第一章 多电荷态重离子的产生(H.温特尔) 1
1.1 引言 1
1.11 重离子束的产生和应用 1
1.12 多电荷态重离子源研制方面的进展 3
1.13 多电荷态重离子源结构的一般特性 5
1.2 多电荷态离子源的基本工作过程 7
1.21 离子的产生 7
1.22 离子的损失 13
1.23 在产生多电荷态离子的结构中的平衡，多电荷态离子源的主要参数 18
1.24 离子束动力学 34
1.25 多电荷态离子源的诊断 38
1.26 多电荷态离子源的工艺 41
1.3 关于各种多电荷态离子源结构的讨论 44
1.31 等离子体多电荷态离子源 44
1.32 具有强的离子约束的多电荷态离子源 96
1.33 其他多电荷态离子源的设计 108
1.34 加速器-积成多电荷态离子源 109
1.4 结论 110
参考文献 112
2.1 引言 121
第二章 重离子穿过物质(H.施米特-博金) 121
2.2 荷电粒子能量转移的机制 126
2.3 荷电粒子在物质中的平均能量损失 139
2.31 快入射粒子的电子阻止(Vp?Vo) 140
2.32 低速度离子(Vp?Vo·Zp2／3)的电子阻止 153
2.33 核阻止 155
2.34 在重离子的平均能量损失中的高阶效应 157
2.4 阻止本领的测量方法 162
2.41 微分方法 163
2.42 积分方法 167
2.43 间接方法 172
2.5 能量离散 173
2.51 快速粒子(Vp?Vo)的能量离散 174
2.52 低速粒子(Vp?Vo·Zp2／3)的能量离散 186
2.53 射程离散 189
2.6 多次散射 190
2.7 结论 193
参考文献 195
第三章 重离子探测器(B.马丁，H.斯特尔泽) 204
3.1 硅探测器 204
3.11 硅探测器的能量分辨率 205
3.12 硅半导体探测器的脉冲高度亏损 210
3.13 在硅探测器中的等离子体时间 212
3.14 硅探测器的辐射损伤 214
3.2 充气型探测器 216
3.21 单丝正比计数器 217
3.22 多丝正比室 223
3.23 电离室 238
3.24 平行板雪崩计数器 250
3.3 薄膀探测器 254
3.4 次级电子发射(SEM)探测器 258
参考文献 264
第四章 重离子束靶(J.L.英特马，F.尼克尔) 274
4.1 引言 274
4.2 碳剥离膜 276
4.3 靶的损伤和靶的寿命 283
4.31 辐射损伤 283
4.32 溅射 285
4.33 蒸发 288
4.41 温度的计算 289
4.4 靶温度 289
4.42 测量 293
4.43 用于高离子流密度的靶系统 296
4.5 靶的均匀性 297
参考文献 300
第五章 研究重离子反应的磁谱仪(T.沃尔彻) 301
5.1 引言 301
5.2 一般考虑 302
5.21 测量原理 302
5.22 探测器的一些情况 304
5.23 束流和靶的效应所引起的限制 306
5.24 运动学展宽 308
5.3 离子光学的一些关系式 310
5.31 运动学修正 310
5.32 动量分辨本领和质量分辨本领 311
5.33 高阶的情况 313
5.4 重离子磁谱仪的例子 314
5.41 Q3D磁谱仪 315
5.42 伯克利磁谱仪 316
5.43 GSI磁谱仪 318
参考文献 320