第1章 绪论 1
1.1半导体 2
1.2半导体IC产品的制造流程 13
1.3基本可靠度观念 22
1.4产品可用寿命 26
参考文献 28
第2章 可靠度寿命分布模型 29
2.1指数分布模型 30
2.2常态与对数常态分布模型 34
2.2.1常态分布模型 34
2.2.2 对数常态分布模型 39
2.3韦伯分布模型 46
2.4浴缸曲线 50
2.4.1早夭期 50
2.4.2有用生命期 52
2.4.3衰败期 53
参考文献 56
第3章 半导体IC元件的基本可靠度问题 57
3.1介电质的崩溃 58
3.2 电晶体的不稳定度 65
3.2.1离子污染 66
3.2.2热载子射入 69
3.2.3负偏压温度不稳定度 78
3.3金属导体的电迁移 79
3.4 静电放电引起的潜藏性伤害 91
3.5 CMOS寄生双载子电晶体引起的电路闩锁及其伤害 105
3.6 α粒子造成的软性错误 114
参考文献 121
第4章 半导体IC封装的可靠度问题 125
4.1封装或晶粒的裂开 126
4.2金属导线的腐蚀 129
4.3连接线的脱落 131
4.4 封装主要可靠度问题的表列 138
4.5封装可靠度测试 142
参考文献 149
第5章 半导体IC产品量产的认证过程 151
5.1量产前可靠度认证的一般规格 153
5.2 晶粒可靠度认证测试 160
5.3封装可靠度认证测试 171
5.4比较严格的车规认证 175
参考文献 180
第6章 故障分析 181
6.1故障分析的工具/技术 182
6.2电性与物性故障分析 195
6.3常见的故障模态/机制 199
6.4减少故障率的未来方向 204
参考文献 208
附录—a元素周期表 210
附录—b周期表元素英汉名词对照表 212
附录二 矽半导体常用的物理常数 217
附录三AQL选样计划表（MIL-STD-105） 219
附录四 x 2分布函数表（部份） 221
索引 223