Part B 熔体生长晶体技术 3
7.磷化铟：用稳定的磁场生长晶体及缺陷控制 3
7.1历史综述 3
7.2磁场下液体封盖生长法 4
7.3熔体的磁场接触面 7
7.4位错密度 14
7.5磁流量对杂质隔离的影响 18
7.6 InP：Fe的光学特征 22
7.7总结 24
参考文献 25
8.半导体直拉硅单晶和太阳能电池应用 29
8.1激光扫描光散射技术生长硅单晶和太阳能电池应用 30
8.2直拉硅单晶的晶体缺陷的控制 35
8.3太阳能电池应用的多晶硅的生长和特征 37
8.4总结 38
参考文献 39
9.氧化物光折变单晶的直拉生长法 43
9.1背景 44
9.2晶体生长 44
9.3直拉生长系统的设计和发展 45
9.4铌酸锂晶体的生长及其特性 50
9.5其他氧化物光折变晶体 60
9.6软铋矿晶体的生长及其特性 62
9.7结论 71
参考文献 71
10.三元化合物Ⅲ-Ⅴ族半导体体材料晶体生长 79
10.1 Ⅲ-Ⅴ族三元化合物半导体 80
10.2三元化合物衬底的需求 81
10.3器件级三元化合物衬底标准 82
10.4布里兹曼晶体生长技术介绍 84
10.5 Ⅲ-Ⅴ族的二元化合物晶体生长技术综述 90
10.6三元化合物相平衡 98
10.7三元化合物半导体合金偏析 100
10.8三元化合物晶体裂纹的形成 102
10.9单晶三元化合物籽晶生产工艺 106
10.10均质合金生长的溶质配备过程 109
10.11熔体-固体界面形状的作用 116
10.12结论 119
参考文献 119
11.用于红外线探测器的锑基窄禁带Ⅲ-Ⅴ族半导体晶体的生长与特性 125
11.1锑基半导体的重要性 127
11.2相图 128
11.3晶体结构和成键 129
11.4材料合成和提纯 131
11.5体材料InSb的生长 132
11.6InSb、 InAsxSb1-x、 InBixSb1-x的结构特性 138
11.7InSb、 InAsxSb1-x、 InBixSb1-x的物理性质 144
11.8应用 155
11.9结语与展望 157
参考文献 158
12.光学浮区技术用于氧化物晶体生长 165
12.1历史 165
12.2光学浮区技术——氧化物的应用 166
12.3光学浮区及溶区移动晶体生长技术 167
12.4浮区技术的优势和局限 168
12.5光学浮区炉 169
12.6 OFZT的陶瓷和晶棒生长的实验细节 170
12.7同成分和不同成分熔融氧化物的稳定生长 171
12.8结构过冷和结晶前的稳定性 173
12.9晶体生长的终止和冷却 175
12.10 OFZ技术的晶体生长特点 175
12.11晶体缺陷测定——实验方法 178
12.12 OFZ和TSFZ方法选定氧化物单晶生长的具体条件 181
12.13结论 184
参考文献 184
13.激光加热基座生长氧化物纤维 191
13.1光纤拉丝研究 192
13.2激光加热基座生长技术 197
13.3原理 200
13.4纤维生长方面的问题 207
13.5结论 216
参考文献 217
14.采用壳融技术合成高熔点材料 231
14.1概述 231
14.2冷坩埚中单晶生长技术 233
14.3基于二氧化锆的单晶生长 241
14.4冷坩埚中壳融法玻璃的合成 263
14.5结论 267
参考文献 267
15.激光基质氟化物和氧化物晶体生长 277
15.1熔融激光氟化物和氧化物晶体生长 277
15.2激光晶体缺陷 285
15.3晶体生长技术特征 299
参考文献 301
16.晶体生长的成型 307
16.1定义和讨论的范围：用CST法制备SCG 308
16.2 DSC——用CST法制备SCG的基础 310
16.3用CZT法制备SA和SCG 315
16.4用VT法制备SA和SCG 317
16.5用FZT法制备SA和SCG 320
16.6 TPS毛细管形成 320
16.7 TPS的蓝宝石生长 337
16.8 TPS的硅生长 344
16.9 TPS的金属生长 349
16.10 TPS的特性 350
参考文献 350