第一章 绪论 1
1-1 微电子技术的发展概况 1
1-2 IC的工艺技术及IC的分类 5
本章小结 20
第二章 MOSFET的特性及其模型 21
2-1 MOSFET的VT 21
2-2 MOSFET的I-V特性 26
2-3 P沟MOSFET 30
2-4 MOSFET中的寄生电容 31
2-5 MOSFET中的寄生电阻 36
2-6 小尺寸MOSFET中出现的问题 37
2-7 SPICE模拟程序中的MOSFET模型 47
本章小结 52
附录：2μmN阱CMOS工艺参数 53
第三章 CMOS反相器 54
3-1 CMOS反相器及其电压传输特性 54
3-2 CMOS反相器的开关特性 60
3-3 CMOS反相器中的泄漏电流和功率－延迟乘积 68
3-4 CMOS反相器的设计考虑 70
本章小结 73
4-1 CMOS静态逻辑电路的一般结构 75
第四章 CMOS静态逻辑电路 75
4-2 CMOS与非门 80
4-3 CMOS或非门 84
4-4 或门和与门 87
4-5 组合逻辑 88
4-6 异或门和同或门 95
4-7 静态CMOS逻辑结构的变种形式 97
4-8 三态输出电路 99
4-9 准（伪）NMOS/PMOS逻辑 99
4-10 静态CMOS触发电路 102
4-11 施密特触发器 104
本章小结 106
第五章 CMOS开关逻辑电路 108
5-1 CMOS传输门 108
5-2 开关逻辑门 114
5-3 锁存电路和触发电路 118
5-4 阵列逻辑 120
5-5 差动级联电压开关逻辑 122
5-6 互补开关晶体管逻辑 124
5-7 差动错层逻辑 126
本章小结 127
5-8 三态缓冲电路 127
第六章 CM0S动态逻辑电路 129
6-1 基本动态CMOS门电路 129
6-2 多米诺CMOS动态逻辑 135
6-3 多输出多米诺逻辑 145
6-4 锁存多米诺逻辑 146
6-5 NORA逻辑 147
本章小结 155
第七章 基本功能电路 156
7-1 移位寄存器 156
7-2 加法器 170
7-3 乘法器 182
本章小结 189
第八章 存储器 190
8-1 存储器的组成 190
8-2 只读存储器 191
8-3 静态RAM 193
8-4 动态RAM 197
8-5 灵敏放大器 197
本章小结 203
9-2 可编程逻辑阵列 204
9-1 概述 204
第九章 可编程逻辑器件 204
9-3 EPLD 209
9-4 高密度的PLD结构 221
本章小结 238
第十章 微处理器 239
10-1 概述 239
10-2 数据通道及系统结构 239
10-3 微码控制器 245
10-4 精简指令技术 246
本章小结 250
第十一章 自动化设计与验证 251
11-1 概述 251
11-2 集成电路版图 251
11-3 设计规则检查 252
11-4 电路提取 256
11-5 数字电路仿真 260
11-6 时序分析 266
11-7 RTL仿真 269
本章小结 272
附录：典型P阱CMOS的工艺特征及设计规则 272