引言 1
二极管Ⅰ：整流器第1章 p-n结二极管 10
1.1 历史 10
1.2 结构 10
1.3 特性 11
1.4 应用 18
1.5 相关器件 18
1.5.1 齐纳二极管 18
1.5.2 阶跃恢复二极管 18
1.5.3 异型异质结 19
1.5.4 变容二极管 20
第2章 p-i-n二极管 22
第3章 肖特基势垒二极管 29
3.5.1 莫特势垒 38
3.5.2 金属-绝缘体-半导体隧道二极管 38
第4章 平面掺杂势垒二极管 40
4.5.1 双峰式二极管 44
4.5.2 平面掺杂势垒场效应晶体管 45
第5章 同型异质结 47
5.5.1 缓变结构势垒 52
二极管Ⅱ：负阻 N形第6章 隧道二极管 55
6.5.1 反向二极管 60
第7章 转移电子器件 62
第8章 共振隧穿二极管 72
8.5.1 共振隧穿场效应晶体管 77
第9章 共振带间隧穿二极管 80
第10章 单势垒隧道二极管 86
第11章 单势垒带间隧穿二极管 90
第12章 实空间转移二极管 93
二极管Ⅲ：负阻效应 S形第13章 金属-绝缘体-半导体开关 97
13.5.1 金属-绝缘体-半导体-金属开关 102
13.5.2 金属-绝缘体-半导体-绝缘体-金属开关 102
第14章 平面掺杂势垒开关 105
14.5.1 多晶硅-n-p开关 109
14.5.2 双异质结构光电子开关 110
第15章 无定形半导体阈值开关 112
15.5.1 无定形半导体存储开关 114
第16章 异质结构热电子二极管 117
二极管Ⅳ：负阻 渡越时间第17章 碰撞电离雪崩渡越时间二极管 121
17.5.1 俘获等离子体雪崩触发渡越二极管 127
17.5.2 双速雪崩渡越时间二极管 128
17.5.3 混合隧道雪崩渡越时间二极管 129
第18章 势垒注入渡越时间二极管 130
18.5.1 双速渡越时间二极管 135
18.5.2 隧道注入渡越时间二极管 135
18.5.3 量子阱注入渡越时间二极管 136
电阻和电容器件 138
第19章 电阻器 138
19.5.1 变阻器 142
19.5.2 电势计 143
19.5.3 n-i-n二极管 144
第20章 金属-氧化物-半导体电容器 146
20.5.1 金属-绝缘体-半导体电容器 153
20.5.2 平板电容器 153
第21章 电荷耦合器件 157
21.5.1 埋沟电荷耦合器件 164
21.5.2 蠕动电荷耦合器件 165
21.5.3 成型蠕动式电荷耦合器件 165
21.5.4 戽链器件 165
晶体管Ⅰ：场效应第22章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 167
22.5.1 双扩散金属-氧化物-半导体晶体管 178
22.5.2 横向扩散金属-氧化物-半导体晶体管 178
22.5.3 六角形场效应晶体管 178
22.5.4 V形槽（或纵向）金属-氧化物-半导体晶体管 178
22.5.5 U形槽金属-氧化物-半导体晶体管 180
22.5.6 薄膜晶体管 180
22.5.7 金属-绝缘体-半导体场效应晶体管 181
22.5.8 压敏场效应晶体管 181
第23章 结型场效应晶体管 183
23.5.1 V形槽场效应晶体管 190
第24章 金属-半导体场效应晶体管 192
第25章 调制掺杂场效应晶体管 201
25.5.1 倒置异质结场效应晶体管 206
25.5.2 平面掺杂异质结场效应晶体管 207
25.5.3 单量子阱异质结场效应晶体管 207
25.5.4 超晶格异质结场效应晶体管 207
25.5.5 赝异质结场效应晶体管 207
25.5.6 异质结绝缘栅场效应晶体管 207
25.5.7 半导体-绝缘体-半导体场效应晶体管 209
25.5.8 掺杂沟道异质结场效应晶体管 209
第26章 可渗基区晶体管 210
第27章 静电感应晶体管 215
第28章 实空间转移晶体管 224
第29章 平面掺杂场效应晶体管 232
第30章 表面隧道晶体管 237
30.5.1 肖特基隧道晶体管 241
第31章 横向共振隧穿场效应晶体管 243
第32章 斯塔克效应晶体管 247
第33章 速度调制晶体管 251
晶体管Ⅱ：电势效应第34章 双极型晶体管 256
34.5.1 异质结双极型晶体管 268
34.5.2 达林顿放大器 270
34.5.3 隧穿发射极双极型晶体管 270
第35章 隧穿热电子转移放大器 272
第36章 金属基极晶体管 279
第37章 双极反型沟道场效应晶体管 284
37.5.1 体势垒晶体管 288
第38章 隧道发射极晶体管 292
38.5.1 表面氧化物晶体管 296
第39章 平面掺杂势垒晶体管 299
39.5.1 双峰式晶体管 302
第40章 异质结热电子晶体管 304
第41章 感应基区晶体管 308
第42章 共振隧穿双极晶体管 313
第43章 共振隧穿热电子晶体管 319
第44章 量子阱基区共振隧穿晶体管 324
第45章 自旋阀晶体管 329
非易失性存储器 335
第46章 浮栅雪崩注入金属-氧化物-半导体晶体管 335
46.5.1 浮栅隧道氧化物晶体管 339
第47章 金属-氮化物-氧化物-半导体晶体管 341
47.5.1 金属-氧化物-氮化物-氧化物-半导体晶体管 345
47.5.2 铁电场效应晶体管 346
晶闸管和功率器件第48章 可控硅整流器 348
48.5.1 门极辅助关断晶闸管 356
48.5.2 门极关断晶闸管 356
48.5.3 非对称晶闸管 356
48.5.4 反向导通晶闸管 357
48.5.5 转折二极管 357
48.5.6 二极管交流开关 358
48.5.7 三极管交流开关 359
48.5.8 光敏晶闸管 359
48.5.9 可编程单结晶体管 360
48.5.10 可控硅开关 361
48.5.11 硅单向开关 361
48.5.12 硅双向开关 362
48.5.13 MOS控制晶闸管 362
第49章 绝缘栅双极型晶体管 364
第50章 静电感应晶闸管 370
第51章 单结晶体管 376
光电子器件Ⅰ：光源第52章 发光二极管 381
52.5.1 超发光二极管 388
52.5.2 量子阱发光二极管 389
52.5.3 超晶格发光二极管 389
52.5.4 共振隧穿发光二极管 389
52.5.5 量子点发光二极管 390
第53章 注入式激光器 392
53.5.1 异质结激光器 398
53.5.2 大光腔激光器 399
53.5.3 分别限制异质结激光器 400
53.5.4 量子阱激光器 400
53.5.5 超晶格激光器 400
53.5.6 解理耦合腔激光器 400
53.5.7 分布反馈激光器 401
53.5.8 垂直腔面发射激光器 402
53.5.9 量子级联激光器 402
53.5.10 量子点激光器 403
53.5.11 半导体光放大器 403
光电子器件Ⅱ：光电探测器第54章 光电导元件 406
54.5.1 光电磁探测器 410
54.5.2 自由载流子光电导元件 411
54.5.3 普特来探测器 411
54.5.4 丹倍效应探测器 411
第55章 p-i-n光电二极管 413
55.5.1 p-n结光电二极管 416
55.5.2 核辐射探测器 418
第56章 肖特基势垒光电二极管 419
56.5.1 异质结内光电发射探测器 423
第57章 电荷耦合图像传感器 426
57.5.1 电荷注入器件 431
第58章 雪崩光电二极管 434
58.5.1 吸收区、倍增区分置雪崩光电二极管 438
58.5.2 超晶格雪崩光电二极管 439
58.5.3 台阶雪崩光电二极管 439
第59章 光电晶体管 442
59.5.1 达林顿光电晶体管 445
59.5.2 雪崩光电晶体管 445
59.5.3 光敏场效应晶体管 445
59.5.4 体势垒光电晶体管 446
59.5.5 静电感应光电晶体管 447
59.5.6 隧道发射极光电晶体管 448
第60章 金属-半导体-金属光电探测器 450
第61章 量子阱红外光电探测器 455
第62章 量子点红外光电探测器 461
第63章 阻挡杂质带光电探测器 465
第64章 负电子亲和势光电阴极 470
64.5.1 光电倍增管 474
64.5.2 转移电子光电阴极 476
第65章 光子牵引探测器 478
光电子器件Ⅲ：双稳态光学器件第66章 自电光效应器件 481
第67章 双稳态标准具 485
67.5.1 干扰滤波器 488
光电子器件Ⅳ：其他器件第68章 太阳能电池 490
第69章 电吸收调制器 498
69.5.1 光波导 501
69.5.2 电光调制器 501
69.5.3 马赫-岑德尔调制器 502
69.5.4 定向耦合器调制器 502
传感器 504
第70章 热敏电阻器 504
70.5.1 电阻测温计 507
70.5.2 热敏电阻辐射热测量计 507
70.5.3 热电探测器 508
第71章 霍尔器件 511
71.5.1 磁敏电阻器 513
71.5.2 磁敏二极管 514
71.5.3 磁敏晶体管 515
71.5.4 磁场敏感型场效应晶体管 516
71.5.5 载流子畴磁场传感器 516
71.5.6 磁致伸缩传感器 517
第72章 应变计 518
72.5.1 压电应变计 523
第73章 叉指换能器 525
第74章 离子敏感场效应晶体管 530
74.5.1 酶场效应晶体管 533
74.5.2 离子控制二极管 533
74.5.3 半导体氧化物传感器 534
74.5.4 催化金属传感器 534
74.5.5 裸栅场效应晶体管 535
74.5.6 吸附式场效应晶体管 535
74.5.7 电荷流晶体管 535
附录A 精选的非半导体器件 537
A1 真空管 538
A2 超导器件 541
A3 电感器和变压器 547
A4 液晶显示器 550
A5 热电偶和热电堆 553
A6 金属-绝缘体-金属二极管 556
A7 单电子晶体管 558
附录B 物理现象 567
B1 漂移速度和迁移率 568
B2 扩散 572
B3 热电子发射 577
B4 镜像力降低 580
B5 复合和产生 583
B6 碰撞电离和雪崩 590
B7 空间电荷效应和空间电荷限制电流 594
B8 隧穿 596
B9 欧姆接触 599
B10 霍尔效应 607
B11 异质结、量子阱、超晶格和量子点 613
附录C 各类器件的一般应用 619
C1 整流器的应用 620
C2 负微分电阻的应用 626
C3 晶体管的应用 628
C4 光电探测器的应用 631
C5 双稳态光学器件的应用 633
C6 半导体存储器 636
附录D 物理性质 641
D1 半导体的性质 642
D2 Ge、Si和GaAs的性质 644
D3 SiO2和Si3N4的性质 646
D4 电阻率和迁移率 647
D5 本征浓度和费米能级 650
D6 耗尽列线图解 653
D7 吸收系数 654
D8 硅氧化速率 655
D9 离子注入范围和标准偏差 657
D10 杂质扩散系数 661
D11 杂质能级 663
D12 固溶度 665
D13 金属和硅化物的性质 667
D14 能隙与晶格常数的关系 670
附录E 基本信息 671
E1 常用公式 672
E2 缩略语 675
E3 电磁波谱 682
E4 元素周期表 683
E5 元素符号 685
E6 国际单位制（SI） 686
E7 单位前缀 687
E8 希腊字母 688
E9 基本物理常数 689
E10 符号表 690
索引 703
译后记 715