第一章 砷化镓的物理和热学性质 J.C.Brice 1
1.1固态GaAs的密度 1
1.2GaAs的晶格参量 2
1.3GaAs的晶格参量与掺杂关系 3
12.4LPEGaAs的光致发光谱 9 4
1.4GaAs的体弹性模量 4
1.5GaAs的刚性 5
1.6GaAs的屈服强度 6
1.7GaAs的热膨胀系数与温度关系 6
1.8GaAs的比热 7
1.9GaAs的热导率 8
1.10GaAs的热扩散率 9
第二章 砷化镓的电阻率 DLee,B.J.Sealy 10
2.1半绝缘GaAs的电阻率 10
2.2离子注入GaAs的薄层电阻率 13
第三章 砷化镓的载流子浓度 R.S.Bhattacharya,I.H.Goodridge 18
3.1离子注入n型GaAs的载流子浓度 18
3.2离子注入P型GaAs的载流子浓度 20
3.3非掺杂和掺杂外延GaAs的载流子浓度 23
4.1砷化镓中载流子离化率与温度的关系 27
第四章 砷化镓中载流子离化率 J.P.R.David 27
4.2砷化镓中载流子离化率与掺杂的关系 28
4.3砷化镓中载流子离化率与电场的关系 29
第五章 砷化镓中电子的迁移率、扩散和寿命 DLarncefield,A.R.Adams,B.J.Sealy,D.R.Wight,K.Duncan,EMIS小组 31
5.1大块GaAs晶体中的电子迁移率 31
5.2大块GaAs晶体中电子迁移率和温度的关系 32
5.3LPEGaAs中的电子迁移率 33
5.4VPEGaAs中的电子迁移率 34
5.5VPEGaAs中电子迁移率与温度的关系 35
5.6VPEGaAs中电子迁移率与掺杂的关系 36
5.7MBEGaAs中的电子迁移率 37
5.8MBEGaAs中电子迁移率与温度的关系 38
5.9MBEGaAs中电子迁移率与掺杂的关系 39
5.10经退火处理的离子注入GaAs中电子迁移率与掺杂的关系 39
5.11GaAs中电子迁移率与压力的关系 41
5.12GaAs中电子有效质量与压力的关系 41
5.13P型GaAs的电子扩散长度和扩散系数 42
5.14P型GaAs的电子寿命 44
第六章 砷化镓的空穴迁移率、扩散和寿命 D.R.Wight,D.C.Look,A.R.Adams 46
6.1非掺杂GaAs的空穴迁移率 46
6.2掺杂和离子注入GaAs的空穴迁移率 47
6.3GaAs中空穴迁移率与温度的关系 48
6.4GaAs中空穴迁移率与压力的关系 49
6.5GaAs中空穴的有效质量与压力的关系 50
6.6n型GaAs中空穴的扩散长度和扩散系数 50
15.1GaAs的表面结构 1 52
6.7n型GaAs中的空穴寿命 52
7.1GaAs的直接带隙与温度的关系 54
7.2GaAs的直接带隙与压力关系 54
第七章 砷化镓的能带间隙 A.R.Adams,EMIS小组，W.Potz 54
7.3GaAs中γ点空穴的光学畸变势 55
7.4非晶态GaAs的光学能隙 55
第八章 砷化镓的光学函数（复折射率，介电函数和吸收系数） D.E.Aspnes 57
8.1本征GaAs的光学函数：概论 57
8.2本征GaAs的光学函数：静电和红外介电常数 58
8.3本征GaAs的光学函数：余辉区（0—60meV） 59
8.5本征GaAs的光学函数：直接带隙区（1.3—1.5eV） 60
8.4本征GaAs的光学函数：透明区（0.1—1.4eV） 60
8.6本征GaAs的光学函数：可见到近紫外区 61
8.7本征GaAs的光学函数：真空紫外区（上至155eV） 62
8.8本征GaAs的光学函数表：折射率和吸收系数随能量（0—155eV）的变化 63
16.4GaAs反应离子和反应离子束腐蚀的腐蚀速率 1 64
8.9非本征对GaAs光学函数的影响 67
第九章 砷化镓的电学光学性质 D.Robbins 69
9.1GaAs的电学光学系数 69
9.2GaAs的Franz-Keldysh效应参数 71
第十章 砷化镓的红外吸收 M.R.Brozel,I.W.Boyd 73
10.1大块GaAs的红外吸收带 73
10.2GaAs的双光子红外吸收系数 79
第十一章 GaAs的光电导光谱 R.A.Stradling,D.C.Look 81
11.1半绝缘体GaAs的红外光电导光谱 81
11.2GaAs外延层中浅施主的远红外光电导光谱：概论 82
11.3LPEGaAs中浅施主的远红外光电导光谱 85
11.4VPEGaAs中浅施主的远红外光电导光谱 85
11.5MOCVDGaAs中浅施主的远红外光电导光谱 86
11.6MBEGaAs中浅施主的远红外光电导光谱 87
11.7中子嬗变掺杂GaAs中浅施主的远红外光电导光谱 88
第十二章 砷化镓的光致发光谱 B.Hamilton,J.D.Medland,EMIS小组 90
12.1非掺杂半绝缘GaAs的光致发光谱 90
12.2掺Cr半绝缘GaAs的光致发光谱 92
12.3非掺杂LECp型砷化镓的光致发光谱 93
12.5VPEGaAs的光致发光谱 97
12.6MOCVDGaAs的光致发光谱 100
12.7MBEGaAs的光致发光谱 105
12.8掺Ⅱ族元素GaAs的光致发光谱 109
12.9掺Ⅳ族元素GaAs的光致发光谱 112
12.10掺Ⅵ族元素GaAs的光致发光谱 115
第十三章 砷化镓中缺陷和缺陷的红外映象图 MR.Brozel,,A.RPeaker,J.Nicholas,H.V.Winston,S.Yosuami,W.Potz 118
13.1用近红外映象图分析非掺杂半绝缘LECGaAs中的缺陷 118
13.2半绝缘LECGaAs中的缺陷密度 121
13.3半绝缘LECGaAs中原生缺陷的结构 125
13.4熔体生长GaAs中的缺陷能级 126
13.6LPEGaAs中的缺陷能级 130
13.5GaAs中与阴离子反位缺陷有关的缺陷能级 130
13.7VPEGaAs中的缺陷能级 132
13.8MOCVDGaAs中的缺陷能级 134
13.9MBEGaAs中的缺陷能级 137
13.10电子辐照GaAs中的缺陷能级 139
第十四章 砷化镓中的杂质扩散 B.Tuck 143
14.1GaAs中Cr的扩散 143
14.2GaAs中Mn的扩散 144
14.3GaAs中Zn的扩散 145
14.4GaAs中Si的扩散 147
14.5GaAs中Sn的扩散 148
146GaAs中S的扩散 149
第十五章 砷化镓的表面结构和氧化 P.J.Dobson,H.L.Hartnagel 152
15.2GaAs的氧化层结构 154
15.3GaAs的氧化速率 155
16.1GaAs的湿法腐蚀速率 158
第十六章 砷化镓的腐蚀速率 C.I.H.Ashby 158
16.2GaAs的等离子腐蚀速率 160
16.3GaAs的离子束研磨和溅射腐蚀速率 163
16.5GaAs的激光增强腐蚀的腐蚀速率 170
第十七章 砷化镓的界面和接触 L.Eaves,C.R.M.Grovenor,G.P.Schwartz,H.H.Wieder,EMIS小组 174
17.1GaAs/Ag界面的结构 174
17.2GaAs/A1界面的结构 174
17.3GaAs/Au界面的结构 177
17.4GaAsAu-Ge界面的结构 179
17.5GaAs/Cu界面的结构 181
17.6GaAs/Ag界面的势垒高度 182
17.7GaAs/A1界面的势垒高度 183
17.8GaAs/Au界面的势垒高度 187
17.9GaAs/Pt界面的势垒高度 189
17.10GaAs/W界面的势垒高度 190
17.11GaAs/介质界面的能带弯曲 192
17.12在GaAs/A1GaAs异质结界面处导带和价带的相对位置 192
第十八章 铝镓砷的各种性质 A.R.Peaker,D.Lee,S.Speakman,EMIS小组 195
18.1A1GaAs中的缺陷能级 195
18.2A1GaAs中的DX缺陷中心 200
18.3A1GaAs的光致发光谱 206
18.4A1GaAs的电子迁移率 209
18.5LPEAlGaAs中的载流子浓度 212
18.6MOCVDA1GaAs的载流子浓度 213
18.7MBEAlGaAs的载流子浓度 215
18.8反应离子和反应离子束对A1GaAs的腐蚀速度 218
主题索引 220
参考文献 226