Part A 晶体生长基础及缺陷形成 3
1.晶体生长技术和表征：综述 3
1.1发展历史 3
1.2晶体生长理论 4
1.3晶体生长技术 6
1.4晶体缺陷及表征 11
参考文献 15
2.表面成核 17
2.1晶体环境相平衡 18
2.2晶核形成及工作机理 24
2.3成核率 28
2.4饱和晶核密度 35
2.5在同质外延中的第二层成核 38
2.6异质外延中的聚集机理 43
2.7表面活性剂对成核的影响 45
2.8结论与展望 48
参考文献 48
3.溶液中的晶体生长形态 53
3.1相平衡 55
3.2晶体的生长相理论 64
3.3影响晶体特性的因素 71
3.4表面结构 72
3.5晶体缺陷 73
3.6成核动力学——过饱和 73
3.7溶剂 75
3.8杂质 78
3.9其他因素 84
3.10晶体特性变化过程 85
3.11小结 86
3.A附录 86
参考文献 87
4.晶体生长过程中缺陷的生长及演变 93
4.1综述 94
4.2包晶 95
4.3条纹和生长区 101
4.4位错 107
4.5孪晶 120
4.6溶液中快速生长完整晶体 125
参考文献 127
5.没有约束条件下的单晶生长 133
5.1背景 134
5.2光滑和粗糙的接触面：生长机理和形态学 136
5.3表面微形貌 139
5.4多面体材料晶体的生长形貌 143
5.5内部形态 146
5.6完整单晶 152
参考文献 156
6.熔体生长晶体期间缺陷的形成 159
6.1综述 159
6.2点缺陷 163
6.3位错 176
6.4第二相粒子 188
6.5面缺陷 191
6.6孪晶 193
6.7总结 194
参考文献 195