绪论 1
第1章 硅和锗的化学制备 4
1-1 硅和锗的物理化学性质 4
1-2 高纯硅的制备 6
1-3 锗的富集与提纯 13
第2章 区熔提纯 16
2-1 分凝现象与分凝系数 16
2-2 区熔原理 20
2-3 锗的区熔提纯 28
第3章 晶体生长 30
3-1 晶体生长理论基础 30
3-2 熔体的晶体生长 46
3-3 硅、锗单晶生长 52
第4章 硅、锗晶体中的杂质和缺陷 59
4-1 硅、锗晶体中杂质的性质 59
4-2 硅、锗晶体的掺杂 62
4-3 硅、锗单晶的位错 78
4-4 硅单晶中的微缺陷 84
第5章 硅外延生长 87
5-1 外延生长概述 87
5-2 硅衬底制备 89
5-3 硅的气相外延生长 93
5-4 硅外延层电阻率的控制 104
5-5 硅外延层的缺陷 109
5-6 硅的异质外延 113
第6章 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体 118
6-1 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的特性 118
6-2 砷化镓单晶的生长方法 124
6-3 砷化镓单晶中杂质的控制 131
6-4 砷化镓单晶的完整性 135
6-5 其他Ⅲ-Ⅴ族化合物的制备 137
第7章 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的外延生长 141
7-1 气相外延生长（VPE） 141
7-2 金属有机物气相外延生长（MOVPE） 144
7-3 液相外延生长（LPE） 152
7-4 分子束外延生长（MBE） 158
7-5 化学束外延生长（CBE） 162
7-6 其他外延生长技术 164
第8章 Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半导体 170
8-1 异质结与晶格失配 171
8-2 GaAlAs外延生长 172
8-3 InGaN外延生长 176
8-4 InGaAsP外延生长 177
8-5 超晶格与量子阱 182
8-6 应变超晶格 188
8-7 能带工程 189
第9章 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体 192
9-1 Ⅱ-Ⅵ族化合物单晶材料的制备 192
9-2 Ⅱ-Ⅵ族化合物的点缺陷与自补偿现象 198
9-3 Ⅱ-Ⅵ族多元化合物材料 201
9-4 Ⅱ-Ⅵ族超晶格材料 205
第10章 低维结构半导体材料 207
10-1 低维结构半导体材料的基本特性 207
10-2 低维结构半导体材料的制备 208
10-3 低维结构半导体材料的现状及未来 212
第11章 氧化物半导体材料 214
11-1 氧化物半导体材料的制备 214
11-2 氧化物半导体材料的电学性质 217
11-3 氧化物半导体材料的应用 220
第12章 照明半导体材料 225
12-1 LED的基本结构 226
12-2 外延生长GaN衬底材料的选择 226
12-3 外延生长的发展趋势 228
12-4 外延片结构改进 230
第13章 其他半导体材料 233
13-1 窄带隙半导体 233
13-2 黄铜矿型半导体 235
13-3 非晶态半导体材料 236
13-4 有机半导体材料 237
参考文献 240