚度625μm） 668
SEMI M1.14—96 直径350mm和400mm硅单晶抛光片指南 670
SEMI M1.15-0302 直径300mm硅单晶抛光片规格（切口） 672
SEMI M2-0997 分立器件用硅外延片规范 675
SEMI M3-1296 蓝宝石单晶抛光衬底规范 681
SEMI M3.2—91 2inch蓝宝石衬底标准 688
SEMI M3.4—91 3inch蓝宝石衬底标准 689
SEMI M3.5—92 100mm蓝宝石衬底标准 690
SEMI M3.6—88 3inch回收蓝宝石衬底标准 691
SEMI M3.7—91 125mm蓝宝石衬底标准 692
SEMI M3.8—91 150mm蓝宝石衬底标准 693
SEMI M4-1296 蓝宝石衬底上硅单晶（SOS）外延片规范 694
SEMI M6-1000 太阳能光电池用硅片规范 699
SEMI M8-0301 硅单晶抛光试验片规范 705
SEMI M9-0999 砷化镓单晶抛光片规范 719
SEMI M9.1—96 电子器件用直径50.8mm砷化镓单晶圆形抛光片标准 727
SEMI M9.2—96 电子器件用直径76.2mm砷化镓单晶圆形抛光片标准 728
SEMI M9.3—89 光电子用直径2inch砷化镓单晶圆形抛光片标准 729
SEMI M9.4—89 光电子用直径3inch砷化镓单晶圆形抛光片标准 731
SEMI M9.5—96 电子器件用直径100mm砷化镓单晶圆形抛光片标准 733
SEMI M9.6—95 直径125mm砷化镓单晶圆形抛光片标准 734
SEMI M9.7—0200 直径150mm砷化镓单晶圆形抛光片（切口）规范 735
SEMI M10-1296 鉴别砷化镓晶片上观察到的结构和特征的标准术语 739
SEMI M11-0301 集成电路用硅外延片规范 742
SEMI M12-0998E 晶片正面系列字母数字标志规范 764
SEMI M13-0998E 硅片字母数字标志规范 773
SEMI M14—89 半绝缘砷化镓单晶离子注入与激活工艺规范 783
SEMI M15-0298 半绝缘砷化镓抛光片缺陷限度表 784
SEMI M16-1296 多晶硅规范 786
SEMI M16.1—89 块状多晶硅标准 789
SEMI M17-0998 晶片通用网格规范 790
SEMI M18—0302 硅片订货单格式 794
SEMI M19—91 体砷化镓单晶衬底电学特性规范 826
SEMI M20-0998 建立晶片坐标系的规范 829
SEMI M21-0998 地址分配到笛卡尔坐标系的矩形单元规范 831
SEMI M22-1296 介电绝缘（DI）晶片规范 839
SEMI M23-0302 磷化铟单晶抛光片规范 845
SEMI M23.1-0600 直径50mm磷化铟单晶抛光片标准 854
SEMI M23.2-1000 3inch（76.2mm）磷化铟单晶圆形抛光片标准 855
SEMI M23.3-0600 矩形磷化铟单晶抛光片标准 856
SEMI M23.4-0999 电子和光电子器件用100mm圆形磷化铟单晶抛光片规范（燕尾槽） 859
SEMI M23.5-1000 电子和光电子器件用100mm圆形磷化铟单晶抛光片规范（V形槽） 860
SEMI M24-1101 优质硅单晶抛光片规范 861
SEMI M25—95 根据聚苯乙烯乳胶球直径校准光点缺陷硅片检验系统用硅片规范 879
SEMI M26—96 运输晶片用的片盒和花篮再使用指南 881
SEMI M27—96 确定测试仪器的精度与公差比（P/T）的规程 884
SEMI M28-0997（1000撤回） 开发中的直径300mm硅单晶抛光片规范 888
SEMI M29-1296 直径300mm晶片传递盒规范 889
SEMI M30-0997 用傅利叶变换红外吸收光谱测量砷化镓中代位碳原子浓度的标准方法 900
SEMI M31-0999 用于300mm晶片传送和发货的正面打开的发货片盒暂定机械规范 905
SEMI M32-0998 统计规范指南 922
SEMI M33-0998 用全反射X射线荧光光谱（TXRF）测定硅片表面残留沾污的测试方法 932
SEMI M34-0299 制定SIMOX硅片技术规范指南 942
SEMI M35-0299E 开发自动检查方法测量硅片表面特征规范的指南 951
SEMI M36-0699 低位错密度砷化镓晶片腐蚀坑密度（EPD）的测试方法 955
SEMI M37-0699 低位错密度磷化铟晶片中腐蚀坑密度（EPD）的测试方法 957
SEMI M38-1101 硅抛光回收片规范 959
SEMI M39-0999 半绝缘砷化镓单晶材料的电阻率、霍尔系数和霍尔迁移率测试方法 990
SEMI M40-0200 关于硅片平坦表面的表面粗糙度的测量指南 994
SEMI M41-1101 功率器件／集成电路用绝缘体上硅（SOI）晶片的规范 1018
SEMI M42-1000 化合物半导体外延片规范 1035
SEMI M43-0301 关于编制硅片纳米形貌报告的指南 1038
SEMI M44-0301 硅中间隙氧的转换因子指南 1042
SEMI M45-0301 300mm晶片发货系统临时标准 1044
SEMI M46-1101 用ECV剖面分布测量外延层结构中载流子浓度的测试方法 1048
SEMI M47-0302 CMOS LSI电路用绝缘体上硅（SOI）晶片规范 1055
SEMI M48-1101 评价无图形硅衬底上薄膜的化学机械抛光工艺的指南 1065
SEMI M49-1101 用于130nm级工艺硅片几何尺寸测量设备的指南 1074
SEMI M50-1101 采用覆盖法确定表面扫描检查系统的捕获率和虚假计数率的测试方法 1088
SEMI T1—95 硅片背面条型代码标志规范 1093
SEMI T2-0298E 带有二维矩阵代码符号的晶片标志规范 1103
SEMI T3-0302 晶片盒标签规范 1110
SEMI T4-0301 150mm和200mm晶片箱标志尺寸规范 1123
SEMI T5—96E 砷化镓圆形晶片字母数字刻码规范 1126
SEMI T7-0302 带二维矩阵代码符号的双面抛光晶片背面标志规范 1134