一、总 类 1
微型结构 1
微型组件 1
组件 1
混合微型结构 1
分立元器件 1
目 录 1
功能块 2
分系统 2
系 统 2
功能器件 2
分子电子学 2
集成电路 3
半导体集成电路 3
混合集成电路 4
薄膜集成电路 4
厚膜电路 5
膜集成电路 5
大规模集成电路 5
中规模集成电路 6
毫微瓦集成电路 7
适当规模集成电路 7
梁式引线集成电路 7
固体逻辑技术 8
先进固体逻辑技术 8
多片电路 8
基片，衬底 9
阵 列 9
单 片 9
圆 片 9
基 片 9
二、制造工艺 9
计算机半自动设计，借助计算机进行设计 9
多单元法 10
微矩阵法 10
母片法 10
扩散、蒸发和溅射 10
扩散电阻 10
扩散致窄电阻 11
掺金，金扩散 11
埋层 11
溅射 12
真空蒸发法 12
电子束蒸发（淀积）法 12
薄膜电阻 13
光刻技术 13
光刻法 13
掩模原图 14
掩模原板 14
分步重复工序 14
掩模 14
光致抗蚀剂 14
光 刻 14
坐标制图器 15
外延生长、隔离和钝化 15
外延生长 15
外延层 15
硅－蓝宝石技术 15
隔离 15
钝化 16
连 接 16
互连，内连 16
跨接 17
选择布线法，选择连接法 17
穿接 17
网印技术 18
丝网漏印法 18
焊 接 18
超声焊 18
热压焊 18
压焊 19
正焊 19
焊接区 20
倒装法 20
倒焊 20
三、组装和测试 21
外壳 21
封装密度 21
高密度装配 21
加速寿命试验 22
级增应力试验 22
试验板实验 22
“非”逻辑，“非”运算 23
“与”逻辑，“与”运算 23
“与非”逻辑，“与非”运算 23
“或”逻辑，“或”运算 23
逻辑电路 23
四、电路和器件 23
真值表 23
“或非”逻辑，“或非”运算 24
“异－或”逻辑，“异－或”运算 24
正（负）逻辑 24
饱和逻辑电路 24
非饱和逻辑电路 24
二极管－晶体管逻辑 25
电阻－晶体管逻辑 25
晶体管－晶体管逻辑 26
互补晶体管逻辑 26
电流型逻辑，发射极耦合 26
逻辑 26
输入端数 27
输出端数 27
输入（出）扩展电路 27
触 发器 28
“0”电平，“1”电平 28
反转触发器 28
倒相器 28
缓冲器 28
门（电路） 28
J-K触发器 29
R-S触发器 29
寄存器 29
寄存器 29
只读存储器 30
存储电路读出放大器 30
存储器 30
高速暂存存储器，便笺式 30
存储器 30
移位寄存器 30
静态寄存器 30
动态寄存器 30
不可辩区 31
编码、译码和转换 31
编码器 31
译码器 31
模拟－数字转换器 31
二进制码，位，毕特 32
二进位组 32
放大器 32
差动放大器 32
运算放大器 33
射地－基地放大器； 33
共射－共基放大器 33
戴林顿放大器 34
金属－氧化物－半导体结构互补金属－氧化物－半导体结构 34
耗尽型（金属－氧化物－半导体晶体管） 35
金属－氧化物－半导体 35
电容器 35
增强型（金属－氧化物－半导体晶体管） 35
晶体管 35
金属－氧化物－半导体 35
晶 体管 36
单极晶体管 36
双极晶体管 36
场效应晶体管 36
面结型场效应晶体管 36
基片pnp型晶体管，衬底 37
pnp晶体管 37
横向pnp型晶体管 37
脉冲（信号）振幅 38
脉冲宽度 38
脉冲下降时间 38
电平移位二极管 38
五、性能参数 38
脉冲上升时间 39
脉冲重复频率 39
传输延迟时间，传输时延 39
上升延迟时间，上升时延 39
下降延迟时间，下降时延 39
脉（冲波）动，脉冲瞬变 40
尖峰，过冲 40
噪声容限 40
热时间常数 41
输入负载率 41
抗扰度，抗扰性 41
热 阻 41
噪声系数 41
输出负载率 42
输入偏移电压（电流） 42
上限截止频率 42
最坏条件 42
失效率 42
平均失效间隔时间 42
非特 42
共态抑制比 42
开环电压增益 43