Part F 晶体生长及缺陷模型 3
36熔体生长晶体体材料的传导和控制 3
36.1运输过程的物理定律 5
36.2熔体的流动结构 7
36.3外力对流动的控制 16
36.4前景 26
参考文献 26
37 Ⅲ族氮化物的气相生长 31
37.1 Ⅲ族氮化物的气相生长概述 32
37.2 AlN/GaN气相淀积的数学模型 36
37.3气相淀积AlN/GaN的表征 39
37.4 GaN的IVPE生长模型——个案研究 46
37.5气相GaN/AlN膜生长的表面形成 62
37.6结语 63
参考文献 64
38生长直拉硅晶体中连续尺寸量子缺陷动力学 69
38.1微缺陷的发现 71
38.2无杂质时的缺陷动力学 72
38.3有氧时的直拉缺陷动力学 92
38.4有氮时的直拉缺陷动力学 101
38.5直拉硅单晶中空位的横向合并 109
38.6结论 116
参考文献 120
39熔体基底化合物晶体生长中应力和位错产生的模型 123
39.1综述 123
39.2晶体生长过程 124
39.3半导体材料的位错分布 125
39.4位错产生的模型 127
39.5晶体的金刚石结构 131
39.6半导体的变形特性 134
39.7 Haasen模型对晶体生长的应用 138
39.8替代模式 139
39.9模型概述和数值实现 148
39.10数值结果 150
39.11总结 162
参考文献 163
40 BS和EFG系统中的质量和热量传输 167
40.1杂质分布的基预测模型——垂直BS系统 168
40.2杂质分布的基预测模型——EFG系统 177
参考文献 188
Part G 缺陷表征及技术 193
41晶体层结构的X射线衍射表征 193
41.1 X射线衍射 194
41.2层结构的基本直接X射线衍射分析 195
41.3设备和理论思考 200
41.4从低到高的复杂性分析实例 201
41.5快速分析 207
41.6薄膜微映射 208
41.7展望 209
参考文献 210
42晶体缺陷表征的X射线形貌技术 213
42.1 X射线形貌的基本原则 214
42.2 X射线形貌技术的发展历史 216
42.3 X射线形貌技术和几何学 218
42.4 X射线形貌技术理论背景 223
42.5 X射线形貌上缺陷的对比原理 228
42.6 X射线形貌上的缺陷分析 233
42.7目前的应用状况和发展 237
参考文献 238
43半导体的缺陷选择性刻蚀 241
43.1半导体的湿法刻蚀：机制 242
43.2半导体的湿法刻蚀：结构和缺陷选择性 247
43.3缺陷选择性刻蚀方法 249
参考文献 261
44晶体的透射电子显微镜表征 265
44.1缺陷的TEM表征的理论基础 265
44.2半导体系统TEM应用的典型实例 281
44.3结语：目前的应用状况和发展 302
参考文献 303
45点缺陷的电子自旋共振表征 309
45.1电子自旋共振 310
45.2 EPR分析 312
45.3 ERP技术范围 322
45.4辅助仪器和支持技术 326
45.5总结与最终思考 333
参考文献 334
46半导体缺陷特性的正电子湮没光谱表征 339
46.1正电子湮没光谱 340
46.2点缺陷的识别及其电荷状态 348
46.3缺陷、掺杂和电子补偿 353
46.4点缺陷和生长条件 357
46.5总结 364
参考文献 364