第1章 微细加工技术简介 1
1.1 微细加工技术的发展历程 1
1.2 微细加工技术的发展趋势 2
1.3 微细加工装备的研究现状和技术发展趋势 3
1.4微细加工工艺的基本流程 4
1.5 微细加工技术面临的挑战 6
参考文献 8
第2章 光学曝光技术 9
2.1 接触式和接近式曝光技术 10
2.2 光学投影成像曝光技术 10
2.3.1抗蚀剂原理 12
2.3光致抗蚀剂 12
2.3.2 曝光过程的工艺模拟 14
2.3.3 曝光工艺参数的模拟 16
2.3.4 193 nm波长抗蚀剂 18
2.4 光掩模制造技术 20
2.4.1 掩模白版 21
2.4.2 制版设备 21
2.4.3 掩模缺陷 23
2.5 193 nm光刻技术 26
2.5.1 光刻物镜 26
2.5.2 工件台系统 26
2.5.4 逐场调平调焦系统 28
2.5.3 高均匀高强度深紫外照明系统 28
参考文献 29
第3章 光学分辨率增强技术 31
3.1 光学邻近效应校正技术（OPC） 31
3.2 移相掩模技术（PSM） 36
3.3 离轴照明技术 44
3.4 光学曝光技术的局限 47
参考文献 49
第4章 电子束光刻技术 51
4.1 电子束曝光系统概述 51
4.2 电子束曝光系统的曝光原理 55
4.3 电子束曝光系统的基本结构 56
4.4 电子束抗蚀剂 58
4.5 电子散射与邻近效应 61
4.6 其他先进的电子束曝光系统 67
参考文献 73
第5章 X射线光刻技术 75
5.1 X射线光刻的发展历史及技术特点 75
5.2 X射线光刻技术的关键组成部分 77
参考文献 87
第6章 极端远紫外光刻技术 88
6.1 EUVL的基本原理 88
6.2 EUVL的光源 89
6.3 EUVL的成像系统 93
6.4 EUVL的光刻掩模 98
6.5 EUVL的光刻技术展望 101
参考文献 104
第7章 刻蚀技术 106
7.1 湿法刻蚀技术 107
7.1.1 湿法刻蚀的几种过程 108
7.1.2 湿法刻蚀的应用 109
7.1.3 常用半导体材料和刻蚀 110
7.1.4 化合物的选择腐蚀 111
7.2.1 等离子刻蚀的简史 113
7.2 干法刻蚀技术 113
7.2.2刻蚀机理 114
7.2.3 等离子体刻蚀的损伤 116
7.2.4干法刻蚀的要求 117
7.2.5 几种常用的刻蚀设备 119
7.3 RIE刻蚀 121
7.3.1 反应离子刻蚀分类 121
7.3.2 RIE工艺研究的进展 122
7.4 ICP刻蚀技术 123
7.4.1 ICP刻蚀技术的优势 123
7.4.2 ICP工艺研究 125
参考文献 132
7.5 今后的发展趋势和待解决的问题 132
8.1 聚焦离子束技术（FIB） 134
8.1.1 聚焦离子束技术概述 134
第8章 其他纳米加工技术 134
8.1.2 基本的聚焦离子束工艺 137
8.1.3 聚焦离子束技术的应用 139
8.2压印图形转移技术 143
8.2.1 软刻印技术 144
8.2.2 热压雕版压印法 146
8.2.3 步进－闪光压印法 157
8.2.4 激光辅助直接压印法 160
8.3.1 侧墙掩模技术 163
8.3 三维图形加工技术 163
8.3.2各向异性腐蚀技术 166
8.3.3 阳极氧化和剥离技术 168
8.3.4残余应力技术 169
8.3.5 悬空掩模双角蒸发技术 171
8.4 自组织生长技术 171
8.4.1 多孔氧化铝（AAO）模板法 172
8.4.2颗粒结构薄膜法 172
8.4.3 S-K模式法 173
参考文献 173