Part D 晶体的气相生长 3
23 SiC晶体的生长与表征 3
23.1 SiC——背景与历史 3
23.2气相生长 5
23.3高温溶液生长 7
23.4籽晶升华的产业化体材料生长 8
23.5结构缺陷及其构造 11
23.6结语 22
参考文献 23
24物理气相传输法生长体材料AIN晶体 27
24.1物理气相传输法晶体生长 28
24.2高温材料兼容 31
24.3 AIN体材料晶体的自籽晶生长 33
24.4 AIN体材料晶体的籽晶生长 35
24.5高质量晶体表征 38
24.6结论与展望 45
参考文献 45
25单晶有机半导体的生长 51
25.1基础 51
25.2成核与晶体生长理论 53
25.3对半导体单晶有机材料的兴趣 54
25.4提纯预生长 56
25.5晶体生长 60
25.6有机半导体单晶的质量 68
25.7有机单晶场效应晶体管 69
25.8结论 70
参考文献 71
26卤化物气相外延生长Ⅲ族氮化物 75
26.1生长化学和热力学 75
26.2 HVPE生长设备 78
26.3体材料GaN的生长衬底和模版 81
26.4衬底除去技术 85
26.5 HVPE中GaN的掺杂方法 88
26.6缺陷密度、位错和残留杂质 89
26.7 HVPE生长的体材料GaN的一些重要性能 93
26.8通过HVPE生长AIN：一些初步的结论 94
26.9通过HVPE生长InN：一些初步的结论 96
参考文献 97
27半导体单晶的气相生长 103
27.1气相生长分类 105
27.2化学气相传输——传输动力学 107
27.3热力学讨论 111
27.4 CVT法Ⅱ-Ⅵ化合物半导体的生长 118
27.5纳米材料的气相生长 122
27.6 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2化合物生长 123
27.7 VPE法生长氮化镓 131
27.8结论 135
参考文献 136
Part E 外延生长和薄膜 145
28化学气相沉积的碳化硅外延生长 145
28.1碳化硅极化类型 147
28.2碳化硅的缺陷 148
28.3碳化硅外延生长 150
28.4图形衬底上的外延生长 158
28.5结论 167
参考文献 167
29半导体的液相电外延 173
29.1背景 173
29.2早期理论和模型的研究 177
29.3二维连续模型 183
29.4静态磁场下的LPEE生长法 184
29.5三维仿真 187
29.6 LPEE的高生长率：电磁场下迁移率 198
参考文献 202
30半导体的外延横向增生 205
30.1概述 206
30.2液相外延横向增生的机制 208
30.3 ELO层中的位错 217
30.4 ELO层张力 222
30.5半导体结构横向增生的最新进展 232
30.6结语 240
参考文献 241
31新材料的液相外延 247
31.1 LPE的发展历史 248
31.2 LPE的基础和溶液生长 248
31.3液相外延的要求 250
31.4新材料研究：外延淀积法的选择 250
31.5高温超导体的LPE法 252
31.6锗酸钙镓的LEP 261
31.7氮化物的液相外延 265
31.8结论 269
参考文献 270
32分子束外延的HgCdTe生长 275
32.1综述 276
32.2 MBE生长理论 279
32.3衬底材料 282
32.4生长硬件的设计 294
32.5监测和控制生长的原位表征工具 296
32.6成核和生长过程 307
32.7掺杂和掺杂激活 310
32.8 MBE法生长的HgCdTe外延层的特性 313
32.9 HgTe/CdTe超晶格 318
32.10先进红外探测器的结构 321
32.11红外焦平面阵列（FPAs） 324
32.12结论 325
参考文献 327
33稀释氮化物的金属有机物气相外延和砷化物量子点 339
33.1 MOVPE原则 339
33.2稀释氮化物InGaAsN量子阱 343
33.3 InAs/GaAs量子点 348
33.4结语 354
参考文献 354
34锗硅异质结的形成及其特性 359
34.1背景 359
34.2 Si/Ge异质结的能带结构 360
34.3生长技术 362
34.4表面隔离 363
34.5临界厚度 367
34.6应力松弛机理 369
34.7松弛SiGe层的形成 371
34.8量子阱的形成、超晶格、量子线 379
34.9点形成 383
34.10结语与展望 390
参考文献 390
35脉冲激光的等离子能量和脉冲电子淀积 399
35.1薄膜淀积的能量聚集 399
35.2 PLD和PED技术 400
35.3 PLD和PED中的原子能转换 401
35.4薄膜生长的等离子体熔体的优化 410
35.5结论 414
参考文献 415