《纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器研究》PDF下载

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  • 作  者:赵晓锋著
  • 出 版 社:湘潭:湘潭大学出版社
  • 出版年份:2009
  • ISBN:9787811291261
  • 页数:246 页
图书介绍:本书主要研究基于MEMS技术与CMOS工艺制作以纳米硅/单晶硅异质结为源极(S)和漏极(D)的MOSFET压/磁多功能传感器,在同一芯片上采用同一敏感器件完成对压、磁信号的同时检测,从基本结构设计、工作原理、特性分析等方面进行论述,研究不同条件对传感器特性的影响,实现压力、磁传感器的集成一体化研究。

第1章 绪论 1

1.1 引言 1

1.2 多功能传感器研究现状 2

1.3 MOSFET压力传感器研究现状 11

1.4 MSFET磁传感器研究现状 17

1.5 纳米硅/单晶硅异质结研究现状 21

1.6 纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器研究目的和意义 23

1.7 纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器研究的主要内容 24

第2章 纳米硅薄膜制备及表征研究 27

2.1 纳米硅薄膜 27

2.2 PECVD制备多晶硅薄膜 28

2.3 LPCVD制备纳米硅薄膜 33

2.4 小结 48

第3章 MOSFETs压/磁多功能传感器理论分析 49

3.1 MOSFETs压/磁多功能传感器理论模型 49

3.2 MOSFETs压/磁多功能传感器理论分析 50

3.3 小结 59

第4章 纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器压敏结构设计和电源激励方式 61

4.1 半导体材料压阻效应基本理论 62

4.2 纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器压敏结构设计 70

4.3 纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器压敏结构电源激励方式 96

4.4 小结 99

第5章 纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器磁敏结构设计和工作原理 101

5.1 霍尔效应 101

5.2 纳米硅/单晶硅异质结p—MOSFET Hall器件基本结构及工作原理 103

5.3 纳米硅/单晶硅异质结p—MOSFET Hall器件串联输出结构及工作原理 105

5.4 小结 107

第6章 纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器基本结构与制作工艺 109

6.1 纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器基本结构 109

6.2 纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器制作工艺 110

6.3 小结 117

第7章 实验结果与讨论 118

7.1 纳米多晶硅薄膜压阻特性 119

7.2 纳米硅/单晶硅异质结p—MOSFET特性 140

7.3 纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器压敏特性 159

7.4 纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器磁敏特性 189

7.5 纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器压/磁特性 223

7.6 小结 224

第8章 结论 228

参考文献 234