录 1
CONTENTS 1
实验一四探针法测量电阻率 1
目 1
实验二扩展电阻法测量硅片微区电阻率变化及其深度分布 17
实验三范德堡－霍耳效应实验 25
实验四硅单晶杂质补偿度的测量 39
实验十四 透射电子显微术 1 43
实验五MOS电容－电压特性测量 48
实验六用准静态技术测量硅－二氧化硅界面态密度分布 56
实验七深能级瞬态谱法（DLTS）测定硅中深能级中心 66
实验八砷化镓的光致发光（PL）谱 75
实验九激光测定硅单晶晶轴 86
实验十椭偏法测量薄膜折射率及厚度 93
实验十一扫描电子显微镜 104
实验十二半导体集成电路的解剖分析 121
实验十三扫描电镜X射线能谱分析 130
实验十五傅里叶变换红外光谱法（FTIR）测定硅中杂质氧的含量 146
实验十六原子吸收光谱分析 152
实验十七X射线光电子能谱分析 167
实验十八低压化学气相淀积多晶硅 177
实验十九用SiH4-NH3淀积氮化硅 186
实验二十等离子增强化学气相淀积氧化硅 190
实验二十一金属有机化学气相淀积（MOCVD）钛酸铅 195
实验二十二多孔硅材料的制备 204
实验二十三通用有限元软件ANSYS推焊球应力分析 210
实验二十四集成电路CAD基础 217