绪论 1
1.人工剪裁异质结、量子阱和超晶格结构的生长 5
1.1 MBE 技术的发展历史 5
1.2 MBE 生长原理 7
1.3 MBE 设备的基本配置结构 8
1.4 MBE 生长的半导体材料类型 10
1.5 MBE 生长的几种关键技术 11
1.6 几种典型的超晶格、量子阱材料体系及其应用 22
1.7 SiGe/Si 异质结、超晶格 29
2.一维、零维结构的获得 44
2.1 制备一维、零维结构的微加工技术 46
2.2 零维、一维结构的 MBE 正直接生长 51
2.3 量子点的团簇合成 58
3.低维半导体结构的光学性质 60
3.1 低维半导体结构的线性光学性质 60
3.2 量子霍耳效应的光学探测 94
3.3 低维半导体结构的非线性光学性质 107
3.4 固体微腔的光学性质 116
4.半导体低维结构的输运性质 122
4.1 半导体异质结结构中二维电子气的一般输运性质 122
4.2 二维系统中的弱局域化现象 125
4.3 二维体系在强磁场中的输运性质 134
4.4 半导体低维小结构中的输运现象 158
4.5 半导体低维结构中的纵向输运 191