第一章 半导体中的电子状态 1
1-1 电子的运动状态和能级 1
1-2 在外力作用下晶体中电子的运动 10
1-3 晶体的导电性 16
1-4 能带结构与回旋共振 19
1-5 半导体的种类及其应用 24
1-6 常见半导体的能带结构 25
1-7 本征半导体和杂质半导体 35
1-8 缺陷能级 43
参考文献 44
第二章 热平衡载流子的统计分布规律 45
2-1 状态密度 45
2-2 载流子的统计分布 48
2-3 电子和空穴嵌度的一般表示式 52
2-4 本征半导体的载流子浓度 58
2-5 掺一种杂质的半导体 62
2-6 同时掺有施主和受主的半导体——杂质补偿半导体 71
2-7 简并半导体 76
参考文献 82
第三章 半导体在电磁场中的电荷输运现象 83
3-1 载流子的散射 83
3-2 电导现象 93
3-3 迁移率和电导率 97
3-4 电导率的统计理论 102
3-5 霍耳效应 110
3-6 磁阻效应简介 117
参考文献 118
第四章 非平衡载流子 119
4-1 非平衡载流子的注入、寿命和准费米能级 119
4-2 复合过程的性质和直接复合的理论 125
4-3 间接复合——复合中心理论 131
4-4 陷阱效应 139
4-5 非平衡载流子的扩散运动 142
4-6 非平衡载流子的漂移和扩散运动、爱因斯坦关系式 147
4-7 连续性方程式 149
4-8 双极扩散和双极漂移 157
参考文献 159
第五章 p-n结 160
5-1 p-n结及其能带图 160
5-2 p-n结电流电压特性 165
5-3 p-n结电容 183
5-4 p-n结击穿 197
5-5 n+-n结和p+-p结 207
参考文献 208
第六章 金属-半导体接触和异质结 209
6-1 M-S接触的势垒模型 210
6-2 肖特基势垒的整流理论 220
6-3 欧姆接触:非整流的M-S结 226
6-4 异质结 228
参考文献 235
第七章 半导体表面 236
7-1 半导体表面(面界)结构 236
7-2 外电场(电荷)和表面感生电荷层 239
7-3 MIS结构的电容—电压特性 251
参考文献 264
附录1 费米-狄拉克积分 265
附录2 爱因斯坦的一般关系式 270
附录3 常用的物理常数 272
附录4 室温(300K)下硅、锗、砷化镓及二氧化硅的某些重要性质 273