第1章 硅单晶常规电学参数的物理测试 1
1.1半导体硅单晶导电类型的测量 1
1.2半导体硅单晶电阻率的测量 7
1.3非平衡少数载流子寿命的测量 19
本章小结 37
习题 37
第2章 化学腐蚀法检测晶体缺陷 38
2.1半导体晶体的电化学腐蚀机理及常用腐蚀剂 38
2.2半导体单晶中的缺陷 42
2.3硅单晶中位错的检测 49
2.4硅单晶中漩涡缺陷的检测 55
2.5化学工艺中的安全知识 61
2.6金相显微镜简介 62
本章小结 63
习题 64
第3章 半导体晶体定向 65
3.1晶体取向的表示方法 65
3.2光图定向 72
3.3 X射线定向 76
本章小结 88
习题 88
第4章 红外吸收法测定硅单晶中的氧和碳的含量、多晶硅中基硼、基磷含量的检验 89
4.1测量原理 89
4.2测试工艺和方法 93
4.3测准条件分析 95
4.4多晶硅中基硼、基磷含量的检验 97
本章小结 99
习题 100
第5章 纯水的检测 101
5.1纯水在半导体生产中的应用 101
5.2离子交换法制备纯水的原理 102
5.3离子交换法制备纯水 105
5.4纯水制备系统主要设备及工作原理 107
5.5纯水制备系统运行控制 115
5.6纯水制备系统的清洗 116
5.7高纯水的检测 119
本章小结 121
习题 121
第6章 高纯分析方法 122
6.1三氯氢硅中痕量杂质的化学光谱测定 122
6.2三氯氢硅（四氯化硅）中硼的分析 124
6.3三氯氢硅（四氯化硅）中痕量磷的气相色谱测定 126
6.4工业硅中铁、铝含量的测定 128
6.5露点法测定气体中的水分 131
6.6气相色谱法测定干法H2的组分 133
6.7氯化氢中水分的测定 136
6.8液氯中水分的测定 137
本章小结 138
习题 138
第7章 其他物理检测仪器简介 139
7.1 X射线形貌技术 139
7.2质谱分析 140
7.3中子活化分析 141
7.4电子显微镜 142
参考文献 144