第一部分 绪言 1
计算机辅助设计的价值 1
本书的目的 2
本书的结构 2
本书的符号 3
输入参数与模式参数 3
由元件物理特性决定的模式 5
模式记号 5
模式的选用？ 6
第二部分 模式的理论推导 7
2-1前言 7
2-2 EM1模式 7
2-2-1注入型 9
2-2-2传渡型 12
2-2-3另一可选之型式——非线性混合π型 14
2-2-4温度的影响 16
2-2-5摘要与另外的说明 17
2-3 EM2模式 18
2-3-1改良的直流特性 18
A.r′e 20
B.r′e 21
C.r′b 22
2-3-2电荷储存效应 23
A.接面电容器 23
B.扩散电容器 26
C.基底电容器 30
2-3-3小信号（线性化之）EM2模式 31
2-3-4摘要 32
2-4 EM3模式 33
2-4-1在固定温度时所改良的直流模式 34
A.基极宽度调制 34
B.βdc与电流的变化 38
（一）区域二：中间电流 39
（二）区域一：低电流 40
（三）区域三：大电流 44
（四）全部：区域一，二与三 44
（五）欧米电阻的影响 45
（六）在SLIC与SINC程式中βF对Ic的输入参数 45
（七）βFac与它对电流的变化 48
2-4-2定温时的一个改良的空间电荷模式 48
A.改良的CJc—r′b模式 48
B.τF对电流的变化 48
2-4-3可与工作温度变化的改良 50
A.物性为基础的温度变化 51
（一）τF 51
（二）CJc与CJE 52
B.需要额外输入参数的温度有关参数 52
2-4-4小信号（线性化）的EM3模式 53
2-4-5摘要与结论 53
2-5 GP模式 54
2-5-1前言 54
2-5-2 Is的物理的定义 58
QB的观念 64
2-5-3 QB之诸成份 65
A. QB成份的数学推导 66
B. QB成份的物理意义 68
（一）QBO 68
（二）QE 68
（三）Qc 69
（四）QF 70
（五）QR 70
（六）工作区的影响 70
（七）摘要 71
2-5-4求qb的值 72
A.成份qe 72
B.成份qe 75
C.成份qr 77
D.成份qr 78
E.近似空乏法的影响 78
（一）QB 79
（二）Iss 79
（三）QE，Qc 79
（四）QF，QR 79
F. qb的解 82
G.高阶注入时的解 83
（一）高电流解之证实 83
（二）q2的简化 84
H.最后之分解 86
I.与冈蒙与朋之推导的比较 86
2-5-5基极变宽效应 87
A.直流特性 89
B.交流特性 89
（一）基极变宽对τB的影响 89
（二）射极迟缓（τ1）对IC 91
（三）τF对IC 92
2-5-6 GP模式与EM3模式的比较 93
A.基极宽度调制 93
B.高阶注入 94
C.β对I 95
D.τF对IC 97
2-5-7小信号（线性化）GP模式 97
2-5-8摘要 97
A.直流模式 97
B.电荷储存模式 98
C.温度变化的模拟 98
2-6模式的限制 99
A.参方向的效应 99
B.崩溃 100
C.饱和 100
第三部分 参数测试 103
3-1前言 103
3-2 EM1模式参数的测试 104
βF 105
βR 107
Is 108
Tnom 111
EG 112
3-3 EM2模式参数的测试 113
r′e 114
r′e 118
A.两个r′e的界限值定义 118
B.r′cnorma1与r′csat的测试 119
r′b 124
A.前言 124
B.r′b测试技术的比较 124
C.小信号的测试 125
D.脉冲测试法 129
E.杂讯测试法 134
CJO，？与M 135
τF（或在Ic，VcE之fT） 139
A.由fT求τ F 140
B.测fT 142
τR（或τS AT） 145
CsuB或CcS 148
3-4 EM3模式参数的测试 149
VA 150
βFM，C2，nEL，与θ（或βFMAX，IcMAX，βFLOW，IcLOW，BCEC与VcE） 155
βRM，C4，nEL与θR 165
RATIO 166
LE/W，IcO 167
TC1，TC2 169
3-5 GP模式参数的测试 170
Iss 171
VB 172
IK 177
IKR 179
B 180
附录1 传渡型之表示法与注入型之表示法的比较 183
附录2 EM3模式基极宽度调制之分析 186
附录3 推导在GP模式内QB之五个成份 192
附录4 EM3与GP对基极宽度调制之模拟的准确性 195
附录5 EM3与GP之小信号线性模式 200
附录6 SLIC，SINC与SPICE之输入参数的相互参照表 207
参考文献 215
索引 223