1绪论 1
1.1氢化硅薄膜力学行为的研究背景和意义 1
1.2耐高温压力传感器的研究背景和意义 5
1.3本书的主要内容 8
参考文献 9
2氢化硅薄膜的制备和微观表征 13
2.1引言 13
2.2射频等离子体增强化学气相沉积法 14
2.3拉曼测试晶态比和平均晶粒大小 15
2.4薄膜厚度研究 25
2.5 XRD衍射谱 29
小结 35
参考文献 35
3衬底对纳米硅薄膜生长的影响 37
3.1引言 37
3.2纳米硅薄膜的微观表征 37
3.3薄膜的AFM和HRTEM研究 40
3.4结果和讨论 42
小结 46
参考文献 47
4不同单光子激光线的氢化硅薄膜拉曼光谱 50
4.1引言 50
4.2薄膜制备 51
4.3结果和讨论 51
4.4薄膜内应力 56
小结 61
参考文献 61
5氢化硅薄膜介观力学行为及其与微结构内禀关联特性 65
5.1引言 65
5.2纳米压痕 65
5.3结果和讨论 70
小结 73
参考文献 74
6耐高温压阻式压力传感器 77
6.1耐高温压阻式压力传感器简介 77
6.1.1引言 77
6.1.2压阻式压力传感器基本原理 78
6.1.3硅扩散压阻式压力传感器 80
6.1.4耐高温压阻式压力传感器 81
6.2基于SIMOX的耐高温压力传感器芯片制作 84
6.2.1压力传感器芯片设计 84
6.2.2 SIMOX的耐高温压力传感器芯片制作 86
6.3耐高温压阻式压力传感器封装 90
6.3.1引言 90
6.3.2硅／玻璃环静电键合 91
6.3.3内引线键合 97
6.3.4外引线转接 101
6.4耐高温压力传感器静态标定及温度漂移补偿 103
6.4.1耐高温压力传感器的静态标定指标 103
6.4.2热灵敏度漂移系数及补偿 106
6.4.3零位输出及其补偿 109
6.4.4热零点漂移系数及补偿 111
6.4.5耐高温压力传感器标定结果 113
6.4.6与国外同类产品的比较 115
6.5通用型分体式耐高温压力传感器研制 117
6.5.1引言 117
6.5.2耐高温分体式压力传感器结构设计 118
6.5.3传感器前置电路 119
6.5.4耐高温分体式压力传感器高温标定 120
小结 122
参考文献 123
7结论 129