导言 8
第一章 晶体特性 13
1-1 概述 13
1-2 在fs与fp之间频率范围内的晶体特性 19
1-3 R1与Rr的关系 26
1-4 并联一个电容的晶体工作方式 26
1-5 串联一个加载电容的晶体工作方式 28
1-6 晶体型号 30
1-7 晶体参数测量 43
1-8 晶体终端负载对其谐振特性的影响 45
1-9 串联谐振晶体的功耗 47
1-10 晶体π型网络 50
1-11 晶体π型网络的分析 51
1-12 晶体负载R的影响 53
1-13 输出负载Zi的影响 54
1-14 Ci的影响 54
1-15 Ri的影响 54
1-16 晶体功耗 56
第二章 晶体在振荡器设计中的应用 61
2-1 概述 61
2-2 普通振荡器的方块图 61
2-3 振荡器增益关系式 62
第三章 放大器特性 64
3-1 概述 66
3-2 晶体管放大器 67
3-3 频率低于100KC的晶体管放大器 68
3-4 功率增益，输入电阻与输出电阻 69
3-5 从共基极“R”参数变换成共发射极“?”参数 69
3-6 典型的晶体管放大器工作特性 70
3-7 Gp,Rin,R0公式的简化 70
3-8 高频晶体管特性 71
3-9 晶体管等效电路 74
3-10 晶体管放大器性能的实验数据 79
3-11 电压增益测量 80
3-12 频率低于fv的电压增益特性 83
3-13 电压增益截止频率fv 89
3-14 频率高于fv的电压增益 93
3-15 共发射极放大器输入阻抗 94
3-16 并联输入电阻 94
3-17 并联输入电容 99
3-18 放大器相移 100
3-19 共基极放大器阻抗 102
3-20 具有非旁路电阻的共发射极晶体管放大器的等效电路 106
3-21 从混合π型变换成π型（导纳）等效晶体管电路 111
3-22 由晶体管偏置网络形成的共发射极放大器的输入电阻 114
第四章 阻抗变换网络 119
4-1 概述 119
4-2 π型网络 120
4-3 π型网络设计 123
4-4 电容分压器网络 126
4-5 电感变换器 128
4-6 自耦变换器 133
4-7 文氏电桥网络 136
第五章 普通振荡器总论 138
5-1 振荡器频率公差 138
5-2 振荡器电路图及元件频率响应特性 142
5-3 初步设计知识 144
5-4 振荡器设计步骤 145
第六章 串联谐振振荡器设计 147
6-1 概述 147
6-2 800KC到30MC串联谐振晶体特性 148
6-3 800KC到30MC晶体管串联谐振振荡器 150
6-4 环路电压增益的确定 151
6-5 晶体负载 152
6-6 环路增益与RL的关系 152
6-7 晶体功耗 155
6-8 晶体功耗与振荡器输出功率的关系 158
6-9 800KC到30MC串联谐振振荡器的设计步骤 160
6-10 设计举例 164
6-11 〔例一〕：1MC串联谐振振荡器 164
6-12 〔例二〕：5MC串联谐振振荡器 168
6-13 〔例三〕：20MC串联谐振振荡器 172
6-14 频率高于30MC的串联谐振振荡器 174
6-15 晶体特性 175
6-16 放大器特性 178
6-17 在晶体输入端与放大器输入端之间反馈信号的衰减 179
6-18 环路电压增益关系式 180
6-19 晶体功耗 181
6-20 晶体端接电阻 182
6-21 振荡器相位关系式 183
6-22 放大器稳定性 184
6-23 30MC到200MC串联谐振振荡器设计步骤 184
6-24 设计举例 190
6-25 〔例一〕193MC振荡器 190
6-26 〔例二〕150MC振荡器 192
6-27 〔例三〕120MC振荡器 195
6-28 〔例四〕75MC振荡器 199
6-29 90KC到500KC串联谐振振荡器 203
6-30 晶体特性 203
6-31 放大器特性 205
6-32 环路电压增益方程 205
6-33 晶体功耗 208
6-34 晶体功耗和振荡器输出功率的关系 208
6-35 90KC到500KC串联谐振振荡器的设计步骤 210
6-36 值得注意的问题 210
6-37 1KC到100KC串联谐振振荡器设计 212
6-38 晶体特性 213
6-39 晶体功耗 214
6-40 放大器特性 214
6-41 振荡器环路增益关系式 215
6-42 设计举例 217
6-43 〔例一〕3KC晶体管振荡器 218
6-44 〔例二〕20KC晶体管振荡器 222
6-45 〔例三〕1KC两级晶体管振荡器 227
6-46 〔例四〕3KC两级晶体管振荡器 230
第七章 并联谐振振荡器设计 233
7-1 并联谐振振荡器电路 233
7-2 0.8～20MC并联谐振晶体 235
7-3 CL与f′a的关系 238
7-4 Xe与Re max的关系 240
7-5 0.8～20MC频率范围的基本皮尔斯振荡器 241
7-6 设计方法 242
7-7 将晶体管内反馈元件Rr和Cr并入晶体π型网络 244
7-8 Cr的影响 245
7-9 Rr的影响 247
7-10 环路电压增益的计算 249
7-11 Rπ和RT是Re/Re max和XLeff/Re max的函数 252
7-12 输出电压极限 255
7-13 基本皮尔斯振荡器电路的晶体管集电极电流要求 257
7-14 基本皮尔斯振荡器的功耗输出限制 259
7-15 基本皮尔斯振荡器的设计步骤 261
7-16 设计举例 268
7-17 〔例一〕0.8MC基本皮尔斯振荡器 269
7-18 〔例二〕5MC基本皮尔斯振荡器 272
7-19 〔例三〕20MC基本皮尔斯振荡器 275
7-20 0.8至20MC的隔离电阻皮尔斯振荡器 277
7-21 环路增益 278
7-22 隔离电阻皮尔斯振荡器设计步骤 280
7-23 设计举例 288
7-24 〔例一〕 0.8MC隔离电阻皮尔斯振荡器 288
7-25 〔例二〕5MC隔离电阻皮尔斯振荡器 291
7-26 〔例三〕20MC隔离电阻皮尔斯振荡器 293
7-27 〔例四〕5MC隔离电阻皮尔斯振荡器（2N 706A） 296
7-28 〔例五〕20MC隔离电阻皮尔斯振荡器（2N 706A） 299
7-29 4KC至500KC并联谐振振荡器设计要点 301
参考文献〔Ⅰ〕 304
第八章 高稳定度晶体振荡器设计——一种温度补偿的新方法 310
8-1 引言 310
8-2 经典的温度补偿晶体振荡器的调谐法 310
8-3 非线性温度补偿晶体振荡器调谐法 313
8-4 三点热敏电阻网络 316
8-5 两段网络补偿 320
8-6 窄温度范围补偿 323
8-7 结论 324
附录A：形状参数的计算机选择 324
附录B：网络电阻值的计算 326
参考文献〔Ⅱ〕 329