第一章 引言 1
1.1探针微区分析原理 1
1.2特征X线谱 2
1.3内层电离 4
1.4荧光产额 5
1.5X线连续谱 5
1.6X线吸收 7
1.7基质校正 8
1.8历史回顾 9
第二章 电子探针的基本特点 11
2.1探针形成系统 11
2.2X线谱仪 11
2.3样品台 12
2.4光学显微镜 13
2.5扫描 15
2.6真空系统 16
2.7试样制备 17
2.8有关技术 18
第三章 电子枪 21
3.1普通三极电子枪 21
3.2合轴 22
3.3电子枪电源 22
3.4偏压 23
3.5亮度 24
3.6稳定性 26
3.7高亮度阴极 28
3.8六硼化镧阴极 29
3.9场发射电子枪 30
4.1电子源的缩小 32
第四章 探针形成系统 32
4.2磁透镜 33
4.3透镜电流稳定度 35
4.4球差 36
4.5象散 36
4.6光栏 37
4.7合轴 39
4.8探针直径和电流 39
4.9探针电流的监视和稳定 42
4.10末级透镜的设计 44
4.11非正规透镜 45
第五章 扫描 47
5.1偏转系统 47
5.2扫描电子学系统 48
5.3X线扫描象 50
5.4电子象 52
5.5电子象的衬度和分辨率 53
5.6电子探测器 55
5.7彩色扫描图象 58
5.8机械扫描 58
5.9相分析 60
5.10通道花样 60
第六章 X线衍射谱仪 63
6.1布拉格定律 63
6.2完整晶体的反射 64
6.3不完整晶体的反射 65
6.4聚焦几何 66
6.5半聚焦几何 68
6.6全聚焦谱仪 69
6.7衍射晶体 71
6.8脂肪酸盐薄膜伪晶体 75
6.9效率和分辨率 77
6.10光栅谱仪 78
第七章 正比计数管 83
7.1工作原理 83
7.2入射窗 84
7.3计数气体 86
7.4气体增殖 88
7.5脉冲高度下降 90
7.6输出脉冲 91
7.7电离统计学 93
7.8阳极丝 96
7.9逃逸峰 96
7.10特殊正比计数管 98
7.11气体正比闪烁计数管 99
8.1晶体谱仪的计数系统 100
第八章 计数电子系统 100
8.2前置放大器 101
8.3主放大器 103
8.4在高计数率下工作 105
8.5鉴别器和脉冲高度分析器 106
8.6自动脉冲高度分析 108
8.7计数率器 110
8.8定标器和计时器 112
8.9死时间 113
8.10死时间的测量 115
第九章 锂漂移硅探头 116
9.1工作原理 116
9.2构造 118
9.3低温恒温器 119
9.4能量分辨率 121
9.5俘获、复合和电荷收集 123
9.6线性 124
9.7效率 125
9.8峰背比 127
9.9硅逃逸峰 129
9.10超软X线的检测 132
9.11应用 133
第十章 锂漂移硅探头的电子线路 135
10.1场效应管前置放大器 135
10.2前置放大器噪声 137
10.3前置放大器的反馈 137
10.4脉冲整形 139
10.5极－零消除 140
10.6基线恢复 141
10.7多道脉冲高度分析器 143
10.8脉冲堆积 146
10.9死时间 149
10.10电子束开关 151
10.11Kandiah系统 152
第十一章 定量分析的实验考虑 154
11.1试样的镶嵌和抛光 154
11.1.1金属 154
11.1.2岩石和矿物 155
11.1.3生物试样 156
11.2导电覆膜 157
11.3导电膜厚度的控制 158
11.4试样在电子轰击下的损伤 160
11.5碳污染 163
11.6标样：纯元素和纯化合物 164
11.7金属、矿物和玻璃标样 166
11.8加速电压的选择 168
11.9分析时的定点 169
11.10背景校正 170
11.11计数策略 171
11.12探针电流监测 173
11.13探测极限 174
第十二章 X线的产生、阻挡本领和电子范围 175
12.1电离截面 175
12.2特征X线强度 176
12.3阻挡本领校正 179
12.4阻挡本领的Bethe公式 180
12.5平均激发能量 184
12.6壳层效应 186
12.7对数积分函数的应用 187
12.8电子穿透 189
12.9空间分辨率 192
第十三章 背散射 196
13.1弹性散射 196
13.2电子背散射系数 197
13.3背散射电子的能量分布 201
13.4X线强度损失的计算 202
13.5蒙特卡诺技术 204
13.6电子传输方程的解 206
13.7化合物的背散射 208
13.8背散射校正数据 210
13.9电子非垂直入射 212
第十四章 X线吸收 215
14.1吸收校正理论 215
14.2φ(ρz)和f(x)的实验测定 215
14.3Philibert吸收校正 219
14.3.1临界激发能量的影响 221
14.4Philibert公式的Reuter形式 222
14.5Andersen-Wittry吸收校正 224
14.6计算吸收校正的其他方法 225
14.7计算φ(ρz)的蒙特卡诺法和传输方程法 227
14.8电子非垂直入射 228
14.9质量衰减系数 230
14.10入射电子能量的测量 233
14.11Bishop的φ（ρz）“矩形模型” 234
第十五章 荧光 236
15.1K线激发的荧光 236
15.2吸收项 238
15.3K-K荧光校正数据 241
15.4K-K荧光的校正步骤 242
15.5Kβ射线激发的荧光 245
15.6L线的荧光 246
15.7K和L的相对强度 253
15.8连续谱激发的荧光 254
15.9连续荧光的吸收 258
15.10相界附近的荧光 260
第十六章 实际校正步骤 263
16.1引言 263
16.2校正计算例子 263
16.2.1吸收 264
16.2.2特征荧光 265
16.2.3连续荧光 265
16.2.4背散射 267
16.2.5阻挡本领 268
16.2.6总的校正因子 268
16.3简单迭代 269
16.5双曲线迭代 270
16.4Wegstein方法 270
16.6α系数 271
16.7数据处理 272
16.8校正程序 273
第十七章 用能谱探头作定量分析 275
17.1分析步骤 275
17.2最小二乘法拟合 276
17.3适用于复杂谱的方法 278
17.4峰的积分 280
17.5峰的位移和展宽 281
17.6背景：理论 283
17.7背景校正 285
17.8Kα重迭 286
17.9Kβ重迭 287
17.10逃逸峰 288
17.11迭代法 289
17.12剥谱 290
17.13准直 290
17.14用正比计数管进行能谱分析 291
第十八章 轻元素分析 293
18.1引言 293
18.2轻元素分析的特殊问题 294
18.3吸收校正 295
18.4薄膜模型 296
18.5表面强度φ0 296
18.6质量衰减系数 297
第十九章 薄膜分析 300
19.1引言 300
19.2薄试样中X线的产生 301
19.3薄膜定量分析：Philibert-Tixier法 302
19.4薄膜定量分析：连续谱法 304
19.5基片上的薄膜厚度的测定 306
19.5.1Hutchins法 307
19.5.2Bishop法 308
19.5.3Reuter法 310
19.6基片上薄膜的分析 311
19.7不导电试样上的导电覆膜引起的X线强度损失 312
第二十章 应用 314
20.1金属学 314
20.1.1相图 314
20.1.2金属间化合物 316
20.1.3扩散 317
20.1.4脱溶 318
20.1.5非金属夹杂 319
20.1.6腐蚀 319
20.2放射性材料 320
20.1.7考古学 320
20.3电子材料 321
20.4矿物学 322
20.5岩石学 326
20.6铁陨石 328
20.7石陨石 330
20.8月岩 333
20.9生物学和医学方面的研究 339
20.9.1硬组织 339
20.9.2软组织 340
20.10用电子探针作整体分析 341
附录 X线谱 343
参考文献 354
索引 375