1绪论 1
1.1 多芯片组件 2
1.2 低温共烧技术 3
1.2.1 LTCC的发展现状 4
1.2.2 LTCC的材料体系 6
1.3 硅灰石基LTCC基板材料 9
1.3.1 硅灰石概述 10
1.3.2 硅灰石基LTCC材料的实验研究状况 11
1.3.3 硅灰石基LTCC基板材料的理论研究状况 12
2硅灰石基LTCC样本制备 14
2.1 引言 14
2.1.1 硅灰石晶体及玻璃陶瓷 15
2.1.2 硅灰石基LTCC常见制备方法 16
2.2 硅灰石基LTCC材料的制备 17
2.2.1 B系样本的配方设计 18
2.2.2 性能测试 19
2.2.3 结果与讨论 25
2.3 Zr掺杂的硅灰石基LTCC （Z系）的制备和性能分析 33
2.3.1 Zr掺杂的硅灰石基LTCC的制备 33
2.3.2 结果与讨论 33
2.4 Ti掺杂的硅灰石基LTCC （T系）的制备和性能研究 38
2.4.1 T系样本的制备 38
2.4.2 结果与讨论 39
3硅灰石基LTCC材料的定量分析 45
3.1 引言 45
3.2 XRD测试过程 46
3.3 Rietveld全谱拟合结合体积加和法则进行定量分析 47
3.3.1 Rietveld全谱拟合分析方法与原理 47
3.3.2 结果与讨论 48
3.4 Rietveld全谱拟合法结合分峰法定量分析 54
3.4.1 分峰法计算原理 54
3.4.2 结晶峰与非结晶峰的分离 55
4硅灰石晶体电子结构及介电性能第一性原理计算 57
4.1 引言 57
4.2 计算模型和方法 58
4.2.1 计算模型 58
4.2.2 计算方法 59
4.3 计算结果与讨论 60
4.3.1 晶体结构 60
4.3.2 电子结构 61
4.3.3 Mulliken电荷分布 64
4.3.4 光学吸收 64
4.3.5 复介电函数 65
4.3.6 折射率 66
4.4 小结 67
5硅灰石介电机理 68
5.1 引言 68
5.2 硅灰石极化机制 69
5.2.1 电子位移极化率 70
5.2.2 离子位移极化率 72
5.2.3 热离子极化率 74
5.3 硅灰石静态介电常数的计算 75
5.3.1 硅灰石光频介电常数的计算及修正 76
5.3.2 静态介电常数的计算及修正 79
5.3.3 静态介电常数温度系数 84
5.4 交流介电常数 84
5.4.1 热离子活化能U和松弛时间τ 85
5.4.2 复介电常数的实部ε′和虚部ε″ 87
5.5 硅灰石介电损耗 89
6硼酸钙、石英晶体和残余玻璃的介电性能 93
6.1 硼酸钙晶体介电性能 93
6.1.1 硼酸钙晶体静态介电常数 94
6.1.2 硼酸钙晶体复介电常数 95
6.1.3 硼酸钙晶体的介电损耗 96
6.2 石英晶体介电性能 97
6.2.1 石英晶体介电常数 98
6.2.2 石英晶体损耗 100
6.3 无定形玻璃相的介电常数εs和介电损耗tan δ 106
7硅灰石基LTCC材料的介电性能 109
7.1 复合材料的介电性能计算理论 109
7.2 硅灰石基LTCC材料的介电常数 111
参考文献 116
索引 129