前 言 1
绪 论 1
使用符号说明 1
使用略缩语说明 1
第一章 易失性存储器 1
1.1 静态读写存储器SRAM 1
1.1.1 16Kb SRAM系列 1
1.1.1.1 CMOS 20脚SRAM(16K×1位):21C67 1
1.1.1.2 CMOS 20脚SRAM (4K×4位):6168 3
1.1.1.3 CMOS 24脚SRAM (2K×8位):6116 4
1.1.1.4 CMOS 24脚SRAM (2K×8位):6117/6118 5
1.1.2 64 Kb SRAM系列 6
1.1.2.1 CMOS 22脚SRAM (16K×4位):7188 6
1.1.2.2 CMOS 22脚SRAM (16K×4位):1620 7
1.1.2.3 CMOS 24脚SRAM (16K×4位):*1624 9
1.1.2.4 CMOS 28脚SRAM (8K×8位):6264 10
1.1.2.5 CMOS 28脚SRAM (8K×8位):7165 14
1.1.3 72Kb SRAM系列 16
1.1.3.1 CMOS 28脚SRAM (8K×9位):81C79 16
1.1.4 256 Kb SRAM系列 17
1.1.4.1 CMOS 24脚SRAM (256K×1位):81C81 17
1.1.4.2 CMOS 24脚SRAM(256K×1位):1800 19
1.1.4.3 CMOS 24脚SRAM(64K×4位):81C84 20
1.1.4.4 CMOS 28脚SRAM(32K×8位):62256 21
1.1.5 1Mb SRAM系列 22
1.1.5.1 CMOS 28脚SRAM(256K×4位):521002 22
1.1.5.2 CMOS 32脚SRAM(128K×8位):628128 24
1.1.5.3 CMOS 52脚SRAM(64K×18位):521028 25
1.1.6 静态读写存储器SRAM器件索引 28
1.2.1 256Kb CMOS28脚伪SRAM(32K×8位):65256 41
1.2 伪静态读写存储器PSRAM 41
1.2.2 512Kb CMOS32脚伪SRAM(64K×8位):5864 42
1.2.3 1Mb CMOS32脚伪SRAM(128K×8位):658128 44
1.2.4 4Mb CMOS32脚伪SRAM(512K×8位):58512 45
1.2.5 伪静态读写存储器PSRAM器件索引 46
1.3 动态读写存储器DRAM 47
1.3.1 动态读写存储器技术的发展 47
1.3.2 DRAM 的工作原理 51
1.3.3 1Mb DSRAM系列 52
1.3.3.1 CMOS页面方式DRAM(1M×1位):MCM511000/51L1000 52
1.3.3.2 CMOS页面方式DRAM(256K×4位):MCM514256A/51L4256A 57
1.3.4 4Mb DRAM系列 59
1.3.4.1 CMOS快速页面方式DRAM(4M×1位):MCM44100B/4L4100B 59
1.3.4.2 CMOS页面方式DRAM(1M×4位):MCM44400B/4L4400B 62
1.3.5.1 CMOS快速页面DRAM:MCM516100/MCM516400/MCM517400 64
1.3.5 16Mb DRAM系列 64
1.3.5.2 CMSO快速页面方式DRAM:MCM516160A/518160A和MCM516180A/518180A 70
1.3.6 动态读写存储器DRAM器件索引 72
第二章 非易失性存储器 81
2.1 可紫外线擦除可编程只读存储器EPROM和一次性编程ROM 81
2.1.1 16KbEPROM/PROM系列 85
2.1.1.1 (4K×4位)20脚TTL高速PROM7133 85
2.1.1.2 (4K×4位)20脚TTL高速PROM63S1640/41 86
2.1.1.3 (2K×8位)22脚TTL高速PROM7135 87
2.1.1.4 (2K×8位)24脚TTL高速PROM631680 88
2.1.1.5 (2K×8位)24脚TTL PROM7616 89
2.1.1.6 (2K×8位)24脚NMOS EPROM2716/CMOS EPROM27C16 90
2.1.1.7 (2K×8位)24脚NMOS EPROM TMS2716 92
2.1.2.1 (4K×8位)24脚NMOS EPROM2732/ CMOS EPROM27C32 93
2.1.2 32Kb EPROM/PROM系列 93
2.1.3 64Kb EPROM/PROM系列 94
2.1.3.1 (8K×8位)28脚NMOS EPROM2764/CMOS EPROM 27C64 94
2.1.3.2 (8K×8位)28脚带锁存器CMOS EPROM87C64 99
2.1.4 128Kb EPROM/PROM系列 100
2.1.4.1 (16K×8位)28脚NMOS EPROM 27128/CMOS EPROM 27C128 100
2.1.4.2 (16K×8位)28脚CMOS EPROM TMS27C128 102
2.1.5 256Kb EPROM/PROM系列 103
2.1.5.1 (32K×8位)28脚NMOS EPROM27256/CMOS EPROM27C256 103
2.1.5.2 (32K×8位)28脚带锁存器CMOS EPROM87C256 105
2.1.6 512Kb EPROM/PROM系列 107
2.1.6.1 (64K×8位)28脚NMOS EPROM27512/CMOS EPROM27C512 107
2.1.6.2 (4×16K×8位)28脚NMOS页寻址EPROM27513 109
2.1.7.1 (128K×8位)32脚NMOS EPROM27010/CMOS EPROM27C010 111
2.1.7 1Mb EPROM/PROM系列 111
2.1.7.2 (64K×16位)40脚NMOS EPROM27210/CMOS EPROM27C210 112
2.1.7.3 (8×16K×8位)28脚NMOS页寻址EPROM27011 114
2.1.8 2Mb(256K×8位)32脚CMOS EPROM27C020 116
2.1.9 4Mb EPROM/PROM系列 117
2.1.9.1 (512K×8位)32脚CMOS EPROM27C040 117
2.1.9.2 (256K×16位)40脚CMOS EPROM27C4096 119
2.1.10 8Mb(1M×8位)32脚CMOS EPROM27C080 121
2.1.11 36Kb/64Kb/128Kb串行OTP ROM37LV36/65/128 122
2.1.12 可紫外线擦除可编程只读存储器EPROM器件索引 127
2.2 可电擦除可编程只读存储器EEPROM 133
2.2.1 EEPROM概述 133
2.2.2 4Kb(512×8位)24脚CMOS并行接口EEPROM28C04 135
2.2.3 16Kb(2K×8位)CMOS并行接口EEPROM28C16和28C17 137
2.2.3.1 (2K×8位)24脚CMOS并行接口EEPROM28C16 137
2.2.3.2 (2K×8位)28脚CMOS并行接口EEPROM28C17 139
2.2.4 64Kb(8K×8位)28脚NMOS EEPROM2864(A)/CMOS EEPROM28C64 140
2.2.5 256Kb(32K×8位)28脚CMOS页面写入并行接口EEPROM 28C256 144
2.2.6 512Kb(64K×8位)32脚CMOS页面写入并行接口EEPROM X28C512/X28C513 146
2.2.7 1Mb(128K×8位)32脚CMOS页面写入并行接口EEPROM28C010 147
2.2.8 2Mb(256K×8位)32脚CMOS页面写入并行接口EEPROM28C020 149
2.2.9 1Mb(512K×8位)32脚CMOS页面写入并行接口EEPROM28C040 151
2.2.10 4Mb(256K×16位)40脚CMOS页面写入并行接口EEPROM28C4096 152
2.2.11 二线制I2CCMOS串行EEPROM24C01(A)/02(A)/04(A)/08/16/32/64 154
2.2.12 二线制可加口令的8脚CMOS串行EEPROM X76041 163
2.2.13 三线制MicrowireCMOS同步串行EEPROM93C06/46/56/66 175
2.2.14 三线制Microwire带有数据保护的CMOS同步串行EEPROM93CS06/46/56/66 183
2.2.15 SPI CMOS串行EEPROM25C01/02/04 193
2.2.16 四线制CMOS串行EEPROM59C11/22/13 198
2.2.17 可电擦除可编程只读存储器EEPROM器件索引 204
2.3.1 概 述 212
2.3 快擦写可编程只读存储器Flash Memory 212
2.3.2 256Kb/512Kb/1Mb/2Mb（32K/64K/128K/256K×8位）CMOS Flash28F256/512/010/020 213
2.3.4 4Mb（512K×8位）44脚CMOS带自举模块的Flash Memory28F004BX 220
2.3.3 4Mb（512K×8位）CMOS分块结构Flash Memory28F4001 222
2.3.5 4Mb（512K×8位）44脚CMOS带自举模块的Flash Memory28F400BX 238
2.3.6 8Mb（1M×8位）44脚CMOS Flash Memory28F008SA 239
2.2.7 Atmel的AT29CXXX Flash系列 246
2.3.7.1 Atmel的AT29CXXX Flash Memory概述 246
2.3.7.2 256Kb/512Kb/1Mb/2Mb（32K/64K/128K/256K×8位/16位）CMOS FlashEPROM29C256/257/512/010/020/040 248
2.3.8 串行快擦写存储器 255
2.3.8.1 带块锁定保护二线制串行快擦写存储器X24FXXX系列 255
2.3.8.2 带锁定保护的SPI串行接口快擦写存储器X25FXXX系列 264
2.3.9 快擦写可编程只读存储器Flash Memory器件索引 271
2.4 非易失性静态读写存储器NVSRAM 273
2.4.1 非易失性SRAM系列DS12XX 274
2.4.2 带有电源监视器的非易失性SRAM系列DS13XX 276
2.4.3 可分区的非易失性SRAM系列DS16XX和低压DS17XX 279
2.4.4 带有输入输出端口的非易失性SRAM DS1381 282
2.4.5 带有64位标识码的256位影子NOVSRAM DS2430 285
2.4.6 非易失性静态读写存储器NV SRTAM器件索引 292
2.5 铁电介质读写存储器FRAM 294
2.5.1 铁电介质读写存储器FRAM概述 294
2.5.2 4Kb/16Kb/64Kb非易失性铁电存储器FM1208S/1408S/1608S 298
2.5.3 4Kb/16Kb非易失性串行铁电读写存储器FM 24C04/24C16 305
第三章 多端口读写存储器MPRAM 312
3.1双端口RAM 312
3.1.1 （1K×8位）双端口SRAM CY7C130/131/140/141 312
3.1.2 （2K×8位）双端口SRAMCY7C132/136和CY7C142/146 314
3.1.3 （256K×8位）双端口SRAMDS1609 315
3.2 FIFO存储器 318
3.2.1 （512×9位）异步FIFO LH540201/LH5496（H）/DS2009 319
3.2.2 （512×18位/1K×18位）同步FIFO LH540215/25/IDT72215B/25B 325
3.2.3 （4K×9位）同步FIFO LH5492MS76492（Mosel/Vitelic）NMFC5492（National） 343
3.2.4 （4K×9位）并行转串行FIFO LH5493MS76493（Mosel/Vitelic）/NMFP5493（National） 351
3.2.5 （？）串行转并行FIFOLH5494MS76494（Mosel/Vitelic）/NMFP5494（National） 358
3.3 其他多端口存储器 364
3.3.2 （4K×9位）4端口串行RAM DS2015 364
3.3.2 存储器三线串行-字节并行总线转换器DS1280 369
3.3.3 多端口读写存储器MPRAM（/FIFO）器件索引 377
第四章 内嵌电池掉电自保护存储器插痤 383
4.1 掉电自保护SRAM插座 383
4.1.1 掉电自保护16Kb/64Kb SRAM插座DS1213B 384
4.1.2 掉电自保护256Kb SRAM插座DS1213C 387
4.2 带实时时钟的掉电自保护存储器插座 388
4.1.3 掉电自保护256Kb/1Mb SRAM插座DS1213D 388
4.2.1 带实时时钟的掉电自保护16Kb/64Kb SRAM插座DS1216B 389
4.2.2 带实时时钟的掉电自保护64Kb/256Kb SRAM插座DS1216C 394
4.2.3 带实时时钟的掉电自保护256Kb/1Mb SRAM插座DS1216D 395
4.2.4 带实时时钟的掉电自保护64Kb/256Kb ROM插座DS1216E 395
4.2.5 带实时时钟的掉电自保护64Kb/256Kb/1Mb ROM插座DS1216F 398
4.3 分区写保护掉电自保护SRAM插座 399
4.3.1 分区写保护掉电自保护256Kb SRAM插座DS1613C 399
4.3.2 分区写保护掉电自保护1Mb SRAM插座DS16130 401
4.4 带实时时钟和NVSRAM的超级微控制器插座DS1310/1311 402
6.3.3 页面寻址EPROM的应用 407
5.1 Motorola公司微控制器系列 411
5.1.1 Motorola公司含存储器的M6801/M6804/M6805/MC146805系列微控制器 411
第五章 微控制器片内存储器 411
5.1.2 Motorola公司含存储器的M68HC05系列微控制器 412
5.1.3 Motorola公司含存储器的M68HC11系列微控制器 418
5.1.4 Motorola公司含存储器的M68HC16系列微控制器 421
5.1.5 Motorola公司含存储器的M68300系列微控制器 422
5.2 Intcl公司微控制器第列 423
5.2.1 Intcl公司含存储器的MCS-51系列8位微控制器 423
5.2.3 Intcl公司含存储器的MCS-96系列16位微控制器 424
5.2.2 Intcl公司含存储器的MCS-52系列8位微控制器 424
5.3 Phihps公司微控制器系列 425
5.3.1 Philips公司含存储器的80C51系列微控制器 425
5.3.2 Philips公司含存储器的80C52系列微控制器 425
5.4 Zilog公司微控制器系列 427
5.4.1 Zilog公司含存储器的z84/Z86系列微控制器 427
5.4.2 Zilog公司含存储器的z89系列微控制器 428
5.1.2 National Serniconductor公司含存储器的8位微控制器系列 429
5.5 National Serniconductor公司微控制器系列 429
5.1.1 National Serniconductor公司含存储器的4位微控制器系列 429
5.1.3 National Serniconductor公司含存储器的16位高性能微控制器系列 430
5.6 Microchip公司微控制器系列中含存储器的芯片 432
5.6.1 Microchip公司基础级微控制器系列 432
5.6.2 Microchip公司中档微控制器系列 432
5.6.3 Microchip公司高档微控制器系列 434
5.7 Atmel公司微控制器系列中含存储器的芯片 434
5.8 NEC公司微控制器系列 434
5.8.1 NEC公司含存储器的4位微控制器系列 434
5.8.2 NEC公司含存储器的准8位微控制器系列 435
5.8.3 NEC公司含存储器的8位微控制器系列 437
5.8.4 NEC公司含存储器的准16位微控制器系列 437
5.9 Toshiba公司微控制器系列中含存储器的苡片 438
5.9.1 Toshiba公司含存储器的4位微控制器系列 438
5.9.2 Toshiba公司含存储器的8位微控制器系列 440
5.9.4 Toshiba公司含存储器的基于68HC05/11的微控制器系列 442
5.10 Fujitsu公司微控制器系列 442
5.10.1 Fujitsu公司含存储器的8850系列4位微控制器 442
5.9.3 Toshiba公司含存储器的基于Z80微控制器系列 442
5.10.2 Fujitsu公司含存储器的88200系列4位微控制器 443
5.10.3 Fujitsu公司含存储器的88500系列4位微控制器 443
5.10.4 Fujitsu公司含存储器的89700系列8位微控制器 443
5.11 Panasonic公司微处理器系列 444
5.11.1 Panasonic公司含存储器的1400系列4位微处理器 444
5.11.2 Panasonic公司含存储器的1500系列4位微处理器 444
5.12 Hitachi公司微控制器系列 445
5.12.1 Hitachi公司含存储器的4位微控制器系列 445
5.12.2 Hitachi公司含存储器的8位微控制器系列 445
5.13.2 Texas Instruments公司含存储器的TMS370系列8位微控制器 446
5.13.1 Texas Instruments公司含存储器的7000系列8位微控制器 446
5.13 Texas Instruments公司微控制器系列 446
5.14.2 HolteK公司含存储器的8位微控制器系列 447
5.14 HolteK公司微控制器系列 447
5.14.1 HolteK公司含存储器的4位微控制器系列 447
第六章 存储器应用技术 448
6.1 存储器扩展技术 448
6.1.1 存储器的基本操作控制 448
6.1.2 超过地址寻址范围的大容量存储器扩展技术 448
6.2 存储器兼容设计技术 455
6.2.1 相同引脚数目的EPROM和SRAM兼容设计 455
6.2.2 不同型号存储器插座兼容设计 456
6.2.3 8031单片机中EPROM和SRAM通用存储器全兼容设计 457
6.3 EPROM应用技术 458
6.3.1 3V EPROM与5VBUS的接口技术 458
6.3.2 用？=5V给EPROM编程和编程器印刷板设计+ 463
6.3.4 EPROM的正确使用和快速固化技术 474
6.4 EEPROM应用技术 478
6.4.1 EEPROM的数据保护 478
6.4.2 EEPROM的芯片擦除软件算法 482
6.4.3 串行EEPROM的操作 483
6.5 存储器节能设计技术 492
6.5.1 低功率微系统环境的存储器设计概述 492
6.5.2 低功耗存储器与非易失性存储器的选择 493
6.5.3 使用CHMOS DRAM的系统设计 497
6.5.4 电 池 508
6.5.5 电源切换电路 514
6.5.6 结 论 523
参考文献 523
附录 国内外生产半导体存储器器件公司和代理商名录 523