第1章 研究概述 1
1.1 研究背景 1
1.1.1 技术概况 3
1.1.2 产业现状 5
1.1.3 行业需求 9
1.2 研究对象和方法 11
1.2.1 技术分解 12
1.2.2 数据检索 12
1.2.3 查全率、查准率评估 13
1.2.4 相关事项约定 14
第2章 芯片制造工艺专利现状分析 16
2.1 概述 16
2.1.1 外延工艺简述 16
2.1.2 光刻工艺简述 16
2.1.3 刻蚀工艺简述 17
2.1.4 掺杂工艺简述 17
2.1.5 铜互连工艺简介 17
2.2 全球专利申请状况 18
2.2.1 全球专利申请态势分析 18
2.2.2 全球主要申请人分析 20
2.2.3 专利申请国别地区分布 23
2.3 中国专利申请状况 27
2.3.1 中国专利申请态势分析 27
2.3.2 中国主要申请人分析 29
2.3.3 法律状态分析 31
2.4 小结与建议 32
第3章 光刻技术专利现状分析 34
3.1 概述 34
3.2 浸没式光刻技术的专利分析 35
3.2.1 全球专利申请状况 35
3.2.2 中国专利申请状况 37
3.3 多重图形光刻技术的专利分析 39
3.3.1 全球专利申请状况 40
3.3.2 中国专利申请状况 49
3.4 电子束光刻技术的专利现状 51
3.4.1 全球专利申请状况 52
3.4.2 中国专利申请状况 55
3.5 小结与建议 59
第4章 先进逻辑器件结构及其制造工艺专利现状分析 61
4.1 FinFET技术的专利现状 61
4.1.1 概述 61
4.1.2 全球专利申请态势分析 62
4.1.3 中国专利申请态势分析 67
4.1.4 FinFET技术发展路线 68
4.2 FDSOI技术的专利现状 72
4.2.1 概述 72
4.2.2 全球专利申请态势分析 72
4.2.3 中国专利申请态势分析 79
4.2.4 FDSOI技术技术发展路线 83
4.3 NWFET技术的专利现状 84
4.3.1 概述 84
4.3.2 全球专利申请态势分析 85
4.3.3 中国专利申请态势分析 92
4.4 小结与建议 95
第5章 3D NAND制造工艺的专利现状分析 98
5.1 概述 98
5.2 全球专利申请态势分析 98
5.2.1 申请趋势分析 98
5.2.2 主要技术分布 99
5.2.3 重要申请人分析 105
5.2.4 重要发明人分析 110
5.3 中国专利申请态势分析 116
5.3.1 申请趋势分析 116
5.3.2 主要申请人分析 117
5.4 技术发展路线 118
5.4.1 三星 118
5.4.2 东芝 135
5.4.3 海力士 164
5.5 非实体生产公司专利布局 168
5.6 小结与建议 174
第6章 攻防分析 177
6.1 旺宏与飞索 177
6.1.1 旺宏专利状况 177
6.1.2 飞索专利状况 181
6.1.3 旺宏与飞索专利诉讼 183
6.1.4 专利比对 183
6.1.5 小结与建议 189
6.2 海力士与东芝 189
6.2.1 海力士专利状况 189
6.2.2 东芝专利状况 190
6.2.3 战略联盟 190
6.2.4 海力士与东芝／闪迪专利诉讼 190
6.2.5 专利比对 191
6.2.6 小结与建议 196
第7章 结论 197
7.1 主要结论 197
7.1.1 晶圆处理工序及其关键步骤 197
7.1.2 先进逻辑器件及其制造工艺 198
7.1.3 3D NAND存储器件及其制造工艺 199
7.1.4 攻防分析 201
7.2 主要建议 201
7.2.1 企业建议 201
7.2.2 行业建议 203
附录 204
图索引 243
表索引 249