第一章 等离子体的基本性质 1
1.1 概述 1
1.2 等离子体的定义 1
1.3 等离子体的温度 2
1.4 等离子体浓度及其电离度 4
1.5 等离子体的德拜屏蔽 4
1.6 等离子体的静电振荡 10
1.7 等离子体中的双极扩散 12
参考文献 14
第二章 等离子体的形成 15
2.1 概述 15
2.2 直流辉光放电 15
2.3 射频（RF）放电 23
2.4 微波放电 41
参考文献 62
第三章 低温等离子体的诊断 64
3.1 概述 64
3.2 静电探针测量方法及其应用 64
3.3 质谱技术在等离子体诊断中的应用 70
3.4 光谱技术在等离子体诊断中的应用 75
3.5 红外吸收光谱测量技术 79
3.6 激光诱导荧光光谱技术 81
参考文献 83
第四章 低温等离子体加工过程中的物理化学问题 84
4.1 概述 84
4.2 等离子体化学气相淀积中的物理化学问题 84
4.3 等离子体刻蚀的物理化学问题 88
4.4 离子束淀积和晶体生长中的物理化学问题 94
4.5 等离子体氧化过程的物理化学问题 97
4.6 等离子体聚合过程中的物理化学问题 99
参考文献 103
第五章 等离子体CVD设备及其应用 105
5.1 概述 105
5.2 射频等离子体CVD设备 105
5.3 微波等离子体CVD设备 109
5.4 等离子体CVD设备公共构件的配置要求 116
5.5 等离子体CVD淀积膜厚的监控 117
5.6 低温等离子体CVD设备的应用 120
5.7 低温等离子体CVD设备的技术指标 121
参考文献 122
第六章 低温等离子体PVD设备及其应用 124
6.1 概述 124
6.2 低温等离子体PVD设备的要求 124
6.3 直流二极溅射设备 125
6.4 等离子体磁控溅射PVD设备 126
6.5 射频等离子体溅射PVD设备 131
6.6 微波等离子体溅射PVD设备 132
参考文献 133
第七章 等离子体和离子束刻蚀设备及其应用 134
7.1 概述 134
7.2 刻蚀工艺的要求 134
7.3 射频等离子体刻蚀设备 139
7.4 微波等离子体刻蚀设备 140
7.5 射频放电反应离子刻蚀设备 141
7.6 射频磁控刻蚀设备 142
7.7 反应离子束刻蚀设备 143
7.8 影响刻蚀工艺的因素 145
7.9 等离子体和离子束刻蚀的实时监控方法 149
参考文献 149
第八章 微细加工中等离子体技术发展的展望 151
8.1 概述 151
8.2 微细加工中等离子体技术的进展 151
8.3 开发等离子体技术在微细加工中新的应用领域 154
8.4 等离子体加工技术的基础研究 158
参考文献 159