第一章 能级概念 1
1.1 浅能级杂质 1
1.2 浅能级杂质电离能的计算 3
1.3 深杂质能级问题 6
1.4 深杂质能级 8
第二章 硅和锗中的深杂质能级 12
2.1 硅：Ⅰ、Ⅱ和Ⅲ族杂质 17
2.2 硅中含有Ni，Pd，Pt，Co，Fe，Mn，Cr和W 26
2.3 固溶度与分布系数的关系 28
2.4 硅中含有Ⅵ族杂质O，S，Se和Te 34
2.5 硅中含有Ⅳ族元素C，Ge和Sn 37
2.6 硅中含有其它杂质Li，N,稀土族和辐照引发能级 39
2.7 掺在锗中的杂质 42
2.8 锗中含有Ⅱ?族杂质Be，Zn，Cd和Hg 44
2.9 锗中掺有Li，Cu，Ag，Au和其它I族元素 45
2.10 锗中掺有Ni，Pt，Co，Fe，Mn和Cr 48
2.11 锗中掺有Ⅵ族元素杂质：O，S，Se和Te 50
2.12 锗中的其它杂质 50
第三章 砷化镓和其它Ⅲ-Ⅴ族化合物中的深杂质能级 52
3.1 GaAs中含有I族杂质Li，Na，Cu，Ag和Au 53
3.2 GaAs中含有Ⅱ族杂质Be，Mg，Zn，Cd和Hg 61
3.3 GaAs中含有Ⅳ族杂质C，Si，Ge和Sn 61
3.4 GaAs中含有Ⅵ族杂质O，S，Se和Te 61
3.5 GaAs中含有过渡族元素Cr，Mn，Fe，Co，Ni和V 71
3.6 GaAs中稀土族元素的研究Tm和Nd 73
3.7 GaP和InP中的深能级杂质 74
3.8 Insb，InAs，GaSh和AISb中的深能级杂质 81
第四章 深能级杂质的稳定态统计学 88
4.1 部分补偿的半导体统计学，ND＞NA 89
4.2 简并度因子 92
4.3 具有两个独立施主能级的半导体 95
4.4 带有两重性的掺杂剂 97
4.5 多重能级杂质的广义统计学 98
第五章 陷阱概念：强陷阱模型和场致效应 107
5.1 Lax的级联俘获模型 110
5.2 电场对由中性陷阱发射载流子的影响 116
5.3 其它场效应 121
第六章 在大块材料中作为复合中心和陷阱的深能级杂质 133
6.1 单能级的复合和产生 133
6.2 寿命的进一步分析 139
6.3 掺铟硅中的寿命 143
6.4 表面复合效应 149
6.5 含有一个电子陷阱和一个复合中心的半导体中的复合作用 152
6.6 俘获和复合动力学的一般考虑 155
6.7 掺金硅的瞬态寿命等值图 160
第七章 含深能级杂质的大块半导体中的光电导性和瞬态效应 164
7.1 与单一深受主能级有关的非本征光电导性 164
7.2 杂质光电导性中的瞬态效应 173
7.3 掺银硅的光电导性衰减 176
7.4 由“带隙宽度”能量的光引发的本征光电导性 187
7.5 涉及两种波长光的光电导性效应 191
7.6 光电导探测器的性能 201
第八章 半导体结中深能级杂质的复合和俘获效应 205
8.1 由pn结中深的产生-复合中心所引起的产生和复合电流(Sah-Noyce-Shockley模型) 206
8.2 深能级杂质对二极管特性影响的实验观察 211
8.3 在深能级杂质存在的情况下结电容随频率的变化 219
8.4 耗尽区中电容和反向电流的瞬态变化 248
8.5 其它结型结构中深能级杂质效应 254
第九章 陷阱的热激电流的研究 260
9.1 准平衡分析 261
9.2 通用公式 262
9.3 快的重俘获分析 263
9.4 一般分析 264
9.5 数值估计 266
9.6 从起始上升曲线的斜率求能级 271
9.7 两个陷阱能级的相互作用 275
9.8 硅的若干实验研究 278
9.9 热激电流的其他实验研究 293
9.10 电场对TSC测量的影响 300
9.11 结耗尽区中的热激电流 303
第十章 深能级杂质的寿命和俘获截面的测量方法 307
10.1 现有方法的回顾 307
10.2 光电磁效应 310
10.3 扩散长度和漂移技术 318
10.4 结耗尽技术 321
10.5 深能级杂质的噪声研究 323
10.6 硅中的俘获截面 330
第十一章 含深能级杂质的半导体中空间电荷限定电流的研究 342
11.1 Ashley-Milnes空间电荷状态 344
11.2 深能级杂质的密度梯度效应 361
11.3 在双注入状态中细丝状物的形成 366
11.4 作为GaAs中双注入阈值的一个因素——光学反馈 374
11.5 双注入负阻特性的可能用途 379
第二章 高阻深能级杂质半导体中陷阱控制畴的传播和其他振荡现象 382
12.1 由场增强俘获作用所产生的畴的分析 385
12.2 与畴振荡实验观测结果的关系 399
12.3 在硅pin结构中由深能级引起的振荡现象 407
12.4 复合波振荡现象 411
12.5 其它振荡形式 412
第十三章 深能级杂质的电场碰撞电离作用 413
13.1 硅中铟、镍和金的碰撞电离模型 414
13.2 实验研究 423
13.3 在高密度碰撞中心下的重迭效应 430
13.4 小结 432
第十四章 与深能级杂质有关联的杂质带电导和跳跃 433
14.1 杂质带电导 434
14.2 跳跃电导率及其与频率的关系 439
14.3 与深能级杂质的关系 446
符号 447
参考文献 458