第1章 研究概述 1
1.1 技术概况 1
1.1.1 主要功率半导体器件的技术特点及应用 2
1.1.2 产业现状 3
1.1.3 行业需求 5
1.2 研究对象和方法 5
1.2.1 技术分解 5
1.2.2 数据检索 9
1.2.3 查全查准评估 10
1.2.4 数据处理 10
1.2.5 相关事项和约定 13
第2章 功率半导体器件领域专利分析 15
2.1 全球专利分析 15
2.1.1 发展趋势分析 15
2.1.2 首次申请国家／地区分析 17
2.1.3 目标国家／地区分析 19
2.1.4 申请人分析 20
2.2 中国专利分析 21
2.2.1 中国专利申请发展趋势分析 21
2.2.2 主要技术分析 23
2.2.3 专利申请的国别分析 25
2.2.4 专利申请的省市／地区区域分布 26
2.2.5 国内外申请人的类型分析 27
2.2.6 主要申请人分析 28
2.3 结论 28
第3章 IGBT领域专利申请分析 30
3.1 IGBT领域产业技术概况 30
3.1.1 技术概况 30
3.1.2 产业现状 31
3.2 全球专利申请现状 32
3.2.1 技术构成分析 35
3.2.2 IGBT结构的技术发展路线 38
3.2.3 首次申请国家／地区分析 45
3.2.4 目标国家／地区分析 48
3.2.5 申请人分析 49
3.3 中国专利申请现状 51
3.3.1 申请趋势分析 52
3.3.2 技术构成分析 54
3.3.3 技术功效分析 58
3.3.4 国外申请人区域分布分析 69
3.3.5 中国申请人区域分布分析 70
3.3.6 主要申请人分析 72
3.3.7 小结 77
3.4 结论 77
3.4.1 全球申请 77
3.4.2 中国申请 78
第4章 SiC器件专利申请分析 79
4.1 全球专利申请现状 80
4.1.1 申请趋势分析 80
4.1.2 技术生命周期分析 82
4.1.3 技术构成分析 87
4.1.4 申请人国家／地区分布 89
4.1.5 申请人分析 94
4.2 中国专利申请现状 98
4.2.1 申请趋势分析 99
4.2.2 技术构成分析 100
4.2.3 申请人分析 103
4.3 MOSFET栅氧化膜技术分析 109
4.3.1 发展路线分析 109
4.3.2 中国申请技术布局 113
4.3.3 未来需重点关注的相关申请 115
4.4 结论 115
4.4.1 全球申请状况 115
4.4.2 中国申请状况 116
4.4.3 MOSFET栅氧化膜技术 117
第5章 英飞凌公司专利申请分析 118
5.1 专利申请现状 119
5.1.1 申请量趋势分析 119
5.1.2 首次申请及目标国家／地区分布 121
5.1.3 中国专利申请现状 122
5.2 COOLMOS分析 123
5.2.1 产业现状 123
5.2.2 核心专利分析 124
5.3 IGBT分析 127
5.3.1 技术分支分析 127
5.3.2 发明人分析 128
5.3.3 中国专利分析 129
5.4 结论 131
第6章 ABB公司专利申请分析 132
6.1 概况 132
6.1.1 技术领域 132
6.1.2 在华业务 132
6.2 全球专利申请现状 133
6.2.1 全球专利申请趋势及国家分布 133
6.2.2 全球专利申请的技术分支 134
6.2.3 中国专利申请分析 136
6.2.4 中国专利申请的失效专利分析 137
6.3 合作申请人分析 141
6.4 发明人分析 141
6.5 结论 144
第7章 重要专利筛选及分析 146
7.1 重要专利的筛选 146
7.1.1 分析方法与判断标准 146
7.1.2 技术周期相对被引指数 147
7.1.3 重要专利列表 149
7.2 重要专利的整体信息分析 149
7.2.1 降低导通电阻 150
7.2.2 提高开关特性 150
7.2.3 提高击穿电压 151
7.2.4 减少闩锁效应 151
7.2.5 其他技术目标 152
7.3 重要专利的特有信息分析 153
7.3.1 重要专利的引用分析 153
7.3.2 重要专利的申请思路 155
7.3.3 重要专利的撰写分析 156
7.3.4 重要专利的布局分析 160
7.4 三菱公司的重要专利 161
7.4.1 三菱在中国申请的重要专利 161
7.4.2 三菱在国外申请的重要专利 162
7.5 其他申请人国内外申请的重要专利 165
7.5.1 其他申请人在中国申请的重要专利 165
7.5.2 其他申请人在国外申请的重要专利 166
7.6 结论 168
第8章 主要结论 169
8.1 功率半导体器件领域整体结论 169
8.2 IGBT领域结论 170
8.3 SiC器件领域结论 171
8.4 重点申请人结论 172
8.5 重要专利结论 173
附录1 重要专利列表 174
附录2 SiC MOSFET器件栅氧化膜技术未来需要关注的相关申请 188
图索引 194
表索引 197